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信號速率與線纜長度的關(guān)系
致力于CAN通信的設(shè)計人員遇到種種挑戰(zhàn)，往返信號傳輸成為一個重要的考慮因素。本文介紹信號速率與線纜長度的關(guān)系，解決了傳輸速率和長度的關(guān)系，信號的往返將不再是問題。
2010-06-23
信號速率 線纜 CAN通信
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多晶硅錠制造技術(shù)
用于制造太陽能硅片的多晶硅錠的生長是一個相當(dāng)復(fù)雜的工藝。硅錠生長工藝的目標(biāo)在于優(yōu)化硅錠合格率.因此生長工藝需要進行嚴格監(jiān)控，并需對定向凝固爐在結(jié)晶工藝期間的無數(shù)種變量加以有效控制。本文簡述多晶硅錠的制造技術(shù)
2010-06-23
多晶硅錠 凝固工藝 線切割 凝固爐
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新材料對測量技術(shù)的挑戰(zhàn)
在談及芯片技術(shù)進步時，除了不斷縮小的技術(shù)節(jié)點，新材料的采用往往可以另辟蹊徑。目前談?wù)撦^多的是高k介質(zhì)、金屬柵、低k材料等，其它一些較為冷門的材料，如碳納米管、石墨稀、二嵌段共聚物等也開始進入人們的視野。越是新興的物質(zhì)越難以捉摸和測量，這就要求測量技術(shù)能夠“與時俱進”。本文對新材料...
2010-06-23
新材料 測量技術(shù) 3D集成 硅通孔技術(shù)
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半導(dǎo)體制造晶圓檢測技術(shù)分析
半導(dǎo)體制造業(yè)廣泛采用了晶圓自動檢測方法在制造過程中檢測缺陷，以緩解工況偏差和減低總?cè)毕菝芏?。本文介紹晶圓檢測方法進展，有效方式識別與良率相關(guān)的缺陷。
2010-06-22
晶圓檢測 缺陷檢測 在線晶圓檢測
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通孔刻蝕工藝的檢測技術(shù)研究
隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)推進到更加先進的深亞微米技術(shù)，半導(dǎo)體金屬布線的層數(shù)越來越多，相應(yīng)的通孔刻蝕工藝也越多，并且伴隨著通孔的尺寸隨著器件設(shè)計尺寸逐步縮小。以DRAM制造為例，存儲量由4M發(fā)展到512M時，設(shè)計規(guī)則由1μm縮小到0.16μm，其中通孔的尺寸也從0.8μm下降到了0.25μm。通孔尺寸越小，刻蝕的...
2010-06-22
通孔刻蝕工藝 檢測技術(shù) 晶體管
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射頻封裝系統(tǒng)
在RF系統(tǒng)中，各類元件采用不同的技術(shù)制作而成，例如BBIC采用CMOS技術(shù)、收發(fā)機采用SiGe和BiCMOS技術(shù)、RF開關(guān)采用GaAs技術(shù)等。系統(tǒng)芯片(SOC)的優(yōu)勢是把所有功能整合在同一塊芯片上，但卻受到各種IC技術(shù)的限制，因此不能有效利用上述各項技術(shù)的優(yōu)勢。系統(tǒng)級封裝(SiP)可以對各種不同技術(shù)的不同電、熱和...
2010-06-22
射頻 封裝系統(tǒng) ASIC BBIC
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原子層淀積技術(shù)
ALD技術(shù)的獨特性決定了其在半導(dǎo)體工業(yè)中的運用前景十分廣泛。器件尺寸的縮小導(dǎo)致的介質(zhì)薄膜厚度的減小已超出了其物理和電學(xué)極限，同時高縱寬比在器件結(jié)構(gòu)中隨處可見。由于傳統(tǒng)的淀積技術(shù)很難滿足需求，ALD技術(shù)已充分顯示了其優(yōu)勢，為器件尺寸的繼續(xù)微縮提供了更加廣闊的空間。本文介紹原子層淀積技...
2010-06-22
原子層淀積 ALD MOCVD PVD
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產(chǎn)業(yè)巨人的投資使得德國太陽能產(chǎn)業(yè)在全球居于領(lǐng)先地位
來自全球太陽能產(chǎn)業(yè)巨人的投資使得德國光伏產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)穩(wěn)步增長，在2009年其3.8 GW 的總裝機容量或者一半新的裝機容量，使其在這一領(lǐng)域居于世界領(lǐng)先地位。
2010-06-22
太陽能 光伏 薄膜 電池
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Microchip擴展mTouch電容式觸摸傳感技術(shù)能力
Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布，推出業(yè)界第一個也是唯一的一項可以以金屬為前面板的電容式觸摸傳感技術(shù)。
2010-06-22
Microchip mTouch 電容式觸摸傳感
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