產(chǎn)品特性:
- 5 毫米 x 6 毫米 SON 外形
- 無需增加功率損耗便可將頻率提高 2 倍;
- 底部采用裸露接地焊盤的 SON 封裝可簡化布局。
應用范圍:
- 服務器、臺式機與筆記本電腦、基站、交換機、路由器以及高電流負載點 (POL) 轉(zhuǎn)換器
德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實現(xiàn)超過 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋,其占位面積僅為同類競爭功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過高級封裝將 2 個非對稱 NexFET 功率 MOSFET 進行完美整合,可為服務器、臺式機與筆記本電腦、基站、交換機、路由器以及高電流負載點 (POL) 轉(zhuǎn)換器等低電壓同步降壓半橋應用實現(xiàn)高性能。
NexFET 功率模塊除提高效率與功率密度外,還能夠以高達 1.5 MHz 的開關頻率生成高達 40 A 的電流,可顯著降低解決方案尺寸與成本。優(yōu)化的引腳布局與接地引線框架可顯著縮短開發(fā)時間,改善整體電路性能。此外,NexFET 功率模塊還能夠以低成本方式實現(xiàn)與 GaN 等其他半導體技術(shù)相當?shù)男阅堋?/p>
CSD86350Q5D 功率模塊的主要特性與優(yōu)勢:
-- 5 毫米 x 6 毫米 SON 外形僅為兩個采用 5 毫米 x 6 毫米 QFN 封裝的分立式
MOSFET 器件的 50%;
-- 可在 25 A 的工作電流下實現(xiàn)超過 90% 的電源效率,與同類競爭器件相比,效
率高 2%,功率損耗低 20 %;
-- 與同類解決方案相比,無需增加功率損耗便可將頻率提高 2 倍;
-- 底部采用裸露接地焊盤的 SON 封裝可簡化布局。
供貨與價格情況
采用 5 毫米 x 6 毫米 SON 封裝的 NexFET 功率模塊器件現(xiàn)已開始批量供貨,可通過 TI 及其授權(quán)分銷商進行訂購。此外,樣片與評估板也已同步開始提供。