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關(guān)斷柵極電壓欠沖對SiC MOSFET導(dǎo)通行為的影響
本文探討了關(guān)斷時發(fā)生的柵極電壓欠沖對導(dǎo)通開關(guān)特性的影響。這種影響來自于閾值電壓的遲滯效應(yīng)，指柵偏壓變化時，閾值電壓的完全可恢復(fù)瞬態(tài)偏移。閾值電壓的遲滯效應(yīng)是由半導(dǎo)體-絕緣體界面缺陷中，電荷的短期俘獲和釋放引起的。因此，關(guān)斷時的柵極電壓欠沖會對碳化硅（SiC）MOSFET的開關(guān)特性產(chǎn)生影響。
2022-09-20
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如何加強對Type-C數(shù)據(jù)線的充電保護(hù)？
USB Type-C（USB-C）電纜和連接器規(guī)范極大地簡化了實現(xiàn)互連和為數(shù)碼相機和超薄平板電腦等電子產(chǎn)品供電的方式（圖1）。該規(guī)范支持高達(dá)15W的USB-C充電應(yīng)用，而USB-C功率傳輸（PD）將充電能力擴(kuò)展至100W，包括各種可互換充電的設(shè)備。USB Type-C在系統(tǒng)保護(hù)方面帶來了新的挑戰(zhàn)。新連接器的間距比USB Micro-B小，增加了VBUS發(fā)生機械短路的風(fēng)險。此外，由于USB PD具有高電壓，需要更強大的保護(hù)。最后，電子負(fù)載越來越復(fù)雜，需要加強ESD和電壓浪涌保護(hù)。此設(shè)計解決方案首先探討了USB Type-C PD架構(gòu)以及與D+/D-數(shù)據(jù)信號保護(hù)相關(guān)的挑戰(zhàn)，然后提出了一種高度集成的2xSPDT開關(guān)，只需較少的BOM和PCB占用空間，就能夠攻克這些挑戰(zhàn)。
2022-09-19
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加速工業(yè)自動化升級，貿(mào)澤電子2022技術(shù)創(chuàng)新周第二期活動來襲
2022年9月16日 – 專注于引入新品推動行業(yè)創(chuàng)新?的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)宣布于9月19 - 22日舉辦貿(mào)澤電子技術(shù)創(chuàng)新周第二期專題活動。本期內(nèi)容將重點聚焦工業(yè)自動化，特邀來自Analog Devices, Amphenol, Phoenix Contact, Silicon Labs, TDK (Shanghai) Electronics, Texas Instruments等國際知名廠商的資深技術(shù)專家，并攜手哈爾濱工業(yè)大學(xué)電磁驅(qū)動與控制研究所副所長，寧波市智能制造技術(shù)研究院副院長在每天下午14:00-15:10和15:10-16:10兩個時間段，為大家?guī)砉I(yè)自動化的前沿應(yīng)用與方案，展望工業(yè)自動化未來發(fā)展趨勢。
2022-09-16
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Molex與貿(mào)澤聯(lián)手推出射頻連接器內(nèi)容中心，介紹射頻連接器在智能農(nóng)業(yè)等領(lǐng)域中的應(yīng)用
2022年9月15日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Molex合作推出新的內(nèi)容中心，深入探索射頻連接器的功能、挑戰(zhàn)和變革潛力。此內(nèi)容中心提供十多項關(guān)于射頻技術(shù)的豐富資源，包括播客節(jié)目、白皮書、博客文章和產(chǎn)品指南等。每項內(nèi)容都直接鏈接到貿(mào)澤網(wǎng)站上的Molex產(chǎn)品頁面，讓用戶輕松找到其設(shè)計所需的工具。
2022-09-15
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了解為高分辨率、高幀率CMOS圖像傳感器設(shè)計供電方案的挑戰(zhàn)
了解為當(dāng)今高分辨率、高幀率CMOS圖像傳感器設(shè)計供電方案的關(guān)鍵挑戰(zhàn)，是設(shè)計一個滿足每位設(shè)計工程師要求的含LDO (DC-DC, PMIC)的優(yōu)化的電源系統(tǒng)方案的關(guān)鍵要素。電源系統(tǒng)設(shè)計人員需要知道不同應(yīng)用中的電源方案有何不同，比方說，一個800萬像素（MP）的相機與一個5000萬像素的相機的電源方案有何不同，或幀率的不同（30 fps、60 fps、120 fps）如何改變他們的電源設(shè)計，多大頻率需要高電源抑制比(PSRR)，等等。本文意在強調(diào)在為當(dāng)今任何圖像傳感器確定供電方案之前的基本考量。
2022-09-15
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GaN HEMT 大信號模型
GaN HEMT 為功率放大器設(shè)計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術(shù)的許多改進(jìn)。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達(dá) 8 W/mm、fT 高達(dá) 25 GHz 和低靜態(tài)電流。另一方面，GaN RF 功率器件具有自加熱特性，并且元件參數(shù)的非線性與信號電平、熱效應(yīng)和環(huán)境條件之間存在復(fù)雜的依賴關(guān)系。這些因素往往給準(zhǔn)確預(yù)測器件大信號性能造成更多困難。
2022-09-15
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貿(mào)澤贊助Silicon Labs主辦的Works With 2022年開發(fā)者大會
2022年9月14日 – 專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 自豪地宣布成為Silicon Labs Works With 2022年線上會議的鉆石贊助商。Works With是一場以互聯(lián)設(shè)備開發(fā)為主題的免費網(wǎng)絡(luò)活動，將于9月13日至15日舉行。欲了解更多信息并免費注冊，請訪問Works With 2022官方頁面：https://workswith.silabs.com/。
2022-09-14
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深入剖析高速SiC MOSFET的開關(guān)行為
本文探討了影響高速SiC MOSFET開關(guān)特性的關(guān)鍵因素，包括器件特性、工作條件和外部電路；解釋了開關(guān)損耗的主要影響因素，并確定了影響器件行為和使用的重要因素，這些因素可以顯著提升SiC MOSFET在功率電路中的開關(guān)性能。
2022-09-13
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瑞能半導(dǎo)體以效率優(yōu)勢探索，憑新一代碳化硅MOSFET定義性能新高度
2022年9月6日，瑞能半導(dǎo)體CEO Markus Mosen先生受邀出席了在上海盛大舉辦的第九屆中國國際半導(dǎo)體高管峰會（以下簡稱：CISES）。在CISES上，Markus Mosen先生發(fā)表了《新一代碳化硅MOSFET，正在打造更加綠色的未來》的主題演講，聚焦在“雙碳”背景的驅(qū)動下，碳化硅產(chǎn)業(yè)充滿的機遇和前景，重點結(jié)合了最新推出的1700V SiC MOSFET產(chǎn)品的效率優(yōu)勢，詳解了瑞能半導(dǎo)體在應(yīng)用領(lǐng)域的建樹。
2022-09-08
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通過仿真分析ZVS工作原理
零電壓開關(guān)（Zero Voltage Switch）振蕩電路是功率開關(guān)管在導(dǎo)通和關(guān)斷（模式切換時）兩端電壓為0（實際上應(yīng)該是非常接近于0）的電路，這種特性使得電路功率損耗變小，所以被廣泛 應(yīng)用到大功率加熱、高壓電路中。比如在一些LLC 電源， 電磁爐驅(qū)動電路中。本文基于 LTspice 仿真，分析了 ZVS 振蕩器的工作原理以及相關(guān)的參數(shù)設(shè)計。
2022-09-08
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帶有集成式背磁體、先進(jìn)全同步數(shù)字IC和EMC保護(hù)的真正通電狀態(tài)凸輪軸傳感器
之前我們介紹過Allegro 針對完全和輕度混合動力發(fā)動機應(yīng)用的巨磁阻（GMR）曲軸傳感器ATS16951，和這款曲軸傳感器完美配套的凸輪軸傳感器是Allegro 帶有集成式背磁體（back-biasing magnet）、先進(jìn)全同步數(shù)字IC和EMC保護(hù)的ATS16351。這兩款產(chǎn)品能夠絕佳配合，幫助設(shè)計人員實現(xiàn)優(yōu)化的發(fā)動機設(shè)計，減少供應(yīng)商數(shù)量，降低系統(tǒng)復(fù)雜性。
2022-09-07
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帶過流保護(hù)的低側(cè)柵極驅(qū)動器PCB布局技巧
英飛凌的1ED44173/5/6是新的低側(cè)柵極驅(qū)動器IC，集成了過流保護(hù)（OCP）、故障狀態(tài)輸出和啟用功能。這種高集成度驅(qū)動器對于采用升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)并接參考地的PFC（數(shù)字控制功率因數(shù)校正）應(yīng)用非常友好。
2022-09-05
- 面向新太空應(yīng)用的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
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