方案B:
芯片設(shè)計(jì):速度面積功耗就一定能折中?
發(fā)布時(shí)間:2015-01-16 責(zé)任編輯:sherryyu
【導(dǎo)讀】芯片設(shè)計(jì)中幾個(gè)重要的指標(biāo)總是讓設(shè)計(jì)工程師自以為是的想到各種折中的方法,實(shí)則不然。在實(shí)際電路設(shè)計(jì)中,不要僅僅考慮功能實(shí)現(xiàn),需要多想想是否有更好的解決方案,讓面積,速度,功耗表現(xiàn)更佳才是上策。當(dāng)然這也是優(yōu)秀的工程師和平庸的工程師設(shè)計(jì)出來(lái)的產(chǎn)品會(huì)有巨大的差異。
在芯片設(shè)計(jì)中,大家通常都會(huì)注意到幾個(gè)重要的指標(biāo):
速度:電路可以跑多少M(fèi)Hz的時(shí)鐘頻率,一般來(lái)說(shuō),速度越快,能處理的數(shù)據(jù)量就越多,性能越好。
面積:電路的物理實(shí)現(xiàn)需要占用硅片的面積,占用的面積越小,成本越低。
功耗:電路工作所消耗的能量,功耗越低,芯片越省電,發(fā)熱量 也越低,能耗低,環(huán)保。
書(shū)本上說(shuō),速度、面積、功耗是互相牽制的,在相同的制造工藝(制程)條件下,一般來(lái)說(shuō),速度越快,晶體管尺寸越大,面積就越大,功耗也越高。
為了降低功耗,可以降低芯片的工作速度,讓時(shí)鐘的跳變頻率變慢。
為了降低成本,減小芯片面積,可以采用面積比較小(W比較小)的晶體管,由于電流和W成正比,因此面積減小,速度會(huì)變慢。(為了即減小面積,同時(shí)提高速度,則必須讓L變小,也就是提升制程,65nm換成45nm,45nm換成28nm等等)
為了提高速度,我們需要加大充電電流,加大電流,必然導(dǎo)致功耗增加。(為了不增加電流而提高速度,必須減少電容,或者降低充電電壓,這兩個(gè)動(dòng)作也是靠工藝水平的提升來(lái)實(shí)現(xiàn),比如45nm換成28nm工藝)
請(qǐng)大家注意,上面的速度、面積、功耗的折中和互相牽制是建立在相同制程,相同的IP Vendor,以及相同的電路條件下。我想要提醒的是,如果不滿足這3個(gè)條件,這3個(gè)因素可能不是折中的關(guān)系,有可能會(huì)出現(xiàn)速度慢,面積大,功耗也高的情況。說(shuō)明如下:
1 )在相同的工藝制程,相同的IP Vendor(包括相同的標(biāo)準(zhǔn)單元)條件下,同一個(gè)功能,不同的電路實(shí)現(xiàn)方案,有可能會(huì)出現(xiàn)方案A比方案B面積大,速度慢,功耗高。舉例說(shuō)明:
實(shí)現(xiàn)一個(gè)6分頻電路:
方案A:
方案B:
上面的電路,功能一模一樣,都實(shí)現(xiàn)了時(shí)鐘6分頻。方案A的使用了加法, 方案B采用了循環(huán)移位。很明顯,
# 加法比移位的邏輯電路多,方案A的面積比方案B大;
# 加法需要的邏輯路徑長(zhǎng),因此方案A的最快工作頻率低于方案B
# 方案B邏輯少,數(shù)據(jù)變化產(chǎn)生的節(jié)點(diǎn)電壓變化少,并且,方案B類(lèi)似格雷碼,觸發(fā)器的跳變次數(shù)也比方案A要少,因此方案B的功耗小。
綜上所述,方案A比方案B,面積大,速度慢,功耗高。徹底的完敗。
因此,在實(shí)際電路設(shè)計(jì)中,不要僅僅考慮功能實(shí)現(xiàn),需要多想想是否有更好的解決方案,讓面積,速度,功耗表現(xiàn)更佳;優(yōu)秀的工程師和平庸的工程師設(shè)計(jì)出來(lái)的產(chǎn)品會(huì)有巨大的差異,競(jìng)爭(zhēng)力體現(xiàn)在人才的智慧上,聰明的大腦在芯片設(shè)計(jì)中至關(guān)重要。我們每個(gè)設(shè)計(jì)工程師都要力爭(zhēng)成為智慧的工程師。
2)同樣的數(shù)字電路,選擇不同的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù),有可能會(huì)出現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)A的實(shí)現(xiàn), 比標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)B的實(shí)現(xiàn)面積大,功耗大,速度也慢。可以參考上面的解釋,因?yàn)椴煌臉?biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)是不同的人設(shè)計(jì)出來(lái)的,也有聰明和平庸之分。即使同一個(gè) Vendor的不同標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù),也可能會(huì)發(fā)現(xiàn)新的改進(jìn)庫(kù)比原來(lái)的面積,速度,功耗都要優(yōu)。模擬IP也如此,不同的Vendor有差異。 由于IP 庫(kù)的差異,對(duì)設(shè)計(jì)工程師提出了更多要求,要求芯片設(shè)計(jì)者能夠甄別比較優(yōu)秀的IP,從而提升產(chǎn)品的整體競(jìng)爭(zhēng)力。IP如果選擇了比較平庸的,將來(lái)產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力 就會(huì)大打折扣。
特別推薦
- 授權(quán)代理商貿(mào)澤電子供應(yīng)Same Sky多樣化電子元器件
- 使用合適的窗口電壓監(jiān)控器優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- ADI電機(jī)運(yùn)動(dòng)控制解決方案 驅(qū)動(dòng)智能運(yùn)動(dòng)新時(shí)代
- 倍福推出采用 TwinSAFE SC 技術(shù)的 EtherCAT 端子模塊 EL3453-0090
- TDK推出新的X系列環(huán)保型SMD壓敏電阻
- Vishay 推出新款采用0102、0204和 0207封裝的精密薄膜MELF電阻
- Microchip推出新款交鑰匙電容式觸摸控制器產(chǎn)品 MTCH2120
技術(shù)文章更多>>
- 邁向更綠色的未來(lái):GaN技術(shù)的變革性影響
- 集成電阻分壓器如何提高電動(dòng)汽車(chē)的電池系統(tǒng)性能
- 帶硬件同步功能的以太網(wǎng) PHY 擴(kuò)大了汽車(chē)?yán)走_(dá)的覆蓋范圍
- 精準(zhǔn)監(jiān)測(cè)電離分?jǐn)?shù)與沉積通量,助力PVD/IPVD工藝與涂層質(zhì)量雙重提升
- ADC 總諧波失真
技術(shù)白皮書(shū)下載更多>>
- 車(chē)規(guī)與基于V2X的車(chē)輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車(chē)安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車(chē)模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車(chē)用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門(mén)搜索
電工電路
電機(jī)控制
電解電容
電纜連接器
電力電子
電力繼電器
電力線通信
電流保險(xiǎn)絲
電流表
電流傳感器
電流互感器
電路保護(hù)
電路圖
電路圖符號(hào)
電路圖知識(shí)
電腦OA
電腦電源
電腦自動(dòng)斷電
電能表接線
電容觸控屏
電容器
電容器單位
電容器公式
電聲器件
電位器
電位器接法
電壓表
電壓傳感器
電壓互感器
電源變壓器