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雙柵結(jié)構(gòu) SiC FETs 在電路保護(hù)中的應(yīng)用
據(jù)介紹，Qorvo 是一家專注于射頻領(lǐng)域，在包括 5G、WiFi 和 UWB 等通信技術(shù)都有投入的公司。此外，Qorvo 在觸控和電源等方面也有布局。如在 2021 年領(lǐng)先碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 UnitedSiC 公司的收購，就擴(kuò)展 Qorvo 在高功率應(yīng)用方面的市場機(jī)會(huì)，這部分業(yè)務(wù)也被納入了 Qorvo 的 IDP 部門。
2022-12-28
雙柵結(jié)構(gòu) SiC FETs 電路保護(hù)
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擴(kuò)大40年期電源電壓范圍，從<300uA到3A無電阻電流檢測解決方案
測量系統(tǒng)中的電流是監(jiān)測系統(tǒng)狀態(tài)的一種基本而有效的工具。隨著科技發(fā)展，電子或電氣系統(tǒng)在性能提升的同時(shí)，物理尺寸大大縮小，并降低了功耗和成本。每個(gè)電子設(shè)備都在監(jiān)測自己的健康和狀態(tài)，而這些診斷提供了管理系統(tǒng)所需的重要信息，甚至決定了其未來的設(shè)計(jì)升級(jí)。
2022-12-28
電源電壓 無電阻電流檢測
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氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)專利：RC負(fù)偏壓關(guān)斷技術(shù)之松下篇
松下與英飛凌曾共同研發(fā)了增強(qiáng)型GaN GIT功率器件，兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產(chǎn)品。對于其柵極驅(qū)動(dòng)IC，如上期所介紹的，英飛凌對其GaN EiceDRIVER? IC已布局有核心專利；而松下在這一技術(shù)方向下也是申請了不少專利，其中就包括采用RC電路的負(fù)壓關(guān)斷方案。
2022-12-22
氮化鎵 柵極驅(qū)動(dòng) RC負(fù)偏壓關(guān)斷技術(shù)
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簡述SiC MOSFET短路保護(hù)時(shí)間
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說，在一定的短路耐受時(shí)間（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路時(shí)間不超過這個(gè)SCWT，器件基本上是安全的（超大電流導(dǎo)致的寄生晶閘管開通latch up除外，本篇不討論）。
2022-12-22
SiC MOSFET 短路保護(hù)時(shí)間
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PCI－Express總線接口的布線規(guī)則
PCIE是一種典型的串行總線，本文是針對PCI-E接口的布線規(guī)則，這些規(guī)則是很多芯片廠商的設(shè)計(jì)指導(dǎo)，也是很多老工程師耳熟能詳?shù)慕鹂朴衤伞?/p>
2022-12-21
PCI－Express 總線接口
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LC低通濾波器原理及設(shè)計(jì)方法
前面提到過RC濾波器那么自然而然就存在LC濾波器，在汽車的電子控制器中幾乎每個(gè)控制器都會(huì)用到LC濾波器，特別是在電源輸入的地方可以獲得更好的EMI效果。
2022-12-21
LC低通濾波器
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Transphorm按功率段發(fā)布氮化鎵功率管可靠性評(píng)估數(shù)據(jù)
加州戈利塔—2012年12月15 日--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供貨商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今日發(fā)布了針對其氮化鎵功率管的最新可靠性評(píng)估數(shù)據(jù)。評(píng)估可靠性使用的失效率（FIT）是分析客戶現(xiàn)場應(yīng)用中失效的器件數(shù)。迄今為止，基于超過850億小時(shí)的現(xiàn)場應(yīng)用數(shù)據(jù)，...
2022-12-20
Transphorm 功率管 可靠性評(píng)估
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新穎功率電感器設(shè)計(jì)，用于緊湊型大電流 DC／DC 轉(zhuǎn)換器
電感器是 DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的關(guān)鍵組件，因?yàn)樗軌蛞种?AC 紋波電流，從而在輸出中提供平滑的 DC 電流。一代的電子設(shè)備非常緊湊，并且具有越來越先進(jìn)的功能。它們通常由電池供電，需要高能效，從基本組件開始，例如 DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的電感器。
2022-12-19
功率電感器 大電流 DC／DC 轉(zhuǎn)換器
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使用 SiC JFET 接近完美開關(guān)
碳化硅 (SiC) JFET堅(jiān)固耐用，具有高能量雪崩和短路耐受額定值，而且值得注意的是，它們在每單位芯片面積的 FOM 導(dǎo)通電阻R DS(on) × A方面擊敗了所有其他技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了價(jià)值接近材料的理論極限（圖 1）。這個(gè)品質(zhì)因數(shù)直接關(guān)系到開關(guān)的實(shí)際性能及其經(jīng)濟(jì)性，與競爭技術(shù)相比，每個(gè)晶圓的芯片數(shù)量更多，性...
2022-12-16
SiC JFET接近開關(guān)
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