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LLC轉換器設計穩(wěn)健型同步整流解決方案
為了理解這種技術，讓我們回顧一些為LLC轉換器設計穩(wěn)健型同步整流解決方案時遇到的挑戰(zhàn)。在其最簡單的層面上，同步整流需要金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）仿真二極管的行為。簡言之，當電流擬從正極流向負極時，MOSFET導通。一旦電流開始從負極流向正極，則MOSFET關斷。
2022-02-09
LLC轉換器 穩(wěn)健型同步整流
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LDO如何更加功效
隨著物聯網 （IoT） 不斷占領于我們的住宅和辦公場所，我們會發(fā)現越來越多的電器和系統(tǒng)集成了電子元器件，而且我們能夠在世界上的任何一個角落訪問這些電器和系統(tǒng)。不過，由于有如此之多的設備被連接到我們的住宅和辦公室，我們消耗了難以計數的待機電能。
2022-02-08
LDO 物聯網
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可編程輸入倍頻法如何減少整數邊界雜散
您曾設計過具有分數頻率合成器的鎖相環(huán)（PLL）嗎？這種合成器在整數通道上看起來很棒，但在只稍微偏離這些整數通道的頻率點上雜散就會變得高很多，是吧？如果是這樣的話，您就已經遇到過整數邊界雜散現象了 —— 該現象發(fā)生在載波的偏移距離等于到最近整數通道的距離時。
2022-02-08
可編程輸入倍頻法 整數邊界雜散
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如何仿真轉換器的數字輸入／輸出
對于SAR-ADC的仿真比較復雜。目前來看，還沒有準確模擬整個器件的完整轉換器模型?，F有資源是一個仿真模擬輸入引腳穩(wěn)定性的模擬SPICE文件。有了它，用戶就有了一款強大工具，使用戶能夠解決其中一個最關鍵、最棘手的轉換器問題。
2022-02-08
仿真轉換器 數字輸入／輸出
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針對SiC串擾抑制方法的測試報告
近年來，以SiCMOSFET 為代表的寬禁帶半導體器件因其具有高開關頻率、高開關速度、高熱導率等優(yōu)點，已成為高頻、高溫、高功率密度電力電子變換器的理想選擇。然而隨著SiC MOSFET開關速度加快，橋式電路受寄生參數影響加劇，串擾現象更加嚴重。由于SiC MOSFET 正向閾值電壓與負向安全電壓較小，串擾問...
2022-02-08
SiCMOSFET 串擾抑制
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Bourns宣布IsoMOV? 保護器榮獲 2021 年度電子產品無源產品獎
Bourns宣布，其 IsoMOV? 保護器贏得了2021 年度電子產品無源產品獎。Bourns? IsoMOV ? 混合保護組件被選為 MOV 設備設計的重大突破。完全集成的 GDT 和 MOV 混合設計提供了一種創(chuàng)新的保護解決方案，可解決 MOV 退化問題，同時顯著提高浪涌性能、使用壽命和設備可靠性。
2022-02-07
Bourns IsoMOV? 保護器 無源產品獎
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貿澤電子新品推薦：2021全年推出近70000個新物料
致力于快速引入新產品與新技術的業(yè)界知名分銷商貿澤電子， 首要任務是提供來自1200多家知名廠商的新產品與技術，幫助客戶設計出先進產品，并加快產品上市速度。貿澤旨在為客戶提供全面認證的原廠產品，并提供全方位的制造商可追溯性。
2022-01-27
貿澤電子 新物料
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在當今高壓半導體器件上執(zhí)行擊穿電壓和漏流測量
在經過多年研究和設計之后，碳化硅(SiC)和氮化鎵 (GaN)功率器件正變得越來越實用。這些器件盡管性能很高，但它們也帶來了許多挑戰(zhàn)，包括柵極驅動要求。SiC要求的柵極電壓(Vgs)要高得多，在負偏置電壓時會關閉。GaN的閾值電壓(Vth)則低得多，要求嚴格的柵極驅動設計。寬帶隙(WBG)器件由于物理特點，...
2022-01-27
高壓半導體器件 擊穿電壓 漏流測量
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擔心柵極驅動器的絕緣能力？采用'BIER'測試吧
最新的寬帶間隙（WBG）半導體正走向最理想的狀態(tài)，也就是具有高電壓和低損耗的超快速切換，而現代的MOSFET和溝槽IGBT也可以有高dV/dt和di/dt。然而，下橋臂電路中的快速切換會將瞬態(tài)電壓耦合到柵極驅動電路，從而造成混亂或損壞，同時上橋臂柵極驅動器的信號和電源隔離還會受到應力影響。本文將探討...
2022-01-27
柵極驅動器 絕緣能力 BIER測試
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