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4個(gè)MOS管驅(qū)動的全橋電路原理
電路首先,單片機(jī)能夠輸出直流信號,但是它的驅(qū)動才能也是有限的,所以單片機(jī)普通做驅(qū)動信號,驅(qū)動大的功率管如MOS管,來產(chǎn)生大電流從而驅(qū)動電機(jī),且占空比大小能夠經(jīng)過驅(qū)動芯片控制加在電機(jī)上的均勻電壓到達(dá)轉(zhuǎn)速調(diào)理的目的。
2021-11-24
MOS管驅(qū)動 全橋電路
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小信號放大電路故障的檢測
模擬信號是指用連續(xù)變化的物理量表示的信息,其信號的幅度,或頻率,或相位均隨時(shí)間作連續(xù)變化,如廣播電視中的聲音信號,或圖像信號等。處理模擬信號的電子電路稱為模擬電路。模擬電路主要包括放大電路、振蕩電路和電源電路等。
2021-11-19
小信號 放大電路
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怎樣正確選擇同步降壓 MOSFET 電阻比?
反激式轉(zhuǎn)換器在連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 和非連續(xù)導(dǎo)通模式 (DCM)下都可以工作。但對許多低功耗和低電流應(yīng)用而言,DCM反激式轉(zhuǎn)換器更加緊湊而且成本更低。本文將詳細(xì)介紹此類轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)步驟
2021-11-19
同步降壓 MOSFET 電阻比
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如何選擇電源系統(tǒng)開關(guān)控制器的 MOSFET?
DC/DC 開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇是一個(gè)復(fù)雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。要想讓 MOSFET 維持在規(guī)定范圍以內(nèi),必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中,這種情況會變得更加復(fù)雜。
2021-11-19
電源系統(tǒng) 開關(guān)控制器 MOSFET
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如何在48V系統(tǒng)中輕松應(yīng)用GaN FET?
GaN FET可以應(yīng)用在48V電源系統(tǒng)中,但由于缺乏配合GaN FET工作的合適控制器,工程師們常利用DSP數(shù)字解決方案來實(shí)現(xiàn)其高頻和高效率設(shè)計(jì)。然而,DSP解決方案因?yàn)樾枰~外的IC而增加了復(fù)雜性和難度。本文介紹了一種兼容GaN FET的模擬控制器,它只需很少的器件,就可以讓設(shè)計(jì)人員像使用硅FET一樣簡單地設(shè)...
2021-11-17
48V系統(tǒng) GaN FET
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保護(hù)器件過電應(yīng)力失效機(jī)理和失效現(xiàn)象淺析
半導(dǎo)體元器件在整機(jī)應(yīng)用端的失效主要為各種過應(yīng)力導(dǎo)致的失效,器件的過應(yīng)力主要包括工作環(huán)境的緩變或者突變引起的過應(yīng)力,當(dāng)半導(dǎo)體元器件的工作環(huán)境發(fā)生變化并產(chǎn)生超出器件最大可承受的應(yīng)力時(shí),元器件發(fā)生失效。應(yīng)力的種類繁多,如表1,其中過電應(yīng)力導(dǎo)致的失效相對其它應(yīng)力更為常見。
2021-11-16
保護(hù)器件 過電應(yīng)力失效
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USB Type-C接口EMC設(shè)計(jì)及過壓防護(hù)方案
依托巨大的市場發(fā)展,智能手機(jī)在原有的通訊功能基礎(chǔ)上,正體現(xiàn)出其強(qiáng)大的功能擴(kuò)展性。同時(shí)其高功耗也對智能手機(jī)的續(xù)航能力提出越來越高的要求。2014 年,Type-C 伴隨著最新的USB3.1 標(biāo)準(zhǔn)橫空出世,這類全新的接口形式,憑借其便捷的正反面拔插,大功率的供電,快速的傳輸速率等功能得到廣泛認(rèn)可。但...
2021-11-15
USB Type-C EMC 過壓防護(hù)
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能否讓低壓放大器自舉來獲得高壓緩沖器?
當(dāng)然是可以的!您可以采用具有出色輸入特性的運(yùn)算放大器,并進(jìn)一步提高其性能,使其電壓范圍、增益精度、壓擺率和失真性能均優(yōu)于原來的運(yùn)算放大器。
2021-11-10
低壓放大器 高壓緩沖器
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環(huán)路供電變送器設(shè)計(jì)的三種解決方案
環(huán)路供電變送器已經(jīng)從純粹的模擬信號調(diào)理器發(fā)展為高度靈活的智能變送器,但所選擇的設(shè)計(jì)方法仍取決于系統(tǒng)的性能、功能和成本要求。
2021-11-10
環(huán)路供電變送器
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