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IDT推出最低功率DDR3內(nèi)存緩沖芯片
IDT推出最低功率DDR3內(nèi)存緩沖芯片MB3518,擁有獨有的調(diào)試和驗證特性,包括每個引腳和晶片示波器的支持和內(nèi)置邏輯分析儀的采集以促進全緩沖 DIMM 拓撲技術(shù)的開發(fā)、驗證和測試。這些特性對于 LRDIMM 模塊上的內(nèi)存緩沖到 DRAM 接口尤其重要,因為它是完全獨立于主控制器和自動測試儀的。
2012-11-13
DDR3 內(nèi)存 美光
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EMI來源分析
電子解決方案的廣泛應(yīng)用給我們的生活帶來舒適、安全的享受,并把醫(yī)療服務(wù)帶到我們的身邊。但是,這些解決方案同時也產(chǎn)生了具有電子危害的 EMI 信號。本文將介紹一些具體電子產(chǎn)品的EMI產(chǎn)生。
2012-11-13
EMI 來源
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村田推出汽車用陶瓷電容器,獲得安全規(guī)格認證
村田制作所推出用于汽車應(yīng)用的陶瓷電容器DE6系列型號KJ,已獲得安全規(guī)格認證。同時作為搭載于汽車中的零部件,能夠確保溫度循環(huán)1000周期的高信賴性也將成為其必要條件。
2012-11-12
村田 汽車 陶瓷電容器 安全規(guī)格認證
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以太網(wǎng)端口四大電氣威脅的保護設(shè)計
在許多情況下,設(shè)計人員為了保持設(shè)備的可靠性,主要針對四種主要威脅而采取保護:雷電感應(yīng)浪涌(IEC 61000-4-5,GR-1089,ITU);ESD,即靜電放電(IEC 61000-4-2);EFT,即電氣快速瞬變(IEC 61000-4-4);CDE,即電纜放電事件。電路板設(shè)計人員通常使用TVS二極管陣列來為以太網(wǎng)端口提供保護,本文將針對...
2012-11-12
以太網(wǎng) 雷電浪涌 ESD 電氣快速瞬變 電纜放電 電路保護
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如何區(qū)分ESD靜電阻抗器的好壞?
目前市面上已經(jīng)存在多種ESD保護器件,但最常用的可分成三大類:聚合體、壓敏電阻/抑制器和二極管。選擇合適的ESD保護器件,最大的難點在于如何最容易地明確哪種器件可以提供最大的保護。
2012-11-11
ESD 阻抗器 二極管
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嵌入式系統(tǒng)設(shè)計中的掉電保護方案
掉電保護是指在正常供電電源掉電時,迅速用備用直流電源供電,以保證在一段時間內(nèi)信息不會丟失,當主電源恢復(fù)供電時,又自動切換為主電源供電。本文介紹的是在用ARM7系列芯片S3C4510B和μClinux構(gòu)建的嵌入式平臺上實現(xiàn)的掉電保護。
2012-11-09
嵌入式 掉電保護
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電路保護中熔斷器的應(yīng)用
電源電路中的熔斷器電路起過流保護作用,當流過電路中的電流大到一定程度時,電路中的熔斷器自動熔斷,切斷電流的回路,防止大電流進一步損壞電路中的其他元器件。
2012-11-09
電路保護 熔斷器
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浪涌電壓抑制器的設(shè)計分析
浪涌電壓抑制器是電路過壓保護的一種重要設(shè)計,本文將對浪涌電壓抑制器的設(shè)計原理與應(yīng)用進行分析介紹。
2012-11-08
電路 防雷 浪涌電壓抑制器
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安森美推出下一代智能手機多內(nèi)核負載集成DC-DC轉(zhuǎn)換器
安森美推出用于便攜電子產(chǎn)品的圖形及內(nèi)核處理器應(yīng)用的新型集成DC-DC轉(zhuǎn)換器,其尖端的新器件NCP6338精確配置電壓輸出,配合下一代智能手機及平板電腦的最新多內(nèi)核負載要求,集成的眾多功能省去了通常需要的額外功率元件,因而縮減總體物料單(BOM)、節(jié)省電路板空間并簡化設(shè)計過程。
2012-11-07
安森美 轉(zhuǎn)換器 智能手機
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