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560V輸入、無光隔離反激式轉(zhuǎn)換器
在傳統(tǒng)的隔離式高壓反激式轉(zhuǎn)換器中，使用光耦合器將穩(wěn)壓信息從副邊基準(zhǔn)電壓源電路傳輸?shù)匠跫墏?cè)，從而實(shí)現(xiàn)嚴(yán)格的穩(wěn)壓。問題在于，光耦合器大大增加了隔離設(shè)計的復(fù)雜性：存在傳播延遲、老化和增益變化，所有這些都使電源環(huán)路補(bǔ)償復(fù)雜化，并可能降低可靠性。此外，在啟動期間，需要泄放電阻或高壓啟動電路來初始為IC上電。除非在啟動元件上增加額外的高壓MOSFET，否則泄放電阻器是造成不受歡迎的功率損耗的來源。
2023-04-25
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Auto Accessories以及BMS的保護(hù)設(shè)計
隨著汽車功能的豐富，USB2.0/3.0、電源輸入口、按鍵、SD卡槽等被廣泛應(yīng)用。由于以下幾點(diǎn)，ESD、突入電流、拋負(fù)載以及負(fù)載短路等成為了硬件設(shè)計人員關(guān)注要點(diǎn)。例如，干燥季節(jié)，靜電通過這些接口破壞IC或設(shè)備中的任何其他ESD敏感器件；設(shè)備電源的開關(guān)，汽車啟停以及人員的誤操作等產(chǎn)生的突入電流對電路構(gòu)成威脅，導(dǎo)致某些部件故障的發(fā)生等。另外，針對BMS系統(tǒng)，電路過電流、鋰電池過電流和電路EFT/尖峰均可能會損壞電路中的電子器件。
2023-04-24
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超共源共柵簡史
盡管寬帶隙半導(dǎo)體已在功率開關(guān)應(yīng)用中略有小成，但在由 IGBT 占主導(dǎo)的高電壓/高功率領(lǐng)域仍未有建樹。然而，使用 SiC FET 的 “超共源共柵” 將打破現(xiàn)有局面。讓我們一起來了解超共源共柵的歷史，并探討如何將其重新用于優(yōu)化現(xiàn)代設(shè)計。
2023-04-24
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SiC MOSFET的短溝道效應(yīng)
Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應(yīng)、Vth滯回效應(yīng)、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能給大家?guī)砀嘤袃r值的信息。今天我們著重看下第一部分——短溝道效應(yīng)。
2023-04-24
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OBC充電器中的SiC FET封裝小巧，功能強(qiáng)大
EV 車載充電器和表貼器件中的半導(dǎo)體電源開關(guān)在使用 SiC FET 時，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)數(shù)萬瓦特的功率。我們將了解一些性能指標(biāo)。
2023-04-23
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貿(mào)澤電子擴(kuò)充智慧農(nóng)業(yè)資源中心助力相關(guān)應(yīng)用設(shè)計
2023年4月21日 – 業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 為工程師和農(nóng)業(yè)技術(shù)人員提供方便瀏覽的資源庫，重點(diǎn)關(guān)注農(nóng)業(yè)領(lǐng)域的動態(tài)發(fā)展和技術(shù)。從機(jī)器人解決方案到嵌入式系統(tǒng)，貿(mào)澤內(nèi)容全面的智慧農(nóng)業(yè)資源中心讓用戶能夠接觸到眾多創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案，進(jìn)一步推動農(nóng)業(yè)走向未來。貿(mào)澤提供豐富多樣的文章、博客、產(chǎn)品資料、電子書等，帶您探索智慧城市中的垂直農(nóng)業(yè)、數(shù)據(jù)融合和建造智能溫室等主題。
2023-04-21
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E-RSSI技術(shù)助力更精確的短距離測距應(yīng)用
RSSI是Received Signal Strength Indicator（接收信號強(qiáng)度指示器）的縮寫，用于測量接收到的信號強(qiáng)度。在低功耗藍(lán)牙設(shè)備中，RSSI也具有重要的作用。
2023-04-19
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是時候從Si切換到SiC了嗎？
在過去的幾年里，碳化硅(SiC)開關(guān)器件，特別是SiC MOSFET，已經(jīng)從一個研究課題演變成一個重要的商業(yè)化產(chǎn)品。最初是在光伏（PV）逆變器和電池電動車（BEV）驅(qū)動系統(tǒng)中采用，但現(xiàn)在，越來越多的應(yīng)用正在被解鎖。在使用電力電子器件的設(shè)備和系統(tǒng)設(shè)計中都必須評估SiC在系統(tǒng)中可能的潛力，以及利用這一潛力的最佳策略是什么。那么，你從哪里開始呢？
2023-04-18
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納芯微隔離和驅(qū)動技術(shù)為SiC+800V電驅(qū)動賦能
當(dāng)前，以新能源汽車為代表的新興汽車正在迅速替代傳統(tǒng)的燃油車，雖然新能源汽車正在成為更多人的選擇，但毋庸置疑，它在消費(fèi)者體驗(yàn)方面仍有痛點(diǎn)，一是充電不方便或充電比較慢，二是續(xù)航里程不夠。
2023-04-18
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RS瑞森半導(dǎo)體在汽車充電樁上的應(yīng)用
充電樁按照技術(shù)分類，可分為交流充電樁也叫“慢充”，直流充電樁也叫“快充”，隨著我國新能源汽車市場的不斷擴(kuò)大，充電樁市場的發(fā)展前景也更加廣闊。目前充電樁的母線電壓范圍通常為400V～700V，但隨著快速充電的需求不斷增加，整個電壓平臺都會向 800～1000V以上提升，電壓等級提升的同時也凸顯了SiC功率器件的優(yōu)勢。
2023-04-18
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貿(mào)澤聯(lián)手Apex推出全新電子書，探索高可靠性設(shè)計中的挑戰(zhàn)與難點(diǎn)
2023年4月14日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Apex Microtechnology聯(lián)手推出全新電子書《An Engineer’s Guide to High Reliability Components》（面向工程師的高可靠性元件指南），探索高可靠性元件設(shè)計中的挑戰(zhàn)和細(xì)節(jié)。書中，來自Apex Microtechnology的主題專家深入探討了高可靠性設(shè)計中的諸多難點(diǎn)。該書共收錄了五篇詳細(xì)的文章，分別介紹了熱管理、密封封裝和碳化硅等主題。
2023-04-14
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什么是混合信號 IC 設(shè)計？
在之前的文章中，我們討論了需要具有高輸入阻抗的放大器才能成功地從壓電傳感元件中提取加速度信息。對于一些壓電加速度計，放大器內(nèi)置在傳感器外殼中?，F(xiàn)代 IC 通常由來自各個領(lǐng)域的元素組成。還有各種片上系統(tǒng) (SoC) 和系統(tǒng)級封裝 (SiP) 技術(shù)，包括單個 IC 上的每個 IC 設(shè)計域，或包含各種半導(dǎo)體工藝和子 IC 的封裝。
2023-04-13
- 面向新太空應(yīng)用的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
- 使用功率分析儀測量和分析電抗器（電感器）的方法
- 聊一聊步進(jìn)電機(jī)的幾件事
- Sensirion 推出新一代甲醛傳感器 SFA40
- Supermicro追加推出新型高性能Intel架構(gòu)X14服務(wù)器
- TDK推出適合800V總線電壓應(yīng)用的CeraLink片式電容器
- 大聯(lián)大世平集團(tuán)推出以旗芯微產(chǎn)品為核心的新能源汽車e-Compressor空壓機(jī)方案
- 歐盟關(guān)于待機(jī)功耗的法規(guī)限制愈發(fā)嚴(yán)格：簡單的新型電源IC能否滿足需求？
- 貿(mào)澤電子發(fā)布全新電子書 深入探討電機(jī)控制設(shè)計上的挑戰(zhàn)
- 艾邁斯歐司朗ALIYOS? LED-on-foil技術(shù)重新定義汽車照明 兼顧前沿設(shè)計與便捷功能性
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- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
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- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
