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性能出眾的1200V第四代SiC FET為高壓市場提供了優(yōu)秀的SiC功率解決方案
UnitedSiC(現(xiàn)名Qorvo)擴充了其1200V產(chǎn)品系列,將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。新UF4C/SC系列中的六款新產(chǎn)品的規(guī)格從23毫歐到70毫歐,現(xiàn)以TO247-4L(采用開爾文連接)封裝提供,而1200V的53毫歐和70毫歐SiC FET還以TO247-3L封裝提供。這些新發(fā)布的SiC FET具有不凡的性能,...
2022-06-15
SiC FET 高壓市場 解決方案
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電解電容
在博文 基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路,對于光耦前向耦合電流增益的特性進行了討論。博文分別被公眾號 TSINGHUAZHUOQING[2] 與 電子工程專輯[3] 轉(zhuǎn)載。
2022-06-14
電解電容 光耦 振蕩電路
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電解電容
在博文 基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路,對于光耦前向耦合電流增益的特性進行了討論。博文分別被公眾號 TSINGHUAZHUOQING[2] 與 電子工程專輯[3] 轉(zhuǎn)載。
2022-06-14
電解電容 光耦 振蕩電路
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電動汽車對提高車輛效率的需求正在改變供應(yīng)鏈
幾年來,xEV的普及率一直很高。預(yù)計2021至2027年間,全球xEV市場的復(fù)合年增長率將達到21%,所有細(xì)分市場的復(fù)合年增長率都將加快。隨著BEV采用率的快速增長,混合動力技術(shù)也將大幅增長。事實上,不同技術(shù)的普及率取決于地區(qū)。
2022-06-13
電動汽車 車輛效率 供應(yīng)鏈
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保護IGBT和MOSFET免受ESD損壞
功率MOSFET用戶都非常熟悉“靜電敏感器件”警告標(biāo)志。然而,越熟悉越容易大意。從統(tǒng)計的角度來看,單個MOSFET不太可能被靜電放電(ESD)損壞。然而,在處理成千上萬個MOSFET時,極小的故障都可能帶來極大的影響。
2022-06-13
IGBT MOSFET ESD
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在自動駕駛汽車中實現(xiàn)5G和DSRC V2X
很顯然,車輛通信是實現(xiàn)更高的自動駕駛水平的重要推動因素。但是,長期以來,汽車廠商一直在研究分析所需的無線接入技術(shù)應(yīng)基于蜂窩技術(shù)(也稱為C-V2X)還是基于直接接入技術(shù)(稱為DSRC)。在本文中,我們將展示未來的自動駕駛場景需要協(xié)調(diào)或組合使用這兩種技術(shù)。先進的多無線標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備需要集成分別采...
2022-06-10
自動駕駛汽車 5G DSRC V2X
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安霸CV2FS/CV22FS獲得ASIL C芯片功能安全認(rèn)證,超越市場同類芯片水平
2022年6月7日,美國加利福尼亞州圣克拉拉市,Ambarella (下稱“安霸”,納斯達克股票代碼:AMBA,專注AI視覺感知的半導(dǎo)體公司) 于今天宣布,其汽車AI視覺感知芯片(SoC)CV2FS/CV22FS成功通過exida的ASIL C芯片功能安全認(rèn)證,獲得證書,并且其內(nèi)置的功能安全島為ASIL D級別。CV2FS/CV22FS這一功能安全...
2022-06-08
安霸 CV2FS/CV22FS 芯片
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異步DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器(包含續(xù)流二極管)還能實現(xiàn)低輻射嗎?
本文嘗試展示帶分立式續(xù)流二極管的異步轉(zhuǎn)換器如何還能實現(xiàn)低輻射。其中將會介紹不同類型的轉(zhuǎn)換器、布局和封裝,以及為何受控開關(guān)非常有效,還會詳細(xì)介紹在CISPR 25 5類輻射測試中,低EMI評估電路的通過測試結(jié)果。
2022-06-08
DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器 低輻射 ADI
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25 kW SiC直流快充設(shè)計指南(第三部分):PFC仿真
在本系列的前幾篇文章中,我們介紹了電動車快充系統(tǒng)的主要系統(tǒng)要求,概述了系統(tǒng)開發(fā)過程中的關(guān)鍵階段以及認(rèn)識了參與設(shè)計25 kW SiC直流快充系統(tǒng)的工程師團隊。
2022-06-07
SiC 直流快充 PFC仿真
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- DigiKey與 Lippincott 合作品牌煥新項目榮獲2025年度 Graphis 設(shè)計大賽金獎
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- 貿(mào)澤與Qorvo攜手推出全新電子書探索智能家居的聯(lián)網(wǎng)需求和所需的技術(shù)
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