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能實現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性的IGBT模塊
隨著全球?qū)稍偕茉吹娜找骊P(guān)注以及對效率的需求，高效率，高可靠性成為功率電子產(chǎn)業(yè)不斷前行的關(guān)鍵。Nexperia（安世半導(dǎo)體）的 IGBT 產(chǎn)品系列優(yōu)化了開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗, 兼顧馬達驅(qū)動需求的高溫短路耐受能力，實現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性。
2023-11-12
IGBT模塊 馬達驅(qū)動 應(yīng)用
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專為智能汽車車身域打造的直流有刷柵極驅(qū)動IC
TMI8721-Q1是一顆驅(qū)動外部4個N溝通MOSFET的單通道全橋柵極驅(qū)動芯片。優(yōu)秀的驅(qū)動能力，使其可驅(qū)動大部分MOSFET，特別適用于汽車座椅自動調(diào)節(jié)，后尾門撐桿，玻璃升降、天窗、遮陽簾、門窗、方向盤調(diào)節(jié)、側(cè)滑門、電動踏板等電流偏大的場合。
2023-11-12
智能汽車 車身域 柵極驅(qū)動
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SiC MOSFET 器件特性知多少？
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。開關(guān)超過 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運行并非易事，即使是最好的超結(jié)硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關(guān)斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓...
2023-11-12
SiC MOSFET 器件特性
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了解 MOSFET 通態(tài)漏源電阻
分立 MOSFET 數(shù)據(jù)表中重要的規(guī)格之一是漏源通態(tài)電阻，縮寫為 R DS (on)。這個 R DS (on)想法看起來非常簡單：當(dāng) FET 處于截止?fàn)顟B(tài)時，源極和漏極之間的電阻非常高，以至于我們假設(shè)電流為零。當(dāng) FET 的柵源電壓 (V GS ) 超過閾值電壓 (V TH ) 時，它處于“導(dǎo)通狀態(tài)”，漏極和源極通過電阻等于 R DS(on)...
2023-11-11
MOSFET 通態(tài)漏源電阻
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中國電信韋樂平：光通信發(fā)展的新趨勢思考
近日，在“中國電信戰(zhàn)新共鏈行動大會暨第三屆科技節(jié)”之“面向云網(wǎng)融合的下一代光網(wǎng)絡(luò)新技術(shù)論壇”上，中國電信集團科技委主任韋樂平發(fā)表主題演講。
2023-11-11
中國電信 光通信 趨勢
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能為電視和顯示器提供先進檢測功能的60GHz毫米波雷達
60GHz 雷達傳感器具有更短的波長和更多數(shù)量的發(fā)射和接收天線，可以準(zhǔn)確檢測室內(nèi)人員（四人或更多人數(shù)）的存在、運動和位置。毫米波雷達可提供多種功能，例如監(jiān)控多個區(qū)域以確定每個區(qū)域是否有人員存在并跟蹤人員的移動。
2023-11-11
毫米波雷達 顯示器 檢測
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助力小型資產(chǎn)跟蹤器實現(xiàn)更長時間續(xù)航
本文介紹一種典型的資產(chǎn)跟蹤解決方案，展示MAX3864x nanopower降壓轉(zhuǎn)換器系列如何憑借其小尺寸、高效率優(yōu)勢，在小型便攜式設(shè)備中實現(xiàn)更長的電池壽命。新興的低功耗數(shù)據(jù)連接技術(shù)部署成本低，由此涌現(xiàn)了多種資產(chǎn)跟蹤解決方案。多個應(yīng)用領(lǐng)域都見證了這一點，運輸和供應(yīng)鏈管理行業(yè)尤其明顯。
2023-11-11
資產(chǎn)跟蹤器 續(xù)航
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