2022中國（深圳）集成電路峰會在深圳坪山隆重召開

由深圳市人民政府、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會集成電路設(shè)計分會、“核高基”國家科技重大專項總體專家組主辦，深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會社會承辦的以“創(chuàng)新強(qiáng)鏈，雙驅(qū)發(fā)展”為主題的“2022中國（深圳）集成電路峰會”（以下簡稱：ICS2022峰會），于2022年12月29日在深圳坪山格蘭云天國際酒店隆重召開。ICS2022峰會集...

2022-12-29

集成電路峰會首日內(nèi)容精彩： 成熟技術(shù)創(chuàng)新，供應(yīng)鏈安全，補(bǔ)人才短板，半脫鉤下策略發(fā)展

今天，深圳坪山格蘭云天大酒店分外熱鬧，來賓歡聚一堂，觀眾與嘉賓互動，成功舉辦高峰論壇和全球存儲器行業(yè)創(chuàng)新論壇。它們是“2022 中國（深圳）集成電路峰會”的二個主論壇，圍繞“創(chuàng)新強(qiáng)鏈，雙驅(qū)發(fā)展”主題，產(chǎn)學(xué)研政商企業(yè)代表齊聚一堂，行業(yè)頭部企業(yè)家，芯片供需方特色代表，多位院士，教授，行業(yè)分...

2022-12-29

三極管和MOS管下拉電阻的作用

三極管屬于電流型驅(qū)動元器件，因此一般在基極都會串一個限流電阻，一般小于等于10K，但是在基極為什么會下拉一個電阻呢？舉例說明。如下圖，是溫度開關(guān)控制馬達(dá)電路圖。

2022-12-29

三極管  MOS管  下拉電阻

2022 中國（深圳）集成電路峰會隆重召開

【深圳坪山格蘭云天大酒店，2022年12月29日，深圳市半導(dǎo)體協(xié)會】由深圳市人民政府聯(lián)合中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會集成電路設(shè)計分會、“核高基”國家科技重大專項總體專家組共同舉辦的以“創(chuàng)新強(qiáng)鏈，雙驅(qū)發(fā)展”為主題的“2022 中國（深圳）集成電路峰會”（以下簡稱：ICS2022 峰會），于2022年12月29日至30日，在深...

2022-12-29

ICS 2022峰會直通車丨“線上線下”相結(jié)合，高效務(wù)實開峰會

?為減少人員聚集，降低疫情傳播風(fēng)險 ，2022年中國（深圳）集成電路峰會（以下簡稱：ICS 2022峰會）將以“線上會議+線下會議”方式舉行。由深圳市人民政府聯(lián)合中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會集成電路設(shè)計分會、“核高基”國家科技重大專項總體專家組擬定以“創(chuàng)新強(qiáng)鏈，雙驅(qū)發(fā)展”為主題，于2022年12月29日-30日在深圳...

2022-12-28

數(shù)字波束成形相控陣中RF電子器件的物理尺寸分配

相控陣?yán)走_(dá)和有源電子掃描陣列（AESA）已經(jīng)在航空航天和國防市場中使用和部署了十多年。這一時期主要從模擬波束成形系統(tǒng)開始，并不斷遷移到更高水平的數(shù)字波束成形。系統(tǒng)工程目標(biāo)不斷需要接近元素的數(shù)字波束成形實現(xiàn)，以實現(xiàn)的靈活性和可編程性。

2022-12-28

數(shù)字波束成形相控陣  RF電子器件

全面了解和分析開關(guān)穩(wěn)壓器噪聲

本文將介紹幾種不同類型的固有開關(guān)穩(wěn)壓器噪聲：開關(guān)紋波、寬帶噪聲和高頻尖峰。還將討論和分析開關(guān)穩(wěn)壓器的PSRR，因為它們與輸入噪聲抑制有關(guān)。在設(shè)計低噪聲開關(guān)穩(wěn)壓器時，全面了解開關(guān)穩(wěn)壓器噪聲非常重要，這樣才能去除LDO后電壓調(diào)節(jié)器，從而提高功率轉(zhuǎn)換器效率，節(jié)省解決方案尺寸并降低設(shè)計成本。

2022-12-28

開關(guān)穩(wěn)壓器  噪聲

噪聲并非一無是處：如何將噪聲用于測試和電路應(yīng)用

電子工程師和技術(shù)人員習(xí)慣將噪聲視為負(fù)面因素，因而在元器件選擇、電路設(shè)計和電路板布局過程中會進(jìn)行優(yōu)化以實現(xiàn)低噪聲。事實上，隨機(jī)或偽隨機(jī)噪聲有時候很有用。本文將進(jìn)一步說明為什么要利用噪聲以及如何利用。

2022-12-27

噪聲  測試應(yīng)用  電路應(yīng)用

淺談碳化硅壽命中的挑戰(zhàn)

功率半導(dǎo)體作為電力電子行業(yè)的驅(qū)動力之一，在過去幾十年里硅(Si)基半導(dǎo)體器件以其不斷優(yōu)化的技術(shù)和成本優(yōu)勢主導(dǎo)了整個電力電子行業(yè)，但它也正在接近其理論極限，難以滿足系統(tǒng)對高效率、高功率密度的需求。而當(dāng)下碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體以其優(yōu)異的電學(xué)和熱學(xué)特性使得功率半導(dǎo)體器件...

2022-12-26

碳化硅  功率半導(dǎo)體