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貿(mào)澤電子為設(shè)計(jì)工程師提供豐富多樣的技術(shù)電子書
專注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 發(fā)布了三本與設(shè)計(jì)相關(guān)的新電子書，深入開展一系列技術(shù)探討，包括城市空中運(yùn)輸電動(dòng)交通工具的未來(lái)、車隊(duì)遠(yuǎn)程信息處理設(shè)計(jì)，以及下一代系統(tǒng)架構(gòu)的進(jìn)展。
2023-07-18
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PFC電路：死區(qū)時(shí)間理想值的考量
由于該電路是進(jìn)行同步整流工作的電路，所以我們通過仿真來(lái)探討高邊（HS）和低邊（LS）SiC MOSFET SCT2450KE的死區(qū)時(shí)間理想值，即不直通的最短時(shí)間。死區(qū)時(shí)間可以通過仿真工具的PWM控制器參數(shù)TD1（HS）和TD2（LS）來(lái)分別設(shè)置。
2023-07-18
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計(jì)算DC-DC補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的分步過程
本文旨在幫助設(shè)計(jì)人員了解DC-DC補(bǔ)償?shù)墓ぷ髟?、補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的必要性以及如何使用正確的工具輕松獲得有效的結(jié)果。該方法使用LTspice?中的一個(gè)簡(jiǎn)單電路，此電路基于電流模式降壓轉(zhuǎn)換器的一階（線性）模型1。使用此電路，無(wú)需執(zhí)行復(fù)雜的數(shù)學(xué)計(jì)算即可驗(yàn)證補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)值。
2023-07-17
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絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)簡(jiǎn)史
盡管人們對(duì)寬帶隙(WBG)功率半導(dǎo)體器件感到興奮，但硅基絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)在今天比以往任何時(shí)候都更加重要。在我們10月份發(fā)布的電動(dòng)汽車電力電子報(bào)告[2]中，TechInsights預(yù)測(cè)，xEV輕型汽車動(dòng)力總成的產(chǎn)量將從2020年的910萬(wàn)增長(zhǎng)到2026年的4310萬(wàn)，這使得其復(fù)合年增長(zhǎng)率(CAGR)達(dá)到25%。SiC MOSFET目前預(yù)計(jì)占市場(chǎng)的約26%，到2029年預(yù)計(jì)將占市場(chǎng)份額的50%。
2023-07-16
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安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 靜態(tài)特性分析
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥栴}已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對(duì)它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器）的使用指南。本文為第一部分，將重點(diǎn)介紹安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的靜態(tài)特性。
2023-07-13
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Amphenol安費(fèi)諾煥新發(fā)布ExaMAX2? Gen2，解放AI硬件算力效能！
中國(guó)上海，2023年7月11日——全球連接器領(lǐng)先企業(yè)Amphenol安費(fèi)諾在2023 electronica China慕尼黑上海電子展宣布重磅推出煥新產(chǎn)品ExaMAX2? Gen2。作為ExaMAX2? 系列的增強(qiáng)版，ExaMAX2? Gen2較上一代在性能方面有了顯著改進(jìn)。此次升級(jí)將使ExaMAX2? 連接器在信號(hào)完整性（包括反射和隔離）方面成為性能最佳的112G連接器之一。
2023-07-13
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SiC功率模塊中的NTC溫度傳感器解析
大多數(shù)功率模塊包含一個(gè)NTC溫度傳感器，通常它是一個(gè)負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻，隨著溫度的增加其電阻會(huì)降低。因?yàn)槠涑杀据^低，NTC熱敏電阻可以作為功率模塊溫度測(cè)量和過溫保護(hù)的器件，但是其它器件如PTC正溫度系數(shù)電阻是更適合用來(lái)做具體的溫度控制應(yīng)用。使用溫度傳感器的信息相對(duì)比較容易，但是需要注意系統(tǒng)內(nèi)涉及到安全的考慮。
2023-07-12
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采用SiC MOSFET的高性能逆變焊機(jī)設(shè)計(jì)要點(diǎn)
近年來(lái)，為了更好地實(shí)現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產(chǎn)品，因此，關(guān)于焊機(jī)能效的強(qiáng)制性規(guī)定應(yīng)運(yùn)而生。經(jīng)改進(jìn)的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200V采用基于.XT擴(kuò)散焊技術(shù)的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設(shè)計(jì)方法通過改良設(shè)計(jì)提高了能效和功率密度。
2023-07-11
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西部電博會(huì)開幕倒計(jì)時(shí)！超強(qiáng)劇透來(lái)了，這些值得打卡！
作為國(guó)家集成電路重大生產(chǎn)力布局的重要一極，四川省已基本形成IC設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、材料裝備等較為完整的產(chǎn)業(yè)體系。為全面落實(shí)成渝地區(qū)雙城經(jīng)濟(jì)圈建設(shè)重大戰(zhàn)略部署，川渝兩地抓住集成電路產(chǎn)業(yè)關(guān)聯(lián)度較高、互補(bǔ)性較強(qiáng)的基礎(chǔ)，通過建機(jī)制、搭平臺(tái)、強(qiáng)聯(lián)動(dòng)，推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展，積極打造國(guó)家重要集成電路產(chǎn)業(yè)備份基地。
2023-07-11
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用于車載充電器應(yīng)用的1200 V SiC MOSFET模塊使用指南
隨著電動(dòng)汽車的車載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開關(guān)頻率發(fā)展，對(duì) SiC MOSFET 的需求也在增長(zhǎng)。許多高壓分立 SiC MOSFET 已經(jīng)上市，工程師也在利用它們的性能優(yōu)勢(shì)設(shè)計(jì) OBC 系統(tǒng)。要注意的是，PFC 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的變化非常顯著。設(shè)計(jì)人員正在采用基于 SiC MOSFET 的無(wú)橋 PFC 拓?fù)?，因?yàn)樗兄吭降拈_關(guān)性能和較小的反向恢復(fù)特性。眾所周知，使用 SiC MOSFET 模塊可提供電氣和熱性能以及功率密度方面的優(yōu)勢(shì)。
2023-07-10
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串行器應(yīng)用之如何將攝像頭的RGB或YUV輸出轉(zhuǎn)換成RGB數(shù)據(jù)？
串行器可以連接并控制攝像頭IC，ADI的這類器件包括MAX9257 (帶有半雙工UART/I2C控制通道)、MAX9259和MAX9263 (兩款均帶有全雙工同步控制通道)，MAX9263還支持寬帶數(shù)字內(nèi)容保護(hù)(HDCP)。本應(yīng)用筆記介紹如何將攝像頭的RGB或YUV輸出轉(zhuǎn)換成標(biāo)準(zhǔn)顯示器接受的RGB數(shù)據(jù)。
2023-07-10
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SiC Traction模塊的可靠性基石AQG324
前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在襯底和外延的概況，同時(shí)也分享了安森美在器件開發(fā)的一些特點(diǎn)和進(jìn)展。到這里大家對(duì)于SiC的產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)有一定的了解了。也就是從襯底到芯片，對(duì)于一個(gè)SiC功率器件來(lái)說只是完成了一半的工作，還有剩下一半就是這次我們要分享的封裝。好的封裝才能把SiC的性能發(fā)揮出來(lái)，這次我們會(huì)從AQG324這個(gè)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的角度來(lái)看芯片和封裝的開發(fā)與驗(yàn)證。
2023-07-10
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