- 采用TSON先進(jìn)封裝
- 額定電流范圍為13A~26A
- RDS為4.3~12.2milliohms (mΩ)
- 輸入電容從990~2200 picofarads (pF)
- 反向傳輸電容(Crss)從54~140pF
- 同步DC-DC轉(zhuǎn)換器,如移動(dòng)和臺(tái)式電腦,服務(wù)器,游戲機(jī)和其它電子器件
- 移動(dòng)和臺(tái)式電腦,服務(wù)器,游戲機(jī)和其它電子器件
Toshiba美國電子元器件公司(TAEC)推出6器件采用TSON先進(jìn)封裝的30V MOSFET系列。這些新器件用于同步DC-DC轉(zhuǎn)換器中,如移動(dòng)和臺(tái)式電腦,服務(wù)器,游戲機(jī)和其它電子器件中,移動(dòng)和臺(tái)式電腦,服務(wù)器,游戲機(jī)和其它電子器件。由Toshiba開發(fā)的器件采用第五和第六代UMOS V-H和UMOS VI-H工藝技術(shù),通過低柵極電荷(QSW)實(shí)現(xiàn)低側(cè)MOSFET的低導(dǎo)通電阻和高側(cè)MOSFET的快速轉(zhuǎn)換速度。薄型,緊湊型,3.3mmx3.3mmx0.9mm TSON先進(jìn)封裝相比于廣泛采用5.0mmx6.0mm SOP-8封裝,降低了64%的貼裝面積要求,同時(shí)具有同等功耗1.9W。
新的產(chǎn)品系列包括5個(gè)N溝道MOSFET和1個(gè)MOSBD,MOSFET和肖特基二極管融合在一個(gè)單一芯片上,提供了低電感結(jié)構(gòu),從而提高功效。此產(chǎn)品系列提供了一系列特性使設(shè)計(jì)者符合各種系統(tǒng)要求。額定電流范圍為13A~26A,RDS(ON) (典型值)為4.3~12.2milliohms (mΩ),輸入電容從990~2200 picofarads (pF) (典型值),反向傳輸電容(Crss)從54~140pF(典型值)。