【導讀】理想情況下，并無電流進入運算放大器的輸入端。而實際操作中，始終存在兩個輸入偏置電流，即IB+和IB-(參見圖1)。
輸入偏置電流定義
理想情況下，并無電流進入運算放大器的輸入端。而實際操作中，始終存在兩個輸入偏置電流，即IB+和IB-(參見圖1)。
圖1：運算放大器輸入偏置電流
IB的值大小不一，在靜電計AD549中低至60 fA(每三毫秒通過一個電子)，而在某些高速運算放大器中可達數(shù)十微安。運算放大器采用由雙極性結(jié)型晶體管(BJT)或FET長尾對構(gòu)成的簡單輸入結(jié)構(gòu)時，偏置電流為單向流動。而采用更為復雜的輸入結(jié)構(gòu)時(如偏置補償和電流反饋運算放大器)，偏置電流可能是兩個或以上內(nèi)部電流源之間的差分電流，且可能是雙向流動。
對運算放大器用戶來說，偏置電流是個問題，因為當其流過外部阻抗時會產(chǎn)生電壓，進而導致系統(tǒng)誤差增加。以1 MΩ源阻抗驅(qū)動同相單位增益緩沖器為例，如果IB為10 nA，則會額外引入10 mV的誤差。這種誤差度在任何系統(tǒng)中都不容忽略。
或者，如果設計人員完全忘記考慮IB并且采用容性耦合，那么電路將根本不能工作！或者，如果IB足夠小，那么電路或許能在電容充電期間短暫工作，結(jié)果導致更多的問題。因此，我們應當明白，任何運算放大器電路中都不能忽略IB的影響，儀表放大器電路中亦是如此。
輸入失調(diào)電流
“輸入失調(diào)電流”IOS是IB–和IB+之差，即IOS = IB+ ? IB–。另請注意，兩個偏置電流首先必須基本上具有相當良好的匹配性，IOS才有意義。多數(shù)電壓反饋(VFB)型運算放大器都是如此。不過，針對電流反饋(CFB)型運算放大器等來談IOS就沒什么意義，因為這兩個電流完全不匹配。
需要注意的是，對于由兩個并聯(lián)級構(gòu)成的軌到軌輸入級，當共模電壓經(jīng)過躍遷區(qū)時，偏置電流方向會發(fā)生改變。因此，這類器件的偏置電流和失調(diào)電流尤其難以標定，根本不可能簡單地給出最大正值/負值。
內(nèi)部偏置電流消除電路
如果通過內(nèi)部電流源提供該必要的偏置電流，如下文圖2所示，那么基極電流與電流源之間的差分電流將是流入輸入端的唯一“外部”電流，它可能相當小。
圖2：偏置電流補償雙極性輸入級
多數(shù)現(xiàn)代精密雙極性輸入級運算放大器都會采用某種方式的內(nèi)部偏置電流補償，大家熟悉的OP07和OP27系列就是如此。
偏置電流補償輸入級具有簡單雙極性輸入級的許多優(yōu)良特性，例如：低電壓噪聲、低失調(diào)電壓和低漂移。此外，它還提供具有相當溫度穩(wěn)定性的低偏置電流。但是，其電流噪聲特性不是非常好，而且偏置電流匹配較差。
后兩個副作用源于外部偏置電流，它是補償電流源與輸入晶體管基極電流的“差值”。這兩個電流不可避免地具有噪聲。由于無相關(guān)性，兩個噪聲以方和根形式相加(但直流電流采用減法)。
所產(chǎn)生的外部偏置電流為兩個近乎相等的電流之差，因此凈電流的極性是不確定的。所以，偏置補償運算放大器的偏置電流可能不僅不匹配，而且有可能反向流動！多數(shù)應用中這點并不重要，但在有些應用中卻會產(chǎn)生無法預料的影響(例如，在用偏置補償運算放大器構(gòu)建的采樣保持(SHA)電路中，壓降可能具有兩種極性之一)。
許多情況下，運算放大器的數(shù)據(jù)手冊中沒有提到偏置電流補償特性，而且不會提供原理示意圖。通過檢查偏置電流規(guī)格，很容易確定是否采用了偏置電流補償。如果偏置電流用"±"值表示，則運算放大器非常有可能對偏置電流進行了補償。注意，通過檢查“失調(diào)電流”規(guī)格(偏置電流之差)，很容易驗證這一點。如果存在內(nèi)部偏置電流補償，則失調(diào)電流的幅度與偏置電流相同。如果沒有偏置電流補償，則失調(diào)電流一般比偏置電流至少低10倍。注意，無論偏置電流的確切幅度是多少，上述關(guān)系一般都成立。
如前所述，對于軌到軌輸入級，當共模電壓經(jīng)過交越區(qū)時，偏置電流方向會發(fā)生改變。因此，這類器件的偏置電流和失調(diào)電流尤其難以指定，根本不可能簡單地給出最大正值/負值。
消除偏置電流影響(運算放大器外部)
當運算放大器的偏置電流匹配良好時(如前所述，就像簡單的雙極性輸入級運算放大器那樣，但“不”包括內(nèi)部偏置補償運算放大器)，偏置補償電阻R3 (R3=R1||R2)會在同相輸入中引入壓降，以便與反相輸入中R1和R2并聯(lián)組合上的壓降匹配并實現(xiàn)補償。這樣可以最大程度地減少額外的失調(diào)電壓誤差，如圖3所示。注意，如果R3大于1 kΩ，則應使用電容進行旁路，以免噪聲影響。另請注意，當偏置電流匹配不佳時，這種消除偏置方式毫無用處，事實上會更糟。
圖3：消除應用中的輸入偏置電流影響
測量輸入失調(diào)電流和輸入偏置電流
可以利用圖4中的測試電路來測量輸入偏置電流(或輸入失調(diào)電壓)。要測量IB，應插入大電阻RS與待測輸入端串聯(lián)，從而產(chǎn)生大小等于IB×RS的顯著額外失調(diào)電壓。如果之前已經(jīng)測量并記錄實際的VOS，則可以確定因RS變化而導致的VOS明顯變化，進而可以輕松計算出IB。這樣即可得出IB+和IB–的值。IB的額定值是這兩個電流的平均值，即IB = (IB+ + IB–)/2。
通常，有效RS值的變化范圍為100 kΩ(雙極性運算放大器)至1000 MΩ(某些FET輸入器件)。
圖4：測量輸入偏置電流
對于極低的輸入偏置電流，則必須采用積分技術(shù)來測量。具體方法是利用所考慮的偏置電流給電容充電，然后測量電壓變化速率。如果電容和一般電路泄露可以忽略不計(電流小于10 fA時，很難測量)，則可直接根據(jù)測試電路的輸出變化速率計算出該電流?；驹砣缦旅鎴D5所示。斷開一個開關(guān)，閉合另一個開關(guān)，可以分別測得IB+或IB–。
圖5：測量極低的偏置電流
很明顯，C只可使用高品質(zhì)的電容電介質(zhì)，如特氟龍或聚丙烯等類型。
參考文獻：
1. Hank Zumbahlen, Basic Linear Design, Analog Devices, 2006, ISBN: 0-915550-28-1. Also available as Linear Circuit Design Handbook, Elsevier-Newnes, 2008, ISBN-10: 0750687037, ISBN-13: 978-0750687034. Chapter 1.
2. Walter G. Jung, Op Amp Applications, Analog Devices, 2002, ISBN 0-916550-26-5, Also available as Op Amp Applications Handbook, Elsevier/Newnes, 2005, ISBN 0-7506-7844-5. Chapter 1.
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