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從24GHz至44GHz,這兩款寬帶集成變頻器提升你的微波無線電性能

發(fā)布時間:2021-05-08 來源:James Wong, Kasey Chatzopoulos, 和 Murtaza Thahirally 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】ADI的ADMV1013 和 ADMV1014這兩顆器件的工作頻率極寬,從24 GHz到44 GHz,并提供50 ?匹配,同時可以支持大于1 GHz的瞬時帶寬。ADMV1013 和 ADMV1014的性能特性簡化了小型5G毫米波(mmW) 平臺的設(shè)計和實現(xiàn),這些平臺包括回傳和前傳應(yīng)用中常見的 28 GHz和39 GHz頻段,以及許多其他的超帶寬發(fā)射器和接收器應(yīng)用。
 
每個上變頻器和下變頻器芯片都是高集成的(見圖1),由IQ混頻器及片內(nèi)正交移相器構(gòu)成,可配置為基帶IQ模式(零中頻,IQ頻率支持dc至6 GHz),或者配置為中頻模式(實中頻,中頻頻率支持800 MHz至6 GHz)。上變頻器的RF輸出端集成了一個含壓控衰減器(VVA)的驅(qū)動放大器,下變頻器的RF輸入端包含低噪聲放大器(LNA)和帶VVA的增益放大器。兩個芯片的本振(LO)鏈路由一個集成式LO緩沖放大器、一個四倍頻器和一個可編程的帶通濾波器組成。大部分可編程和校準(zhǔn)功能都通過SPI接口進行控制,這使得IC易于通過軟件配置至出色的性能水平。
 
從24GHz至44GHz,這兩款寬帶集成變頻器提升你的微波無線電性能
圖1. (a) ADMV1013上變頻器芯片框圖。(b) ADMV1014下變頻器芯片框圖。
 
ADMV1013上變頻器內(nèi)部視圖
 
ADMV1013提供兩種頻率轉(zhuǎn)換模式。一種模式是從基帶I和Q直接上變頻至RF頻段。在這種I/Q模式下,基帶I和Q差分輸入信號范圍是從dc到6 GHz,例如,由一對高速數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)產(chǎn)生的信號。IQ輸入信號的共模電壓范圍為0 V至2.6 V;因此,它們可以滿足大部分DAC的接口需求。當(dāng)所選DAC的共模電壓在這個范圍內(nèi)時,可以通過配置上變頻器的寄存器,使其輸入共模電壓和 DAC輸出的共模電壓實現(xiàn)最佳的匹配,從而簡化接口設(shè)計。另一種模式是復(fù)IF輸入(例如由正交數(shù)字上變頻器器件生成的信號),單邊帶上變頻到RF頻段。ADMV1013的獨特之處在于,它能夠在I/Q模式下對I和Q混頻器的直流偏置誤差進行數(shù)字校正,從而改善RF輸出的LO泄漏。校準(zhǔn)之后,在最大增益下,RF輸出 端的LO泄漏可以低至-45 dBm。對零中頻無線電設(shè)計造成妨礙的一個更困難的挑戰(zhàn)是I和Q的相位不平衡,導(dǎo)致邊帶抑制能力差。零中頻面臨的另一個挑戰(zhàn)是邊帶通常太接近微波載波,使濾波器難以實現(xiàn)。ADMV1013解決了這個問題,它允許用戶通過寄存器調(diào)諧對I和Q相位不平衡進行數(shù)字校正。正常操作期間,上變頻器展現(xiàn)出未經(jīng)校準(zhǔn)的26 dBc邊帶抑制。使用片內(nèi)寄存器之后,其邊帶抑制經(jīng)過校準(zhǔn)可以提高到約36 dBc。兩種校準(zhǔn)特性都是通過SPI實現(xiàn),無需額外電路。在I/Q模式下,還可以通過調(diào)節(jié)基帶I和Q DAC的相位平衡來進一步提高邊帶抑制。這些性能增強特性幫助最小化外部濾波,同時改善微波頻率下的無線電性能。
 
集成了LO緩沖器之后,該部件所需的驅(qū)動力僅為0 dBm。因此, 可使用集成壓控振蕩器(VCO)的頻綜(例如 ADF4372 或 ADF5610), 直接地驅(qū)動該器件,進一步減少外部組件數(shù)量。片內(nèi)四倍頻器 將LO頻率倍升至所需的載波頻率,然后通過可編程的帶通濾波器濾除不需要的倍頻器諧波,該帶通濾波器放置在混頻器正交相位生成模塊之前。這種布局大大減少了進入混頻器的雜散頻率,同時允許該部件與外部低成本、低頻率的頻率合成器/VCO協(xié)同工作。然后,經(jīng)過調(diào)制的RF輸出通過一對放大器級(兩者 中間存在一個VVA)進行放大。增益控制模塊為用戶提供35 dB調(diào)節(jié)范圍,最大級聯(lián)轉(zhuǎn)換增益為23 dB。ADMV1013采用40引腳基板柵格陣列封裝(見圖2)。這些特性結(jié)合起來,可以提供卓越的性能、最大的靈活性和易用性,同時最大程度減少需要的外部 組件的數(shù)量。因此,可以實現(xiàn)小型蜂窩基站等小型微波平臺。
 
從24GHz至44GHz,這兩款寬帶集成變頻器提升你的微波無線電性能
圖2. 采用6 mm × 6 mm表貼封裝的ADMV1013在評估板上的圖示。
 
ADMV1014下變頻器內(nèi)部視圖
 
ADMV1014也有一些相似的元件,例如其LO路徑中包含LO緩沖器、四倍頻器、可編程的帶通濾波器,以及正交移相器。但是,構(gòu)建作為下變頻器件(見圖1b中的框圖),ADMV1014的RF前端中安裝有一個LNA,緊接著安裝了一個VVA和一個放大器。連續(xù)的19 dB增益調(diào)整范圍由施加給VCTRL引腳的dc電壓進行控 制。用戶可以選擇在I/Q模式下使用ADMV1014作為從微波到基帶dc的直接解調(diào)器。在這種模式下,經(jīng)過解調(diào)的I和Q信號在各自的I和Q差分輸出處放大。它們的增益和dc共模電壓可以通過SPI由寄存器設(shè)置,使得差分信號可以dc耦合到(例如)一對基帶模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)?;蛘撸珹DMV1014可以用作單端復(fù)IF端口的鏡 像抑制下變頻器。在任何一種模式下,I和Q相位、幅度的不平衡都可以通過SPI進行校正,在下變頻器解調(diào)至基帶或IF時,提高其鏡像抑制性能??偟膩碚f,下變頻器在24 GHz至42 GHz頻率范圍內(nèi),可以提供5.5 dB總級聯(lián)噪聲系數(shù),以及17 dB最大轉(zhuǎn)換增益。當(dāng)工作頻率接近基帶邊緣(高達44 GHz)時,級聯(lián)式NF 仍然堅定保持6 dB。
 
從24GHz至44GHz,這兩款寬帶集成變頻器提升你的微波無線電性能
圖3. 采用更小型的5 mm × 5 mm封裝的ADMV1014在評估板上的圖示。
 
大幅提升5G mmW無線電性能
 
圖4所示為下變頻器在28 GHz頻率時的測量性能,測量時,采用 5G NR波形,包含4個獨立的100 MHz通道,每個通道都在-20 dBm 輸入功率下調(diào)制至256 QAM。測量得出的EVM結(jié)果為-40 dB (1% rms),支持對mmW 5G所需的高階調(diào)制方案進行解調(diào)。憑借上下變頻器>1 GHz的帶寬容量,以及上變頻器的23 dBm OIP3和下變頻器的0 dBm IIP3,其組合可以支持高階QAM調(diào)制,從而實現(xiàn)更高的數(shù)據(jù)吞吐量。此外,該器件也支持其他應(yīng)用,如衛(wèi)星和地面接收站寬帶通信鏈路、安全通信無線電、RF測試設(shè)備和雷達系統(tǒng)。其出色的線性度和鏡像抑制性能令人矚目,與緊湊的解決方案尺寸、較小外形、高性能微波鏈路結(jié)合之后,可以實現(xiàn)寬帶基站。
 
從24GHz至44GHz,這兩款寬帶集成變頻器提升你的微波無線電性能
從24GHz至44GHz,這兩款寬帶集成變頻器提升你的微波無線電性能
圖4. 測量得出的EVM性能(rms百分比)與28 GHz時的輸入功率以及對應(yīng)的256 QAM星座圖。
 
ADMV1014
 
●     寬帶RF輸入頻率范圍:24 GHz至44 GHz
●     2種下變頻模式
    ○ 從RF至基帶I/Q直接變頻
    ○ 鏡像抑制下變頻為復(fù)中頻
●     LO輸入頻率范圍:5.4 GHz至10.25 GHz
●     LO四倍頻器最高可達41 GHz
●     匹配50 Ω、單端RF輸入和復(fù)中頻輸出
●     匹配100 Ω平衡或50 Ω單端LO輸入之間的選項
●     具有可調(diào)輸出共模電壓電平的100 Ω平衡基帶I/Q輸出阻抗
●     鏡像抑制優(yōu)化
●     用于設(shè)置混頻器輸入功率的平方律功率檢波器
●     用于接收器功率控制的可變衰減器
●     可通過四線式SPI接口編程
●     32引腳、5 mm × 5 mm LGA封裝
 
 
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