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DDR測(cè)試系列之二——使用力科WaveScan技術(shù)分離DDR讀寫(xiě)周期
測(cè)量DDR2存儲(chǔ)設(shè)備需要把讀/寫(xiě)的訪問(wèn)周期分離開(kāi)來(lái)。在DDR2中通過(guò)Strobe和Data總線之間的關(guān)系可以區(qū)分出來(lái)讀和寫(xiě)的操作。如圖1所示，在讀操作時(shí)Data和Strobe的跳變是同步的，而在寫(xiě)操作時(shí)Strobe的跳變則領(lǐng)先于Data。我們利用這種時(shí)序上的差異就可以分離出讀操作和寫(xiě)操作。
2009-12-18
DDR測(cè)試 力科 WaveScan 分離讀寫(xiě)周期
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DDR測(cè)試系列之三—— 某SDRAM時(shí)鐘分析案例
SDRAM時(shí)鐘分析案例:串聯(lián)匹配是較好的SDRAM的時(shí)鐘端接策略，在原理圖設(shè)計(jì)中，需要加上串聯(lián)的電阻和并聯(lián)的電容，如果MCU輸出的時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)能力弱，可以不使用并聯(lián)的電容或者換用較小的電阻。準(zhǔn)確的測(cè)量?jī)?nèi)存時(shí)鐘需要足夠帶寬的示波器和探頭，無(wú)源探頭在高頻時(shí)阻抗太小，不能準(zhǔn)確的測(cè)量波形，需要使用高帶...
2009-12-18
DDR 測(cè)試 SDRAM 時(shí)鐘分析
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東大等驗(yàn)證7μm的極薄晶圓也不會(huì)影響CMOS元件
東京大學(xué)研究生院工學(xué)系研究專(zhuān)業(yè)附屬綜合研究機(jī)構(gòu)與日本迪思科（Disco）、大日本印刷、富士通研究所以及WOW研究中心等共同開(kāi)發(fā)出了可將300mm晶圓（硅底板）打薄至7μm的技術(shù)。
2009-12-18
東大 晶圓 CMOS元件 IEDM MOSFET WOW項(xiàng)目 硅
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工信部明確環(huán)保使用期限，控制電子產(chǎn)品污染
日前，為了幫助廣大電子信息產(chǎn)品制造企業(yè)確定所生產(chǎn)產(chǎn)品的環(huán)保使用期限，工業(yè)和信息化部發(fā)布了《電子信息產(chǎn)品環(huán)保使用期限通則》(簡(jiǎn)稱(chēng)《通則》)。
2009-12-18
工信部 電子產(chǎn)品污染 環(huán)保
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AUIPS7121R/7141R：IR推出堅(jiān)固可靠的智能功率開(kāi)關(guān)
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出 AUIPS7121R 和 AUIPS7141R 65V 高側(cè)智能功率開(kāi)關(guān) (IPS) 。新產(chǎn)品具有精確的電流感應(yīng)和內(nèi)置保護(hù)電路，適用于嚴(yán)苛的24V汽車(chē)環(huán)境，如卡車(chē)的引擎罩接線盒等。
2009-12-18
IR AUIPS7121R AUIPS7141R 智能功率開(kāi)關(guān)
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繼電器：行業(yè)出現(xiàn)轉(zhuǎn)機(jī) 新興市場(chǎng)尋求突破
國(guó)家十大產(chǎn)業(yè)振興規(guī)劃涉及的行業(yè)無(wú)不與繼電器產(chǎn)品有關(guān)，高速鐵路、電力能源、汽車(chē)、裝備制造業(yè)等等都在升級(jí)換代，要求更多、更新技術(shù)的繼電器產(chǎn)品。
2009-12-18
繼電器 行業(yè)轉(zhuǎn)機(jī) 新興市場(chǎng) 電子元件
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富士通英國(guó)員工擬6次罷工抗議公司裁員
富士通的英國(guó)員工將連續(xù)進(jìn)行六次罷工活動(dòng)，內(nèi)容是反對(duì)該公司采取裁員、凍結(jié)薪酬及養(yǎng)老金改革等措施。
2009-12-18
富士通 英國(guó) 罷工 抗議 裁員
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電子電氣設(shè)備的電路隔離技術(shù)
對(duì)電子電氣電路的各種隔離進(jìn)行了詳盡的分析討論，提出了抑制干擾而采取的電氣隔離的技術(shù)措施，從而保證電氣設(shè)備的正常工作。
2009-12-18
電子 電氣 設(shè)備 電路隔離
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MGA-30x89系列：安華高科技推出三款新高線性增益方塊
Avago的MGA-30x89系列具有容易使用以及更廣帶寬等特性，使得這些增益方塊成為移動(dòng)通信設(shè)備、WiMAX無(wú)線基站、衛(wèi)星和有線電視機(jī)頂盒，以及其他各種40到6000MHz頻帶工作無(wú)線應(yīng)用的理想選擇。這些器件的平坦增益和高線性主要來(lái)自于采用Avago特有的0.25μm GaAs增強(qiáng)模式pHEMT工藝技術(shù)，內(nèi)置的溫度補(bǔ)償內(nèi)部...
2009-12-18
MGA-30x89 安華高科 高線性 增益方塊
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