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SiC MOSFET功率模塊是快速充電應用的理想選擇
碳化硅（SiC）MOSFET在功率半導體市場中正在迅速普及，因為一些最初的可靠性問題已經(jīng)解決，并且價格水平已經(jīng)達到了非常有吸引力的點。隨著市場上的器件越來越多，了解SiC MOSFET的特性非常重要，這樣用戶才能充分利用每個器件。本文將為您介紹SiC MOSFET的發(fā)展趨勢，以及由安森美（onsemi）所推出的1200V SiC MOSFET功率模塊的產(chǎn)品特性。
2022-10-20
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自舉電路工作原理和自舉電阻和電容的選取
在一些低成本的應用中，特別是對于一些600V小功率的IGBT，業(yè)界總是嘗試把驅(qū)動級成本降到最低。因而自舉式電源成為一種廣泛的給高壓柵極驅(qū)動（HVIC）電路供電的方法，原因是電路簡單并且成本低。
2022-10-19
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SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
作為目前碳化硅MOSFET型號最豐富的國產(chǎn)廠商派恩杰，不僅在功率器件性能上達到國際一流廠商水平，在AC BTI可靠性上更是超越國際一流廠商?？偛命S興博士用高性能和高可靠性的產(chǎn)品證明派恩杰是國產(chǎn)碳化硅功率器件的佼佼者，展現(xiàn)了超高的碳化硅設計能力和工藝水平。
2022-10-19
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LED串中升壓電源調(diào)節(jié)電流的示例
在此配置中，外設配置為產(chǎn)生大多數(shù)電流模式的固定頻率電源。COG是互補輸出發(fā)生器。其功能是通過上升沿和下降沿輸入構成的可編程死區(qū)生成互補輸出。CCP配置為生成可編程的頻率上升沿。當電流超出斜率補償器的輸出時，比較器C1生成下降沿。CCP可與C1結合來產(chǎn)生占空比。一些拓撲（如升壓、反激或SEPIC）需要占空比。運放OPA用于提供反饋和補償。
2022-10-19
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ADI和Keysight Technologies強強聯(lián)手 共推相控陣技術加速部署
中國，北京–2022年10月17日–Analog Devices, Inc (Nasdaq: ADI)和Keysight Technologies, Inc. (NYSE: KEYS)宣布合作，共同加速相控陣技術的推廣與部署。相控陣技術能夠簡化與創(chuàng)建衛(wèi)星通信、雷達和相控陣系統(tǒng)相關的開發(fā)工作，是實現(xiàn)無處不在的連接和泛在檢測的關鍵。
2022-10-18
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瑞薩電子完成對Steradian的收購
2022 年 10 月 17 日，日本東京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，截至2022年10月17日已完成對提供4D成像雷達解決方案的無晶圓半導體公司Steradian Semiconductors Private Limited（“Steradian”）的收購。
2022-10-18
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貿(mào)澤電子提供豐富資源幫助工程師打造未來自主移動機器人
專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 為工程師提供有關工業(yè)自動化應用的豐富信息，包括加速設計和開發(fā)自主移動機器人 (AMR) 所需的資源和產(chǎn)品。
2022-10-17
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善用可靠且性價比高的隔離技術來應對高電壓設計挑戰(zhàn)
本文將概述電隔離，解釋高壓系統(tǒng)的常用隔離方法，并展示德州儀器 (TI) 隔離集成電路 (IC) 如何幫助設計人員可靠地滿足隔離需求，同時縮小解決方案尺寸并降低成本。
2022-10-17
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貿(mào)澤電子新增36家品牌制造商 進一步擴大產(chǎn)品分銷陣容
2022年10月13日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 截止到2022年8月底新增了36家制造商，進一步擴充了產(chǎn)品分銷陣容。貿(mào)澤目前分銷1200多家品牌制造商，為全球設計工程師客戶群、元器件采購人員、采購代理、教育工作者和學生提供廣泛的產(chǎn)品選擇。
2022-10-13
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芯片測試大講堂——MIPI D-PHY
大家好，由是德科技與上海集成電路技術與產(chǎn)業(yè)促進中心（上海ICC）聯(lián)合執(zhí)筆的芯片測試系列與大家見面了，本期內(nèi)容將聚焦于MIPI D-PHY測試，其中的內(nèi)容匯集了雙方諸位資深工程師的一手經(jīng)驗，摘要如下：
2022-10-12
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測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項：一般測量方法
SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2022-10-11
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IGBT適用于ZVS 還是 ZCS？
提到軟開關技術，大家耳熟能詳?shù)挠辛汶妷洪_通ZVS（Zero voltage switching） 和零電流關斷ZCS（Zero current switching），同時，尤其是在現(xiàn)在的電源產(chǎn)品中，絕大多數(shù)的采用軟開關拓撲的電源產(chǎn)品都選擇了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同學提到ZVS時想到的主要功率器件搭檔，而不是IGBT。
2022-10-11
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