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使用增強(qiáng)模式NMOS晶體管的簡(jiǎn)單差分放大器

發(fā)布時(shí)間:2021-09-01 來(lái)源:Doug Mercer 和 Antoniu Miclaus 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】本次實(shí)驗(yàn)旨在研究使用增強(qiáng)模式NMOS晶體管的簡(jiǎn)單差分放大器。2021年6月學(xué)子專區(qū)文章 中提出的關(guān)于硬件限制問(wèn)題的說(shuō)明對(duì)本次實(shí)驗(yàn)也是有效的。通過(guò)提高信號(hào)電平,然后在波形發(fā)生器輸出和電路輸入之間放置衰減器和濾波器(參見(jiàn)圖1),可以改善信噪比。本次實(shí)驗(yàn)需要如下材料:
 
●    兩個(gè)100 Ω電阻
●    兩個(gè)1 kΩ電阻
●    兩個(gè)0.1 μF電容(標(biāo)記為104)
 
使用增強(qiáng)模式NMOS晶體管的簡(jiǎn)單差分放大器
圖1.11:1衰減器/濾波器 
 
本次實(shí)驗(yàn)的所有部分都會(huì)使用該衰減器和濾波器。
 
材料
 
●    ADALM2000 主動(dòng)學(xué)習(xí)模塊
●    無(wú)焊面包板
●    跳線
●    兩個(gè)10 kΩ電阻
●    一個(gè)15 kΩ電阻(將10 kΩ和4.7 kΩ電阻串聯(lián))
●    兩個(gè)小信號(hào)NMOS晶體管(CD4007或ZVN2110A)
 
說(shuō)明
 
實(shí)驗(yàn)室硬件的連接如圖2所示。M1和M2應(yīng)從可用的且Vth匹配最佳的器件中選擇。M1和M2的源極與R3的一端共享一個(gè)連接。R3的另一端連接到Vn (-5V),提供尾電流。M1的基極連接到第一個(gè)任意波形發(fā)生器的輸出,M2的基極連接到第二個(gè)任意波形發(fā)生器的輸出。兩個(gè)集電極負(fù)載電阻R1和R2分別連接在M1和M2的集電極與正電源Vp (+5 V)之間。差分示波器輸入2+/2-用于測(cè)量?jī)蓚€(gè)10 kΩ負(fù)載電阻上的差分輸出。
 
使用增強(qiáng)模式NMOS晶體管的簡(jiǎn)單差分放大器
圖2.帶尾電阻的NMOS差分對(duì)
 
使用增強(qiáng)模式NMOS晶體管的簡(jiǎn)單差分放大器
圖3.NMOS差分對(duì)面包板
 
硬件設(shè)置
 
第一個(gè)波形發(fā)生器配置為200 Hz三角波,峰峰值幅度為4 V,偏移為0 V。第二個(gè)波形發(fā)生器也應(yīng)配置為200 Hz三角波,峰峰值幅度為4 V,偏移為0 V,但相位為180°。示波器的通道1應(yīng)與1+連接到第一個(gè)波形發(fā)生器W1的輸出,與1-連接到W2的輸出。通道2應(yīng)連接到標(biāo)注2+和2-處,并設(shè)置為每格1 V。
 
程序步驟
 
獲取如下數(shù)據(jù):x軸是任意波形發(fā)生器的輸出,y軸是使用2+和2-輸入的示波器通道2。通過(guò)改變R3的值,同學(xué)們可以探索尾電流電平對(duì)電路增益的影響(觀察通過(guò)原點(diǎn)的直線的斜率)和對(duì)線性輸入范圍的影響,以及當(dāng)電路飽和時(shí),觀察增益非線性下降的形狀。
 
使用增強(qiáng)模式NMOS晶體管的簡(jiǎn)單差分放大器
圖4.NMOS差分對(duì)XY圖
 
電流源用作尾電流
 
使用簡(jiǎn)單電阻作為尾電流具有局限性。同學(xué)們可以探索構(gòu)建電流源來(lái)偏置差分對(duì)的方法。這可以由幾個(gè)額外的晶體管和電阻構(gòu)成,如 之前的ADALM2000實(shí)驗(yàn)"穩(wěn)定電流源"所示。
 
附加材料
 
兩個(gè)小信號(hào)NMOS晶體管(M3和M4采用CD4007或ZVN2110A)
 
使用增強(qiáng)模式NMOS晶體管的簡(jiǎn)單差分放大器
圖5.帶尾電流源的差分對(duì)
 
硬件設(shè)置
 
第一個(gè)波形發(fā)生器配置為200 Hz三角波,峰峰值幅度為4 V,偏移為0 V。第二個(gè)波形發(fā)生器也應(yīng)配置為200 Hz三角波,峰峰值幅度為4 V,偏移為0 V,但相位為180°。電阻分壓器將Q1和Q2的基極處的信號(hào)幅度降低到略小于200 mV。示波器的通道1應(yīng)與1+連接到第一個(gè)波形發(fā)生器W1的輸出,與1-連接到W2的輸出。通道2應(yīng)連接到標(biāo)注2+和2-的位置,并設(shè)置為每格1 V。
 
使用增強(qiáng)模式NMOS晶體管的簡(jiǎn)單差分放大器
圖6.帶尾電流源的差分對(duì)面包板電路
 
程序步驟
 
配置示波器以捕獲所測(cè)量的兩個(gè)信號(hào)的多個(gè)周期。XY圖示例如圖7所示。
 
使用增強(qiáng)模式NMOS晶體管的簡(jiǎn)單差分放大器
圖7.帶尾電流源的差分對(duì)XY圖
 
測(cè)量共模增益
 
共模抑制(CMR)是差分放大器的一個(gè)關(guān)鍵方面。CMR可以通過(guò)將兩個(gè)晶體管M1和M2的基極連接到同一輸入源來(lái)測(cè)量。圖10顯示了當(dāng)W1的共模電壓從+3 V掃描至-3 V時(shí),電阻偏置差分對(duì)和電流源偏置差分對(duì)的差分輸出。當(dāng)柵極上的正電壓接近漏極電壓,晶體管從飽和區(qū)進(jìn)入三極管(阻性)區(qū)域時(shí),增益受到的影響最大。這可以通過(guò)觀察相對(duì)于地為單端(即將2-輸入接地)的漏極電壓來(lái)監(jiān)測(cè)。應(yīng)調(diào)整發(fā)生器的幅度,直到輸出端信號(hào)就要開(kāi)始削波/折疊。
 
 
使用增強(qiáng)模式NMOS晶體管的簡(jiǎn)單差分放大器
圖8.測(cè)量共模增益
 
硬件設(shè)置
 
波形發(fā)生器配置為100 Hz正弦波,峰峰值幅度為6 V,偏移為0 V。示波器的通道1應(yīng)與1+連接到第一個(gè)波形發(fā)生器W1的輸出,與1-連接到地。通道2應(yīng)連接到標(biāo)注2+和2-的位置,并設(shè)置為每格1 V。
 
使用增強(qiáng)模式NMOS晶體管的簡(jiǎn)單差分放大器
圖9.共模增益面包板電路
 
程序步驟
 
配置示波器以捕獲所測(cè)量的兩個(gè)信號(hào)的多個(gè)周期。使用LTspice®的波形示例如圖10所示。
 
 
使用增強(qiáng)模式NMOS晶體管的簡(jiǎn)單差分放大器
圖10.共模增益波形
 
問(wèn)題:
 
如果將晶體管M1的基極視為輸入,圖8中的晶體管放大器對(duì)于輸出2+和2-而言是反相還是同相?解釋您的答案。
 
說(shuō)明當(dāng)輸入電壓(W1)增大或減小時(shí),每個(gè)輸出電壓(2+和2-)會(huì)發(fā)生什么。
 
您可以在 學(xué)子專區(qū) 博客上找到問(wèn)題答案。
 
 
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