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晶閘管和IGBT功率開關器件的保護作用對比
由于晶閘管自身特性參數(shù)的原因，其極限工作頻率一般限制在8KC以下，對于更高頻率的使用要求，目前國內已經(jīng)出現(xiàn)采用IGBT作為功率開關元件的超音頻電源。目前的使用情況看，采用IGBT作為開關元件的靜止變頻電源的故障率明顯較低，元器件損壞的較少，維修費用也較低，是靜止變頻技術新的發(fā)展方向。
2013-01-08
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變頻器
變頻器是利用電力半導體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置。我們現(xiàn)在使用的變頻器主要采用交—直—交方式（VVVF變頻或矢量控制變頻），先把工頻交流電源通過整流器轉換成直流電源，然后再把直流電源轉換成頻率、電壓均可控制的交流電源以供給電動機。變頻器的電路一般由整流、中間直流環(huán)節(jié)、逆變和控制4個部分組成。整流部分為三相橋式不可控整流器，逆變部分為IGBT三相橋式逆變器，且輸出為PWM波形，中間直流環(huán)節(jié)為濾波、直流儲能和緩沖無功功率。
2013-01-07
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IGBT產品市場現(xiàn)狀分析
雖然長期來看，IGBT的增長前景很樂觀，是一個值得期待的市場，可是到目前為止IGBT的核心技術和產業(yè)為大多數(shù)歐美IDM半導體廠商所掌控，本土廠商想要打破國外企業(yè)對國內IGBT市場壟斷，還需要很多努力。
2013-01-06
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從過流、過壓、過熱三方面講述IGBT保護電路如何設計
本文從過流保護、過壓保護與過熱保護三個方面，論述了IGBT的相關問題，并從實際應用中總結出各種保護方法，這些方法實用性強，保護效果好，是IGBT保護電路設計必備知識。
2013-01-05
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能實現(xiàn)調頻調幅輸出的串聯(lián)諧振式電源
本文介紹了用正弦脈寬調制（SPWM）技術實現(xiàn)調頻調幅輸出的串聯(lián)諧振式電源的工作原理。該電源采用了IGBT模塊構成的半橋逆變電路，它具有IGBT驅動、過壓、過流、過熱保護及故障鎖定功能。
2012-12-13
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大功率開關電源IGBT短路保護的三種設計方法
開關電源同其它電子裝置一樣，短路是最嚴重的故障，短路保護是否可靠，是影響開關電源可靠性的重要因素。而大功率的開關電源大多都是用的IGBT這種電力電子開關元器件，要防止整個開關電源的的短路，那就要在IGBT短路保護安全的情況下保證開關電源的正常運作。
2012-12-02
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1200V IGBT技術平臺，提供適合工業(yè)應用的基準效率
IR 推出第八代 1200V IGBT技術平臺，新技術針對電機驅動應用提供更好的軟關斷功能，有助于把dv/dt降到最低，從而減少電磁干擾、抑制過壓，提供適合工業(yè)應用的基準效率和耐用性。
2012-11-20
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安森美推出系列的高性能工業(yè)應用IC新產品
安森美半導體擴充高性能工業(yè)IC的廣泛產品陣容，先進全新的VLDO、GFI控制器、KNX收發(fā)器及IGBT方案彰顯公司的產品陣容實力和深度。高能效創(chuàng)新的安森美半導體持續(xù)推動高性能工業(yè)集成電路(IC)方案的電源管理。最新器件提供高度強固性，應用于寬工作溫度范圍，性能突出，同時以極低能耗工作。
2012-11-16
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利用DC/DC電源并聯(lián)技術設計大功率直流電源
隨著電力電子技術的發(fā)展，很多場合需要大功率大電流的直流電源。本文基于IGBT器件，利用DC/DC電源并聯(lián)技術設計大功率直流電源。該電源可用作EAST托卡馬克裝置中的大功率垂直位移快速控制直流電源。對該電源裝置進行了仿真和實驗，獲得了較為滿意的動靜態(tài)性能。
2012-11-12
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9款高能效溝槽型場截止IGBT
安森美擴充高性能溝槽型場截止IGBT陣容，推出9款新的高能效方案。這些新器件提升系統(tǒng)總體開關能效，降低功率耗散，且提升系統(tǒng)可靠性，能為工程師在應用其電源系統(tǒng)設計時提供更豐富的選擇。
2012-11-11
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安森美半導體新增九種高性能溝槽型場截止IGBT
安森美半導體擴充NGBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場截止(FS) 絕緣門雙極晶體管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案，提升系統(tǒng)總體開關能效，降低功率耗散，且提升系統(tǒng)可靠性，這些產品中包含專門針對太陽能及不間斷電源(UPS)應用高性能電源轉換的器件。
2012-10-25
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英飛凌擴展第三代逆導IGBT產品組合
英飛凌科技股份有限公司擴展其第三代逆導 （RC） 軟切換絕緣閘雙極性電晶體 （IGBT） 產品系列，推出 30A和40A電流的1200V 和1350V型產品，以因應市場對高可靠性的持續(xù)需求。
2012-10-25
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