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VLSI 設計中的線性 RC 延遲模型
眾所周知，為了使晶體管更小，人們做了大量工作。然而，仍然需要對 VLSI 電路和模塊進行相應的工作，以適應更小的設計。這些 VLSI 電路和模塊可能很簡單，只有幾個邏輯門（包含兩到四個晶體管），也可能是包含成千上萬個晶體管的更大系統(tǒng)。相反，這些系統(tǒng)需要滿足各種工作條件下的速度/延遲和功率要...
2023-04-24
VLSI 設計 線性 RC
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如何應對USB大功率充電器DC-DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)噪聲？
USB Power Delivery是一種供電標準，可以通過USB提供比以前更大、最大達到100W的電源功率。USB Power Delivery可以通過USB連接來為以前無法支持的PC和顯示器等設備供電。另一個特征是可以瞬時切換供電側(cè)和充電側(cè)，從而可以在不產(chǎn)生不必要的熱量的情況下充電。
2023-04-24
USB大功率充電器 DC-DC轉(zhuǎn)換器 開關(guān)噪聲
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常見的24V電池供電的應用有哪些？
從電動汽車、摩托艇到光伏裝置和數(shù)據(jù)中心，電池供電系統(tǒng)正蓬勃發(fā)展。目前的趨勢主要是增加系統(tǒng)的運行電壓以縮減系統(tǒng)尺寸、重量或增加負載的可用功率。在寬輸入功率器件的不斷進步下，處在這股潮流最前線的是從 12V 轉(zhuǎn)換到 24V 的應用。
2023-04-24
電池供電 應用
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SiC MOSFET的短溝道效應
Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應、Vth滯回效應、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂，不如加入自己的理解，重新梳理一...
2023-04-24
SiC MOSFET 短溝道效應
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超共源共柵簡史
盡管寬帶隙半導體已在功率開關(guān)應用中略有小成，但在由 IGBT 占主導的高電壓/高功率領域仍未有建樹。然而，使用 SiC FET 的 “超共源共柵” 將打破現(xiàn)有局面。讓我們一起來了解超共源共柵的歷史，并探討如何將其重新用于優(yōu)化現(xiàn)代設計。
2023-04-24
超共源共柵 SiC FET Qorvo
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Auto Accessories以及BMS的保護設計
隨著汽車功能的豐富，USB2.0/3.0、電源輸入口、按鍵、SD卡槽等被廣泛應用。由于以下幾點，ESD、突入電流、拋負載以及負載短路等成為了硬件設計人員關(guān)注要點。例如，干燥季節(jié)，靜電通過這些接口破壞IC或設備中的任何其他ESD敏感器件；設備電源的開關(guān)，汽車啟停以及人員的誤操作等產(chǎn)生的突入電流對電...
2023-04-24
Auto Accessories BMS 保護設計
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5月兩場汽車電子高峰論壇來襲 賦能汽車電子“芯”力量
汽車作為當下最火熱的賽道，早已從初始的代步工具逐步蛻變，電子化在汽車發(fā)展史上發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，2022年我國汽車電子市場規(guī)模達到9,783億元（汽車工業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù)）。汽車工業(yè)是國家制造業(yè)的標桿，隨著汽車向電動化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化、共享化推進，以人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等為首的新一代信息技術(shù)深刻...
2023-04-23
汽車電子 芯片
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