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智能手機(jī)、3G和數(shù)據(jù)卡將成2009年移動(dòng)終端的三大亮點(diǎn)
據(jù)外電報(bào)道，全球手機(jī)市場(chǎng)在2008年最后一個(gè)季度下滑了5%，但咨詢機(jī)構(gòu)ABI對(duì)2009年全球手機(jī)市場(chǎng)的某些領(lǐng)域仍非常樂觀。 ABI的研究顯示，2008年10月和11月的手機(jī)出貨量呈現(xiàn)明顯下滑，雖然這預(yù)示著2009年將是艱難的一年，但該公司同時(shí)預(yù)測(cè)智能手機(jī)、WCDMA和CDMA2000市場(chǎng)將有上佳表現(xiàn)。
2009-02-05
智能手機(jī) 3G 數(shù)據(jù)卡 WCDMA CDMA2000
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NV2520SA：日本電波開發(fā)出全球最小壓控晶振
日本電波開發(fā)出溫度范圍較廣的全球最小壓控晶振
2009-02-05
日本電波 晶振 VCXO 數(shù)字電視
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WSLT2010…18:Vishay推出2010封裝尺寸電流感測(cè)電阻
Vishay日前推出新型高溫 1-W 表面貼裝 Power Metal Strip 電阻，該產(chǎn)品是業(yè)界首款可在 –65°C 到 +275°C 溫度范圍內(nèi)工作的 2010 封裝尺寸電流感測(cè)電阻 --- WSLT2010…18。WSLT2010…18 電阻具有極低的電阻值范圍（10-m 到 500-m）、較低的誤差（低至 ±0.5%）和低 TCR 值（低至 ±75 ppm/°C）。
2009-02-04
Vishay 電流感測(cè)電阻 脈沖應(yīng)用
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WSLT2010…18:Vishay推出2010封裝尺寸電流感測(cè)電阻
Vishay日前推出新型高溫 1-W 表面貼裝 Power Metal Strip 電阻，該產(chǎn)品是業(yè)界首款可在 –65°C 到 +275°C 溫度范圍內(nèi)工作的 2010 封裝尺寸電流感測(cè)電阻 --- WSLT2010…18。WSLT2010…18 電阻具有極低的電阻值范圍（10-m 到 500-m）、較低的誤差（低至 ±0.5%）和低 TCR 值（低至 ±75 ppm/°C）。
2009-02-04
Vishay 電流感測(cè)電阻 脈沖應(yīng)用
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日本消費(fèi)電子巨頭全線虧損 中韓企業(yè)穩(wěn)中求勝
日本前10大消費(fèi)電子巨頭出現(xiàn)全面虧損,需求下降、日元升值嚴(yán)重削弱了日本消費(fèi)電子行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力,日立、松下等巨頭紛紛關(guān)廠裁員,韓國(guó)企業(yè)的銷售收入和市場(chǎng)份額大幅上升,中國(guó)企業(yè)由于人民幣的相對(duì)穩(wěn)定在海外銷售也保持了相對(duì)的穩(wěn)定.
2009-02-04
日本消費(fèi)電子 虧損
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日本芯片業(yè)危機(jī)顯現(xiàn) 兩巨頭欲合并相關(guān)業(yè)務(wù)
日本芯片產(chǎn)業(yè)瀕臨滅亡邊緣，日本兩大IT巨頭東芝和NEC正在密謀合并部分業(yè)務(wù)，以渡過目前正在愈演愈烈的經(jīng)濟(jì)危機(jī)。
2009-02-04
東芝 NEC 芯片 合并 三星
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NI發(fā)布2009年測(cè)試與測(cè)量發(fā)展趨勢(shì)
NI發(fā)布2009年測(cè)試與測(cè)量發(fā)展趨勢(shì)
2009-02-04
虛擬儀器 并行處理 多核 NI LabVIEW 測(cè)試測(cè)量
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南方芯源總經(jīng)理羅義：依靠品牌與質(zhì)量走向未來
2008年，南方芯源科技有限公司在半導(dǎo)體行業(yè)成績(jī)斐然，其生產(chǎn)的MOSFET成功的成為全球巨頭Philips Lighting Electronics公司的供應(yīng)商。南方芯源的企業(yè)戰(zhàn)略是：重金投入研發(fā)；靈活的銷售模式；依靠品牌與質(zhì)量走向未來。
2009-02-03
南方芯源 羅義 MOSFET
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LGD和CREE公司簽訂LCD背光用LED芯片供貨協(xié)議
韓國(guó)LG顯示公司（簡(jiǎn)稱LGD）近日宣布，將與Cree公司組成戰(zhàn)略聯(lián)盟，共同開拓LED背光市場(chǎng)。LGD和Cree公司簽訂了LCD背光用LED芯片的供貨協(xié)議。通過這份協(xié)議，LGD得到了穩(wěn)定的LED芯片貨源。
2009-02-03
LED芯片 LCD背光 LED背光
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