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克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來(lái)電力電子應(yīng)用
隨著行業(yè)不斷探索解決方案，寬禁帶（WBG）材料，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），被視為解決之道。禁帶寬度描述了價(jià)帶頂部和導(dǎo)帶底部之間的能量差。硅的禁帶寬度相對(duì)較窄，為1.1電子伏特（eV），而SiC和GaN的禁帶寬度分別為3.3eV和3.4eV。
2024-10-26
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第7講：SiC單晶襯底加工技術(shù)
SiC單晶是一種硬而脆的材料，切片加工難度大，磨削精度要求高，因此晶圓制造是一個(gè)長(zhǎng)時(shí)間且難度較高的過(guò)程。本文介紹了幾種SiC單晶的切割加工技術(shù)以及近年來(lái)新出現(xiàn)的晶圓制備方法。
2024-10-23
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用Python自動(dòng)化雙脈沖測(cè)試
電力電子設(shè)備中使用的半導(dǎo)體材料正從硅過(guò)渡到寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體，比如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等半導(dǎo)體在更高功率水平下具有卓越的性能，被廣泛應(yīng)用于汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域中。由于工作電壓高，SiC技術(shù)正被應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)，而GaN則主要用作筆記本電腦、移動(dòng)設(shè)備和其他消費(fèi)設(shè)備的快速充電器。本文主要說(shuō)明的是寬禁帶FET的測(cè)試，但雙脈沖測(cè)試也可應(yīng)用于硅器件、MOSFET或IGBT中。
2024-10-23
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兆易創(chuàng)新GD32F30x STL軟件測(cè)試庫(kù)獲得德國(guó)萊茵TüV IEC 61508功能安全認(rèn)證
業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，其GD32F30x STL軟件測(cè)試庫(kù)獲得了德國(guó)萊茵TüV（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“TüV萊茵”）頒發(fā)的IEC 61508 SC3（SIL 2/SIL 3）功能安全認(rèn)證證書(shū)，這也是繼GD32H7 STL軟件測(cè)試庫(kù)之后再次獲得的此類(lèi)認(rèn)證，這意味著兆易創(chuàng)新在功能安全領(lǐng)域的布局已全面覆蓋了Arm? Cortex?-M7內(nèi)核高性能MCU和Arm? Cortex?-M4內(nèi)核主流型MCU的軟件測(cè)試庫(kù)，將為用戶(hù)在工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用提供更豐富的產(chǎn)品選擇。
2024-10-18
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芯科科技第三代無(wú)線(xiàn)開(kāi)發(fā)平臺(tái)引領(lǐng)物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展
致力于以安全、智能無(wú)線(xiàn)連接技術(shù)，建立更互聯(lián)世界的全球領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商Silicon Labs（亦稱(chēng)“芯科科技”），日前在首屆北美嵌入式世界展覽會(huì)（Embedded World North America）上發(fā)表了開(kāi)幕主題演講，公司首席執(zhí)行官M(fèi)att Johnson和首席技術(shù)官Daniel Cooley探討了人工智能（AI）如何推動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)（IoT）領(lǐng)域的變革，同時(shí)詳細(xì)介紹了芯科科技不斷發(fā)展的第二代無(wú)線(xiàn)開(kāi)發(fā)平臺(tái)所取得的持續(xù)成功以及即將推出的第三代無(wú)線(xiàn)開(kāi)發(fā)平臺(tái)。
2024-10-18
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MSO 4B 示波器為工程師帶來(lái)更多臺(tái)式功率分析工具
持續(xù)測(cè)量 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的性能可能是一項(xiàng)極具挑戰(zhàn)性的任務(wù)。隨著設(shè)計(jì)師努力從硅基電源轉(zhuǎn)換器過(guò)渡到碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導(dǎo)體，這些挑戰(zhàn)變得尤為棘手。電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等三相系統(tǒng)的設(shè)計(jì)師面臨更多復(fù)雜問(wèn)題。
2024-10-18
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第6講：SiC單晶生長(zhǎng)技術(shù)
高質(zhì)量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵，目前比較主流的生長(zhǎng)方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等，本文帶你了解以上三種SiC晶體生長(zhǎng)方法及其優(yōu)缺點(diǎn)。
2024-10-18
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意法半導(dǎo)體推出STM32微處理器專(zhuān)用高集成度電源管理芯片
意法半導(dǎo)體 STM32MP2 微處理器配套電源管理芯片STPMIC25 現(xiàn)已上市。新產(chǎn)品在一個(gè)便捷封裝內(nèi)配備 16 個(gè)輸出通道，可為MPU的所有電源軌以及系統(tǒng)外設(shè)供電，完成硬件設(shè)計(jì)僅需要少量的外部濾波和穩(wěn)定功能組件。評(píng)估板STEVAL-PMIC25V1現(xiàn)已上市，開(kāi)發(fā)者可立即開(kāi)始開(kāi)發(fā)應(yīng)用。
2024-10-18
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利用電容測(cè)試方法開(kāi)創(chuàng)鍵合線(xiàn)檢測(cè)新天地
鍵合線(xiàn)廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和微電子領(lǐng)域。它能夠?qū)⒓呻娐罚?span id="90jwzme" class='red'>IC）中的裸片與其他電子元器件（如晶體管和電阻器）進(jìn)行連接。鍵合線(xiàn)可在芯片的鍵合焊盤(pán)與封裝基板或另一塊芯片的相應(yīng)焊盤(pán)之間建立電氣連接。
2024-10-17
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意法半導(dǎo)體與高通達(dá)成無(wú)線(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)戰(zhàn)略合作
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM) 與高通公司旗下子公司高通技術(shù)國(guó)際有限公司（Qualcomm Technologies International, Ltd，簡(jiǎn)稱(chēng)QTI）近日宣布，雙方達(dá)成一項(xiàng)新的戰(zhàn)略協(xié)議，合作開(kāi)發(fā)基于邊緣 AI的下一代工業(yè)和消費(fèi)物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
2024-10-11
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貿(mào)澤電子發(fā)布全新電子書(shū) 深入探討電機(jī)控制設(shè)計(jì)上的挑戰(zhàn)
專(zhuān)注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布推出全新電子書(shū)，深入探討有關(guān)電機(jī)控制的話(huà)題。電機(jī)在許多產(chǎn)品中都發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，這些產(chǎn)品涵蓋汽車(chē)、冰箱、園藝工具、電梯和空調(diào)等。為了實(shí)現(xiàn)更加可持續(xù)的未來(lái)，電機(jī)控制所面臨的一大挑戰(zhàn)，就在于盡可能提高效率的同時(shí)掌握與成本間的平衡。
2024-10-11
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歐盟關(guān)于待機(jī)功耗的法規(guī)限制愈發(fā)嚴(yán)格：簡(jiǎn)單的新型電源IC能否滿(mǎn)足需求？
根據(jù)歐盟（EU）的研究，2015 年家用設(shè)備在關(guān)閉或待機(jī)模式下的年能耗估計(jì)為 59.4 TWh。這種電能浪費(fèi)導(dǎo)致了 2380 萬(wàn)噸二氧化碳當(dāng)量的溫室氣體的排放?，F(xiàn)在，設(shè)備制造商必須設(shè)計(jì)產(chǎn)品以將待機(jī)功耗控制在嚴(yán)格的限制范圍內(nèi)。但這并不總是一項(xiàng)復(fù)雜而昂貴的工作：正如本文所解釋?zhuān)贏C-DC電源轉(zhuǎn)換器中添加一個(gè)簡(jiǎn)單的 IC 就可以在設(shè)備插入時(shí)大幅節(jié)省功耗。
2024-10-11
- 意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開(kāi)發(fā)與制造協(xié)議
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