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具有更高效率與優(yōu)勢的碳化硅技術(shù)
碳化硅（SiC）技術(shù)具有比傳統(tǒng)的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等技術(shù)具有更多優(yōu)勢，包括更高的開關頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進而可以實現(xiàn)更高的功率密度、可靠性和效率。本文將為您介紹SiC的發(fā)展趨勢與在儲能系統(tǒng)（ESS）上的應用，以及由Wolfspeed推出的SiC電源解決方案。
2023-07-19
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貿(mào)澤電子第六次斬獲Molex年度全球優(yōu)質(zhì)服務代理商獎
2023年7月19日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) ，宣布榮獲全球電子產(chǎn)品知名企業(yè)和連接創(chuàng)新者Molex頒發(fā)的2022年度全球優(yōu)質(zhì)服務（目錄）代理商獎。這也是貿(mào)澤第六次斬獲這一全球知名獎項，貿(mào)澤憑借2022年度全球客戶數(shù)大幅增長，以及增速迅猛的銷售業(yè)績而獲此殊榮。
2023-07-19
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貿(mào)澤電子為設計工程師提供豐富多樣的技術(shù)電子書
專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 發(fā)布了三本與設計相關的新電子書，深入開展一系列技術(shù)探討，包括城市空中運輸電動交通工具的未來、車隊遠程信息處理設計，以及下一代系統(tǒng)架構(gòu)的進展。
2023-07-18
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PFC電路：死區(qū)時間理想值的考量
由于該電路是進行同步整流工作的電路，所以我們通過仿真來探討高邊（HS）和低邊（LS）SiC MOSFET SCT2450KE的死區(qū)時間理想值，即不直通的最短時間。死區(qū)時間可以通過仿真工具的PWM控制器參數(shù)TD1（HS）和TD2（LS）來分別設置。
2023-07-18
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計算DC-DC補償網(wǎng)絡的分步過程
本文旨在幫助設計人員了解DC-DC補償?shù)墓ぷ髟?、補償網(wǎng)絡的必要性以及如何使用正確的工具輕松獲得有效的結(jié)果。該方法使用LTspice?中的一個簡單電路，此電路基于電流模式降壓轉(zhuǎn)換器的一階（線性）模型1。使用此電路，無需執(zhí)行復雜的數(shù)學計算即可驗證補償網(wǎng)絡值。
2023-07-17
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絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)簡史
盡管人們對寬帶隙(WBG)功率半導體器件感到興奮，但硅基絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)在今天比以往任何時候都更加重要。在我們10月份發(fā)布的電動汽車電力電子報告[2]中，TechInsights預測，xEV輕型汽車動力總成的產(chǎn)量將從2020年的910萬增長到2026年的4310萬，這使得其復合年增長率(CAGR)達到25%。SiC MOSFET目前預計占市場的約26%，到2029年預計將占市場份額的50%。
2023-07-16
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安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 靜態(tài)特性分析
SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅(qū)動條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動器）的使用指南。本文為第一部分，將重點介紹安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的靜態(tài)特性。
2023-07-13
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Amphenol安費諾煥新發(fā)布ExaMAX2? Gen2，解放AI硬件算力效能！
中國上海，2023年7月11日——全球連接器領先企業(yè)Amphenol安費諾在2023 electronica China慕尼黑上海電子展宣布重磅推出煥新產(chǎn)品ExaMAX2? Gen2。作為ExaMAX2? 系列的增強版，ExaMAX2? Gen2較上一代在性能方面有了顯著改進。此次升級將使ExaMAX2? 連接器在信號完整性（包括反射和隔離）方面成為性能最佳的112G連接器之一。
2023-07-13
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SiC功率模塊中的NTC溫度傳感器解析
大多數(shù)功率模塊包含一個NTC溫度傳感器，通常它是一個負溫度系數(shù)熱敏電阻，隨著溫度的增加其電阻會降低。因為其成本較低，NTC熱敏電阻可以作為功率模塊溫度測量和過溫保護的器件，但是其它器件如PTC正溫度系數(shù)電阻是更適合用來做具體的溫度控制應用。使用溫度傳感器的信息相對比較容易，但是需要注意系統(tǒng)內(nèi)涉及到安全的考慮。
2023-07-12
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采用SiC MOSFET的高性能逆變焊機設計要點
近年來，為了更好地實現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產(chǎn)品，因此，關于焊機能效的強制性規(guī)定應運而生。經(jīng)改進的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200V采用基于.XT擴散焊技術(shù)的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設計方法通過改良設計提高了能效和功率密度。
2023-07-11
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西部電博會開幕倒計時！超強劇透來了，這些值得打卡！
作為國家集成電路重大生產(chǎn)力布局的重要一極，四川省已基本形成IC設計、晶圓制造、封裝測試、材料裝備等較為完整的產(chǎn)業(yè)體系。為全面落實成渝地區(qū)雙城經(jīng)濟圈建設重大戰(zhàn)略部署，川渝兩地抓住集成電路產(chǎn)業(yè)關聯(lián)度較高、互補性較強的基礎，通過建機制、搭平臺、強聯(lián)動，推動集成電路產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展，積極打造國家重要集成電路產(chǎn)業(yè)備份基地。
2023-07-11
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用于車載充電器應用的1200 V SiC MOSFET模塊使用指南
隨著電動汽車的車載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開關頻率發(fā)展，對 SiC MOSFET 的需求也在增長。許多高壓分立 SiC MOSFET 已經(jīng)上市，工程師也在利用它們的性能優(yōu)勢設計 OBC 系統(tǒng)。要注意的是，PFC 拓撲結(jié)構(gòu)的變化非常顯著。設計人員正在采用基于 SiC MOSFET 的無橋 PFC 拓撲，因為它有著卓越的開關性能和較小的反向恢復特性。眾所周知，使用 SiC MOSFET 模塊可提供電氣和熱性能以及功率密度方面的優(yōu)勢。
2023-07-10
- 帶寬可調(diào)+毫米波集成：緊湊型濾波器技術(shù)全景解析
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