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Vishay推出低至20m?導通電阻的P溝道高邊負載開關(guān)
近日，Vishay推出可在1.5V～5.5V電壓下工作的新款上升斜率控制的P溝道高邊負載開關(guān)---SiP32458和SiP32459，在3.3V和5V下的導通電阻為20m?，將4.5V下的導通電壓上升斜率控制在3ms，限制使用容性或噪聲敏感負載的設(shè)計方案的涌入電流。
2013-05-06
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Vishay新款功率MOSFET導通電阻比前一代器件低45%
Vishay Siliconix 新型N溝道TrenchFET功率MOSFET——SiR872ADP，電壓擴大至150V，為DC/DC應用提供18mΩ導通電阻，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/AC逆變器，以及通信磚式電源、太陽能微逆變器和無刷直流電機的升壓轉(zhuǎn)換器中的初級側(cè)和次級側(cè)的同步整流。
2013-04-24
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具有2W的高功率0.001Ω低阻值0.5%容差的電阻產(chǎn)品
日前，Vishay宣布，推出2010外形尺寸的新款表面貼裝Power Metal Strip電阻---WSLP2010。該電阻具有2W的高功率等級和0.001Ω的極低阻值，以及0.5%的穩(wěn)定電阻容差。
2013-01-28
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非常適合OLED顯示器的0.8mm低外形0805鉭電容
Vishay推出新款MICROTAN片式鉭電容器，新器件0.8mm至1.0mm高度及外形尺寸可用于空間受限的消費電子產(chǎn)品，具有3.3μF-35V～220μF-4V的高CV等級。
2013-01-23
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具有3KW抗浪涌能力的汽車級SMT雙向TVS
Vishay新款表面貼裝TRANSZORB雙向TVS具有3kW的高浪涌能力，該器件采用SMC DO-214AB封裝，浪涌能力是傳統(tǒng)1.5kW器件的兩倍，可保護敏感的電子設(shè)備免遭由系統(tǒng)感性負載切換和閃電所引入的電壓瞬態(tài)的破壞。
2013-01-16
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新款表面貼裝TVS：比傳統(tǒng)器件浪涌能力高233%
Vishay的新款表面貼裝PAR TVS器件具有5kW的高浪涌能力，該器件采用DO-214AB封裝和+185℃的工作結(jié)溫，比采用SMC封裝的傳統(tǒng)1.5kW器件的浪涌能力高233%,該系列器件可用于汽車和電信應用。
2013-01-14
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經(jīng)AEC-Q101認證的40V N溝道功率MOSFET
近日，Vishay推出采用7腳D2PAK封裝的新款Siliconix 40V N溝道TrenchFET功率MOSFET，該產(chǎn)品通過AEC-Q101認證并具有1.1mΩ的低導通電阻和200A的連續(xù)漏極電流。
2013-01-10
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適用于升壓轉(zhuǎn)換器、低功率逆變器的功率MOSFET
Vishay 率先推出PowerPAK SC-75和SC-70封裝的功率MOSFET，器件的超小PowerPAK SC-75和PowerPAK SC-70封裝可在這些應用中節(jié)省PCB空間，其低導通電阻可實現(xiàn)更低的導通電阻，從而降低能源消耗，提高效率。
2013-01-10
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0.001Ω的極低阻值的高性能應用電阻
2010外形尺寸的Vishay新款Power Metal Strip電阻具有2W功率等級和0.001Ω的極低阻值，新器件使工程師能夠用盡可能小的電阻設(shè)計出高功率電路，用于更高性能的最終產(chǎn)品。
2013-01-09
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探測距離可達1米的接近傳感器發(fā)布
Vishay發(fā)布探測距離可超過1米，同時具有優(yōu)異的抵御環(huán)境光能力的全集成接近傳感器，該傳感器把紅外發(fā)射器、光電二極管、信號處理IC和16位ADC集成進小尺寸4.85mm x 2.35mm x 0.83mm的封裝，是目前最具市場潛力的小尺寸，全集成產(chǎn)品。
2013-01-08
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針對高溫汽車應用的新款I(lǐng)HLP電感器
Vishay推出新款低外形、高電流電感器，器件的頻率范圍達到1MHz，可用作電壓調(diào)節(jié)模塊和DC/DC轉(zhuǎn)換器的解決方案，既高效，又節(jié)約空間和能源。新電感器可處理高瞬態(tài)電流尖峰而不會硬飽和。
2012-12-26
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具有0.001Ω極低阻值的2010尺寸新款電阻
Vishay推出新款Power Metal Strip電阻，該器件具有2010外形尺寸、2W功率等級和0.001Ω的極低阻值，并且能夠幫助工程師用盡可能小的電阻設(shè)計出高功率電路，用于更高性能的最終產(chǎn)品。
2012-12-21
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