-
貿(mào)澤電子深入探討以人為本的工業(yè)5.0新變革
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 發(fā)布新一期Empowering Innovation Together (EIT) 技術(shù)系列，重點介紹新興的工業(yè)5.0格局。在這個工業(yè)化的新階段，人類、環(huán)境和社會等因素都將作為重要的方面，體現(xiàn)在未來工廠車間的先進(jìn)技術(shù)、機(jī)器人和智能機(jī)器中。
2024-11-28
貿(mào)澤電子 工業(yè)5.0
-
開拓創(chuàng)新，引領(lǐng)醫(yī)療植入物與醫(yī)療保健解決方案的發(fā)展潮流
憑借超過40年的專業(yè)經(jīng)驗和卓越的可靠性，瑞士微晶（Micro Crystal）生產(chǎn)的組件能夠滿足苛刻的醫(yī)療應(yīng)用需求。特別是，其推出的首款全陶瓷封裝的實時時鐘模塊（RTC），不僅具有超低時間保持功耗，還具備防氦特性。
2024-11-28
醫(yī)療保健解決方案
-
兩輪電動車觸摸屏對觸摸控制器提出的獨特要求
雖然無數(shù)關(guān)于未來交通的文章都以四輪電動車作為討論重點，但在印度、馬來西亞、泰國和印度尼西亞等諸多國家，出行更依賴于經(jīng)濟(jì)的兩輪電動車，包括踏板式摩托車、重型摩托車、電動摩托車、電動輕便摩托車和電動自行車。這些兩輪電動車緊跟四輪電動車的設(shè)計趨勢，采用觸摸屏進(jìn)行控制，而不用物理旋鈕...
2024-11-27
兩輪電動車 觸摸控制器 觸摸屏
-
英飛凌推出OptiMOS Linear FET 2 MOSFET，賦能先進(jìn)的熱插拔技術(shù)和電池保護(hù)功能
【2024年11月25日, 德國慕尼黑訊】為了滿足AI服務(wù)器和電信領(lǐng)域的安全熱插拔操作要求，MOSFET必須具有穩(wěn)健的線性工作模式和較低的 RDS(on)。
2024-11-27
英飛凌
-
創(chuàng)實技術(shù)electronica 2024首秀：加速國內(nèi)分銷商海外拓展之路
作為全球規(guī)模最大、最具影響力的電子元器件展會，備受矚目的2024德國慕尼黑國際電子元器件博覽會（electronica 2024）于2024年11月12-15日，在德國·慕尼黑展覽中心盛大舉行。科技日新月異，電子元器件作為信息技術(shù)的基石，正再一次引領(lǐng)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新一輪變革。時隔2年之久，疊加全球科技和經(jīng)濟(jì)...
2024-11-26
創(chuàng)實技術(shù) electronica 分銷商
-
意法半導(dǎo)體披露 2027-2028 年財務(wù)模型及2030年目標(biāo)實現(xiàn)路徑
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 于前天在法國巴黎舉辦了資本市場日活動。在公司戰(zhàn)略保持不變的框架內(nèi)，意法半導(dǎo)體重申了200億+美元的營收目標(biāo)和相關(guān)財務(wù)模型，預(yù)計將在 2030 年實現(xiàn)這一目標(biāo)。意法半導(dǎo)體還制定了一...
2024-11-25
意法半導(dǎo)體 財務(wù)模型
-
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（三）——功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-11-25
功率器件 熱設(shè)計 功率半導(dǎo)體 散熱器
-
在智能照明產(chǎn)品設(shè)計中實施Matter協(xié)議的經(jīng)驗教訓(xùn)
連接標(biāo)準(zhǔn)聯(lián)盟（CSA）是一個由 550 家消費設(shè)備制造商和芯片公司組成的聯(lián)盟，它定義了 Matter 標(biāo)準(zhǔn)，其愿景是讓智能家居設(shè)備的控制變得簡單、可靠和安全：用戶首選的應(yīng)用程序，例如亞馬遜的 Alexa、Google Home 或蘋果的 Siri，將能夠控制家中的任何經(jīng)過 Matter 認(rèn)證的設(shè)備，無論哪個品牌制造。
2024-11-23
智能照明 Matter協(xié)議
-
提高下一代DRAM器件的寄生電容性能
隨著傳統(tǒng)DRAM器件的持續(xù)縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會對器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響，未來可能需要新的DRAM結(jié)構(gòu)來降低總電容，并使器件發(fā)揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問晶體管 (VCAT) DRAM結(jié)構(gòu)的寄生電容。結(jié)果表明，與6F2結(jié)構(gòu)相比，4F2結(jié)...
2024-11-20
DRAM器件 寄生電容
- IOTE 2025深圳物聯(lián)網(wǎng)展：七大科技領(lǐng)域融合，重塑AIoT產(chǎn)業(yè)生態(tài)
- 全局快門CMOS傳感器選型指南：從分辨率到HDR的終極考量
- DigiKey B站頻道火出圈：粉絲破10萬大關(guān)，好禮送不停
- ADAS減負(fù)神器：TDK推出全球首款PoC專用一體式電感器
- 國產(chǎn)5G模組里程碑，移遠(yuǎn)通信AI模組SG530C-CN實現(xiàn)8TOPS算力+全鏈自主化
- 專為高頻苛刻環(huán)境設(shè)計！Vishay新款CHA系列0402車規(guī)薄膜電阻量產(chǎn)上市
- 散熱效率翻倍！Coherent金剛石-碳化硅復(fù)合材料讓芯片能耗砍半
- 重磅公告！意法半導(dǎo)體2025年Q2業(yè)績發(fā)布及電話會議時間確定
- 超級電容技術(shù)全景解析：從物理原理到選型實踐，解鎖高功率儲能新紀(jì)元
- MHz級電流測量突破：分流電阻電感補(bǔ)償技術(shù)解密
- 告別電壓應(yīng)力難題：有源鉗位助力PSFB效率突破
- DigiKey B站頻道火出圈：粉絲破10萬大關(guān)，好禮送不停
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
