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還在用硅基器件做開關(guān)電源?是時候考慮eGaN了
本文首先介紹相比基于傳統(tǒng)硅 (Si) MOSFET 或 IGBT 的高頻電源,基于 eGaN 開關(guān)元器件的高頻電源優(yōu)勢。接著會介紹如何使用 EPC、Texas Instruments 和 Navitas Semiconductor的 eGaN 功率級來構(gòu)建適用于電池充電或服務(wù)器農(nóng)場等應用的 SMPS 設(shè)計。
2020-02-26
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IGBT 的工作原理是什么?
IGBT 的等效電路如圖1 所示。由圖1 可知,若在IGBT 的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓,則MOSFET 導通,這樣PNP 晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通;若IGBT 的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOSFET 截止,切斷PNP 晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。
2020-02-24
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分析IGBT短路保護電路的設(shè)計
固態(tài)電源的基本任務(wù)是安全、可靠地為負載提供所需的電能。對電子設(shè)備而言,電源是其核心部件。負載除要求電源能供應高質(zhì)量的輸出電壓外,還對供電系統(tǒng)的可靠性等提出更高的要求。
2020-02-24
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MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器電路的基本原理
從 MOSFET 技術(shù)和開關(guān)運行概述入手,詳細介紹接地參考和高側(cè)柵極驅(qū)動電路的設(shè)計流程,以及交流耦合和變壓器隔離解決方案。該報告還包含了一個特殊部分,專門介紹在同步整流器應用中 MOSFET 的柵極驅(qū)動應用的重要性。
2020-01-17
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一文解讀碳化硅功率器件的特點
功率半導體器件作為功率變換系統(tǒng)的核心器件,目前應用最多的仍舊是 IGBT,在很多時候還需要搭配合適的反向并聯(lián)二極管。
2020-01-08
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全面分析IGBT各種知識點
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡單講,是一個非通即斷的開關(guān)。
2019-12-03
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新型SiC功率模塊以之Si IGBT,在更小的封裝內(nèi)提供更高的功率密度
隨著包括發(fā)電、儲能和交通運輸在內(nèi)的眾多應用轉(zhuǎn)向電力驅(qū)動,需要構(gòu)建更高性能的電力轉(zhuǎn)換和控制系統(tǒng),推進以電力驅(qū)動的系統(tǒng)的未來發(fā)展。為此,對于更緊湊、更高功率密度和可高溫工作電源模塊的需求變得越來越大。
2019-11-08
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詳解隔離式柵極驅(qū)動器的重要特性
在功率電子(例如驅(qū)動技術(shù))中,IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制,其主要損耗產(chǎn)生于開關(guān)期間。
2019-09-29
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IGBT的開關(guān)頻率上限有多高?
首先,開關(guān)頻率是指IGBT在一秒鐘內(nèi)開關(guān)次數(shù)。而在確定的母線電壓和導通電流下,IGBT每次開關(guān)都會產(chǎn)生一定的損耗,開通損耗是Eon,關(guān)斷損耗是Eoff,還有二極管反向恢復也有損耗Erec。
2019-09-23
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一文看懂IGBT相關(guān)知識
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導體器件,其具有自關(guān)斷的特征。本文將為大家詳細介紹IGBT相關(guān)知識。
2019-08-12
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如何選擇一款合適的隔離式柵極驅(qū)動器?
在功率電子(例如驅(qū)動技術(shù))中,IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制,其主要損耗產(chǎn)生于開關(guān)期間。為了最大程度減小開關(guān)損耗,要求具備較短的開關(guān)時間。
2019-06-26
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詳解變頻器IGBT模塊的靜態(tài)測量
IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。
2019-05-16
- 克服碳化硅制造挑戰(zhàn),助力未來電力電子應用
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