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智能電表發(fā)展態(tài)勢(shì)強(qiáng)勁
智能電表作為新一代電能表，除了具備電能計(jì)量的基本功能外，還擁有用電信息存儲(chǔ)、遠(yuǎn)程采集、信息交互等功能。相較于原有的卡式表和機(jī)械式表，智能電表使用戶購(gòu)電更方便、用電更明白、生活更低碳。各種優(yōu)勢(shì)使智能電表受到我國(guó)社會(huì)各界的熱捧。
2013-05-16
智能電表
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高性能電解電容器是LED長(zhǎng)壽命的保障
LED是一種壽命極長(zhǎng)的電光源，其使用壽命可以達(dá)到10萬(wàn)小時(shí)。但是，在實(shí)際應(yīng)用中，LED的壽命并不能達(dá)到理想的長(zhǎng)度，有的甚至使用不到一年就已經(jīng)損壞。究其原因，鋁電解電容器是導(dǎo)致LED驅(qū)動(dòng)電路壽命達(dá)不到要求的關(guān)鍵元素。如果能做出長(zhǎng)壽命電解電容器，使電解電容器的壽命與LED壽命基本相同。那么，電...
2013-05-16
電解電容
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安森美推出降低30%開(kāi)關(guān)損耗的截止型IGBT器件
近日，安森美半導(dǎo)體推出新的第二代場(chǎng)截止型(FSII)IGBT器件，降低開(kāi)關(guān)損耗達(dá)30%，因而提供更高能效，并轉(zhuǎn)化為更低的外殼溫度，為設(shè)計(jì)人員增強(qiáng)系統(tǒng)總體性能及可靠性的選擇。這些新器件針對(duì)目標(biāo)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，相比現(xiàn)有器件能降低外殼溫度達(dá)20%。
2013-05-16
安森美 IGBT 開(kāi)關(guān)損耗
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今年Q2起多數(shù)半導(dǎo)體元件價(jià)格將會(huì)上升
半導(dǎo)體元件價(jià)格連續(xù)兩年放緩之后，半導(dǎo)體元件的長(zhǎng)期前景有望好轉(zhuǎn)，未來(lái)四年的復(fù)合年度增長(zhǎng)率(CAGR)預(yù)計(jì)達(dá)到5.7%。其增長(zhǎng)將來(lái)自無(wú)線市場(chǎng)的消費(fèi)支出增加，以及醫(yī)療、能源和公共基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域?qū)τ谛庐a(chǎn)品的需求。
2013-05-16
半導(dǎo)體 市場(chǎng) 平板電腦
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新型帶擴(kuò)展功能功率因數(shù)控制器 參數(shù)可視化存儲(chǔ)及處理
TDK新推出兩款BR7000系列新型功率因數(shù)控制器。其中BR7000-T控制器專為應(yīng)用于快速投切操作的EPCOS動(dòng)態(tài)晶閘管模塊而設(shè)計(jì)，而TDK新產(chǎn)品BR7000-I控制器配置了RS485接口，通過(guò)RS485接口與PC機(jī)連接，實(shí)現(xiàn)嵌入網(wǎng)絡(luò)、控制器耦合以及數(shù)據(jù)讀取。
2013-05-16
控制器 BR7000 功率因數(shù) TDK
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電源轉(zhuǎn)換新時(shí)代的來(lái)臨：IR開(kāi)始商業(yè)裝運(yùn)GaN器件
IR在業(yè)內(nèi)率先商業(yè)付運(yùn)可大幅提高現(xiàn)有電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率的GaN功率器件，預(yù)示著電源效率革命性改善新時(shí)代的到來(lái)。相比當(dāng)今最先進(jìn)的硅功率器件技術(shù)，氮化鎵技術(shù)平臺(tái)能夠?qū)⒖蛻舻碾娫磻?yīng)用的性能指數(shù)(FOM)提升10倍。
2013-05-15
IR GaN 電源轉(zhuǎn)換
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IGBT在太陽(yáng)能應(yīng)用中的高能效設(shè)計(jì)
對(duì)于太陽(yáng)能逆變器來(lái)說(shuō)，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)能比其他功率元件提供更多的效益，其中包括高載流能力、以電壓而非電流進(jìn)行控制，并能使逆并聯(lián)二極管與IGBT配合。本文將介紹如果利用全橋逆變器拓?fù)浼斑x用合適的IGBT，使太陽(yáng)能應(yīng)用的功耗降至最低。
2013-05-14
IGBT 太陽(yáng)能 逆變器 高能效
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EMC領(lǐng)軍企業(yè)揮師西部 大舉搶占軍工、航天、通信市場(chǎng) ——直面中國(guó)制造業(yè)向西部的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)移，先入為主，占領(lǐng)中國(guó)西部市場(chǎng)！
“ 中國(guó)(西部)EMC應(yīng)用技術(shù)展”是電磁兼容技術(shù)面向航天、軍工、通信領(lǐng)域的國(guó)際盛會(huì)。 成都，中國(guó)西部大開(kāi)發(fā)的龍頭城市，中國(guó)重要的基礎(chǔ)電子裝備基地、航天、軍品電子中心。
2013-05-13
EMC
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微波射頻電路及系統(tǒng)設(shè)計(jì)研討會(huì) 助力西部核心產(chǎn)業(yè)發(fā)展 為西部RF、微波和高頻電路及系統(tǒng)行業(yè)策劃的新技術(shù)交流會(huì)
“2013成都高頻電路及系統(tǒng)技術(shù)研討會(huì)”（6月21日 成都世紀(jì)城新國(guó)際會(huì)展中心）如火如荼進(jìn)行中，此次會(huì)議與“2013中國(guó)成都電子展”同期舉辦。是由專注于微波、射頻、無(wú)線技術(shù)的行業(yè)門戶網(wǎng)站微波射頻網(wǎng)（MWRF.NET）和中國(guó)歷史最悠久、最權(quán)威的中國(guó)電子展組委會(huì)聯(lián)合主辦的，已開(kāi)通官方網(wǎng)站：http://www.mwrf...
2013-05-13
微波射頻電路
- 貿(mào)澤推出全新一期EIT系列 探索可持續(xù)智能電網(wǎng)的技術(shù)創(chuàng)新
- 使用微型模制電感器可節(jié)省空間、降低損耗并提高電源完整性和效率
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- Teledyne e2v一站式成像模塊實(shí)現(xiàn) 200萬(wàn)像素視覺(jué)和3D深度數(shù)據(jù)
- Littelfuse推出高頻應(yīng)用的IX4341和IX4342雙5安培低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器
- Diodes 公司推出兩款符合汽車規(guī)格的霍爾效應(yīng)芯片系列
- 超低功耗與高精度兼?zhèn)洌ξ锫?lián)網(wǎng)與可穿戴設(shè)備的性能提升
- 從智能手機(jī)到助聽(tīng)器：MEMS音頻技術(shù)開(kāi)啟無(wú)限可能
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