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專為射頻天線與通信ESD保護而設(shè)計的TVS二極管
Infineon推出新一代用于近場通信的ESD/射頻保護TVS二極管。半導(dǎo)體芯片尺寸的縮小和摻雜水平的提高,導(dǎo)致半導(dǎo)體芯片的薄柵極氧化層和PN結(jié)的寬度大幅降低。與更多的電路結(jié)合在一起,這可提高半導(dǎo)體芯片的ESD敏感度。
2013-01-15
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如何保護你的iphone,ipad免受ESD損害
現(xiàn)代電子產(chǎn)品如智能手機,平板等給我們生活帶來了極大地方便,但同時其中的芯片組屬于技術(shù)集成度高,易受損害的部分,針對此現(xiàn)象,Littelfuse近期推出兩款新TVS產(chǎn)品,可以保護消費電子產(chǎn)品的鍵盤、按鍵、開關(guān)和低速輸入/輸出接口免受靜電放電的損害,具有能夠為技術(shù)尖端的芯片組提供更卓越的保護等優(yōu)點,如此設(shè)計,即可以保護你的愛機更安全。
2013-01-15
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詳解各類電阻特性與應(yīng)用
隨著應(yīng)用的普及,晶片電阻具有越來越重要的作用。主要參數(shù)包括ESD保護、熱電動勢 (EMF)、電阻熱系數(shù) (TCR)、自熱性、長期穩(wěn)定性、功率系數(shù)和噪聲等。
2013-01-12
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保護高速數(shù)據(jù)線敏感芯片組免受任何外部ESD破壞的TVS產(chǎn)品
遠(yuǎn)比任何同類競爭設(shè)備更低的箝位電壓,可保護高速數(shù)據(jù)線的敏感芯片組免受任何外部ESD(靜電放電)的破壞,超低電容(0.5pF),在提供強大ESD保護的同時將信號損失降到最低并維持系統(tǒng)性能,如此多的性能優(yōu)點集中到一款產(chǎn)品上,確實讓人驚嘆。一起了解一下新型低電容ESD保護TVS產(chǎn)品SP3012-06UTG。
2013-01-11
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如何選型壓敏電阻
壓敏電阻屬于關(guān)鍵器件,如何正確的選擇壓敏電阻,要從哪些方面去考慮?對信號傳輸線路,進行ESD防護。
2013-01-11
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ESD的保護方法
ESD保護元件的對比分析及大電流性能鑒定。為了給電子系統(tǒng)提供ESD保護,可以從不同的角度來著手。一種方法是在半導(dǎo)體芯片內(nèi)建ESD保護架構(gòu)。不過,日趨縮小的CMOS芯片已經(jīng)越來越不足以承受進行內(nèi)部2 kV等級的ESD保護所需要的面積。
2013-01-10
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新TVS發(fā)布,箝位電壓比同類產(chǎn)品低80%
Littelfuse公司新推出兩款TVS產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于便攜式消費電子產(chǎn)品,與同類型產(chǎn)品相比,箝位電壓更低,ESD保護能力更強,空間更節(jié)省,同時降低了漏電的可能性。
2013-01-09
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可為集成電路提供更有效的ESD保護的二極管數(shù)組
LIttelfuse瞬態(tài)抑制二極管數(shù)組提供更卓越的芯片保護。并進一步擴展其 SP1005 和 SP1007 系列通用型瞬態(tài)抑制(TVS)二極管數(shù)組(SPA組件)產(chǎn)品陣容。
2013-01-09
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如何對以太網(wǎng)端口做最佳保護
電子產(chǎn)品的威脅及以太網(wǎng)絡(luò)的保護。設(shè)計人員使用保護器去維護設(shè)備的可靠性,以對抗包括:Lighting Induced Surges、ESD (Electrostatic Discharge)、EFT(Electrical Fast Transient)及CDE(Cable Discharge Event)在內(nèi)的4種主要威脅。
2013-01-08
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防護ESD的新方案
防護ESD現(xiàn)象可用電路或元件集成來進行改善,但目前在電子電路縮小化的趨勢下,傳統(tǒng)防護ESD可用PCB走線或電子元件改善的應(yīng)用方針,目前已經(jīng)相對不適用,反而是采取集成型的TVS元件來因應(yīng)ESD防護需求,漸成為常見的設(shè)計形式。
2013-01-08
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擁有40A的較高浪涌額定值,2.0pF的較低負(fù)載電容的TVS發(fā)布
Littelfuse公司今天宣布推出新系列的瞬態(tài)抑制二極管陣列(SPA器件)。經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計的該系列產(chǎn)品可用于保護VDSL和VDSL2等電信接口免受破壞。 每個SR70系列的瞬態(tài)抑制二極管陣列都由四個低電容軌到軌式二極管組成,能夠有效保護設(shè)備免受靜電放電(ESD)和雷擊導(dǎo)致的浪涌現(xiàn)象的破壞。 功能強大的SR70系列能夠在±30kV條件下安全地吸收高達40A(tP=8/20μs)的浪涌電流和反復(fù)性ESD震擊,且性能不會下降。
2013-01-08
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可免受任何外部ESD破壞的新型低電容保護組件
Littelfuse發(fā)表新型低電容ESD保護SPA組件,可保護高速數(shù)據(jù)線的敏感芯片組免受任何外部ESD (靜電放電)的破壞。
2013-01-06
- 意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議
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