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破解工業(yè)電池充電器難題:升壓or圖騰柱?SiC PFC拓?fù)溥x擇策略
工業(yè)設(shè)備電動(dòng)化浪潮下,電池充電器面臨嚴(yán)苛挑戰(zhàn):需兼容120-480V寬壓輸入,在震動(dòng)/粉塵/溫變等惡劣條件下實(shí)現(xiàn)高效供電,同時(shí)滿(mǎn)足尺寸重量極限壓縮與無(wú)風(fēng)扇散熱需求。本文聚焦PFC級(jí)核心設(shè)計(jì),對(duì)比升壓與圖騰柱拓?fù)涞膶?shí)戰(zhàn)優(yōu)劣,解析SiC MOSFET如何重構(gòu)工業(yè)充電器性能邊界。
2025-06-19
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高結(jié)溫IC設(shè)計(jì)避坑指南:5大核心挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)策略
在商業(yè)、工業(yè)及汽車(chē)電子領(lǐng)域,高溫環(huán)境對(duì)集成電路的性能、可靠性和安全性構(gòu)成嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。隨著應(yīng)用場(chǎng)景向極端溫度條件延伸,高結(jié)溫引發(fā)的漏電增加、壽命衰減等問(wèn)題日益凸顯,亟需通過(guò)創(chuàng)新設(shè)計(jì)技術(shù)突破技術(shù)瓶頸。本文將解析高溫對(duì)集成電路的深層影響,揭示高結(jié)溫帶來(lái)的五大核心挑戰(zhàn),并探討針對(duì)性的高功率設(shè)計(jì)解決方案。
2025-06-18
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高功率鍍膜新突破!瑞典Ionautics HiPSTER 25電源首次運(yùn)行
近日,瑞典 Ionautics 公司宣布其全新研發(fā)的 HiPSTER 25 緊湊型高性能高功率脈沖磁控濺射(HiPIMS)脈沖電源成功完成首次運(yùn)行。Ionautics 成立于 2010 年,長(zhǎng)期深耕于電離物理氣相沉積領(lǐng)域, HiPSTER 25提供高達(dá) 25kW 功率,不僅重新定義了行業(yè)高效運(yùn)行模式,還極大提升了性能與能量效率。
2025-06-13
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安森美SiC Cascode技術(shù):共源共柵結(jié)構(gòu)深度解析
碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET)相比其他競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢(shì),特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻(稱(chēng)為RDS.A)。為了實(shí)現(xiàn)最低的RDS.A,需要權(quán)衡的一點(diǎn)是其常開(kāi)特性,這意味著如果沒(méi)有柵源電壓,或者JFET的柵極處于懸空狀態(tài),那么JFET將完全導(dǎo)通。
2025-06-12
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低排放革命!貿(mào)澤EIT系列聚焦可持續(xù)技術(shù)突破
全球電子元器件及工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商——貿(mào)澤電子(Mouser Electronics),近日發(fā)布了其Empowering Innovation Together (EIT) 技術(shù)系列的新一期內(nèi)容《低排放、再利用、重塑未來(lái)的技術(shù)》。本期EIT系列專(zhuān)注于探索那些能夠改善環(huán)境的清潔技術(shù),并提供面向未來(lái)的創(chuàng)新工程解決方案,旨在通過(guò)技術(shù)革新推動(dòng)可持續(xù)發(fā)展的進(jìn)程。
2025-06-11
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集成化柵極驅(qū)動(dòng)IC對(duì)多電平拓?fù)潆妷壕獾钠平饴窂?/a>
在新能源汽車(chē)主驅(qū)模塊(如800V平臺(tái))中,多電平拓?fù)渫ㄟ^(guò)串聯(lián)開(kāi)關(guān)器件實(shí)現(xiàn)高壓階梯化處理,但分立式驅(qū)動(dòng)方案面臨兩大核心挑戰(zhàn)。
2025-06-10
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挑戰(zhàn)極限溫度:高溫IC設(shè)計(jì)的環(huán)境溫度與結(jié)溫攻防戰(zhàn)
在汽車(chē)引擎艙的200℃熱浪中,或在深地鉆探設(shè)備的極限工況下,集成電路(IC)的‘心臟’——半導(dǎo)體結(jié)溫正面臨前所未有的挑戰(zhàn)。環(huán)境溫度與結(jié)溫的差值每擴(kuò)大10℃,芯片壽命可能縮短一半。安森美(onsemi)的Treo平臺(tái)的創(chuàng)新設(shè)計(jì)證明:通過(guò)材料革新(如SiC/GaN)與動(dòng)態(tài)熱管理,高溫IC的可靠性可提升3倍以上。本文將揭示環(huán)境溫度如何‘傳導(dǎo)’為結(jié)溫危機(jī),并拆解工業(yè)級(jí)解決方案的底層邏輯。
2025-06-09
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ST&高通ST67W611M1模塊量產(chǎn):Siana案例驗(yàn)證交鑰匙方案提速無(wú)線開(kāi)發(fā)
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)與高通技術(shù)公司(Qualcomm Technologies)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手開(kāi)發(fā)的集成式Wi-Fi 6和藍(lán)牙5.4二合一模塊ST67W611M1,現(xiàn)已正式進(jìn)入量產(chǎn)階段。這標(biāo)志著雙方合作的“交鑰匙”無(wú)線連接解決方案邁入商業(yè)化新里程。與此同時(shí),重要客戶(hù)Siana采用該模塊的設(shè)計(jì)項(xiàng)目已宣告成功落地,顯著縮短了其無(wú)線產(chǎn)品的研發(fā)周期。
2025-06-05
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貿(mào)澤電子上線機(jī)器人資源中心:賦能工程師探索智能自動(dòng)化未來(lái)
貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)今日上線機(jī)器人技術(shù)資源中樞——集成12大開(kāi)發(fā)模塊與200+工業(yè)級(jí)解決方案的開(kāi)放平臺(tái),直擊AI自動(dòng)化系統(tǒng)開(kāi)發(fā)痛點(diǎn)。 該平臺(tái)深度解析手術(shù)機(jī)器人精密控制算法、工業(yè)機(jī)械臂實(shí)時(shí)運(yùn)動(dòng)規(guī)劃等場(chǎng)景化案例,提供從TI毫米波雷達(dá)建圖方案到NVIDIA Jetson邊緣AI部署的完整工具鏈,助力工程師將開(kāi)發(fā)周期壓縮40%,為醫(yī)療、制造等關(guān)鍵領(lǐng)域構(gòu)建符合ISO 13849功能安全的機(jī)器人系統(tǒng)。
2025-06-03
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高/低電平復(fù)位電路的底層邏輯與實(shí)戰(zhàn)陷阱
在嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,復(fù)位電路的極性選擇直接決定設(shè)備上電穩(wěn)定性。據(jù)統(tǒng)計(jì),23%的硬件故障源于復(fù)位信號(hào)異常(數(shù)據(jù)來(lái)源:2024 IEEE ICET),而高/低電平復(fù)位方案在電路結(jié)構(gòu)、抗噪能力、芯片適配性等方面存在本質(zhì)差異。本文通過(guò)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)揭示兩種設(shè)計(jì)的深層邏輯。
2025-06-03
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意法半導(dǎo)體攜邊緣人工緣智能方案重磅登陸新加坡半導(dǎo)體展會(huì)
全球半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST)于2025年5月20日至22日亮相東南亞國(guó)際半導(dǎo)體展會(huì)(展位號(hào)L1901),圍繞“邊緣人工智能與自動(dòng)化解決方案”主題,向業(yè)界展示其針對(duì)智能工業(yè)、智慧城市等場(chǎng)景的技術(shù)創(chuàng)新。作為服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè),ST此次參展凸顯其對(duì)東南亞市場(chǎng)數(shù)字化轉(zhuǎn)型需求的精準(zhǔn)把握。
2025-05-30
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運(yùn)動(dòng)追蹤+沖擊檢測(cè)雙感知!意法半導(dǎo)體微型AI傳感器開(kāi)啟智能設(shè)備新維度
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)推出業(yè)界首款集成運(yùn)動(dòng)追蹤與高重力沖擊測(cè)量的微型AI慣性測(cè)量單元(IMU),采用3.3mm×2.8mm緊湊封裝。該傳感器支持沖擊檢測(cè)精度與動(dòng)態(tài)角度解析,可精準(zhǔn)重構(gòu)智能設(shè)備運(yùn)動(dòng)軌跡與沖擊事件,適配移動(dòng)設(shè)備、可穿戴設(shè)備、消費(fèi)醫(yī)療產(chǎn)品以及智能家居、智能工業(yè)和智能駕駛設(shè)備等場(chǎng)景,推動(dòng)消費(fèi)電子、醫(yī)療監(jiān)護(hù)及工業(yè)4.0設(shè)備邁向高可靠感知新階段。
2025-05-22
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