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估算電感在開關(guān)電源中的功耗
開關(guān)電源的功耗是多方面的，包括功率MOSFET損耗、輸入/輸出電容損耗、控制器靜態(tài)功耗以及電感損耗。本文主要討論電感損耗。眾所周知，電感損耗包括兩方面：其一是與磁芯相關(guān)的損耗，即傳統(tǒng)的鐵損；其二是與電感繞組相關(guān)的損耗，即通常所謂的銅損。本文介紹用估算的方法計算電感在開關(guān)電源中的功耗。
2008-10-09
功率電感 RDC 趨膚現(xiàn)象 滲透深度
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功率MOSFET驅(qū)動器提供了車載照明保護與控制
高壓側(cè)前置場 FET 驅(qū)動器和功率 FET 組合被廣泛地用于負載控制，這種組合還可能被應用于那些要求通過串行總線通信或者并行輸入控制來實現(xiàn)負載控制的工業(yè)和商業(yè)應用中。將每一個功率 FET 與熱相互作用隔離的這種能力，在那些單通道短路或者熱關(guān)閉故障不會中斷其它負載控制通道功能的情況下是非常有好...
2008-10-09
車載照明 FET 螺線管負載 浪涌電流
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電源對移動電話開關(guān)頻譜的影響
隨著移動電話市場的發(fā)展，移動電話已經(jīng)成為目前國內(nèi)電子制造業(yè)最大的熱點。移動電話是一個包含數(shù)字信號和模擬信號的復雜系統(tǒng)，在移動電話的設(shè)計調(diào)試和批量生產(chǎn)中，會碰到各種各樣技術(shù)問題。其中常見的問題之一是移動電話的開關(guān)頻譜不能滿足ETSI標準的要求。在實際工作中，發(fā)現(xiàn)移動電話使用的電源直...
2008-10-09
電源 移動電話 開關(guān)頻譜ETSI
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超級電容提高移動電話的音頻質(zhì)量和電源性能
超級電容填補了電池和普通電容之間的功率空隙，它能提供比電池更高的觸發(fā)功率，并能比普通電容存儲更多的能量。超級電容可以為峰值功率事件提供所需的觸發(fā)功率，然后接受電池的再充電。其好處包括延長通話時間、延長電池壽命、閃光更亮以及音樂質(zhì)量更佳。設(shè)計師還可以藉此節(jié)省空間和成本，因為他們...
2008-10-09
超級電容 失真 音樂手機 功率
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DC-DC變換器的輸入系統(tǒng)不穩(wěn)定性
目前，許多大型電子設(shè)備都趨向于采用直流分布式供電結(jié)構(gòu)，通過直流總線給多個DC-DC變換器進行供電，而變換器的輸出則直接供給各個負載。但是，利用DC-DC變換器來構(gòu)建分布式供電系統(tǒng)有一些關(guān)鍵問題需要解決，如輸入系統(tǒng)不穩(wěn)定性問題。如果措施不當，將損壞變換器甚至負載，造成巨大損失。
2008-10-09
分布式供電系統(tǒng) DC-DC變換器 輸入系統(tǒng)不穩(wěn)定性 ESR
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納米鋰電池技術(shù)剖析
可攜式電子產(chǎn)品對電池輕、薄、短、小與高容量的需求越來越高，而先進的納米科技在此一趨勢下扮演了重要角色，採用納米材料的鋰電池技術(shù)可達到高容量、高功率、高安全性的效果，在未來的市場應用上具備深厚潛力；本文將介紹目前納米級鋰電池材料與納米級鋰電池應用之開發(fā)進展現(xiàn)況，為讀者深入剖析此...
2008-10-09
納米科技 鋰電池 負極材料 3G
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MOSFET的開關(guān)速度將決定未來POL電源的性能
一個采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能夠于高達2MHz/相位下工作，并提供120A電流，且滿足負載點電源的瞬態(tài)響應要求。
2008-10-09
MOSFET DirectFET VRM 整流器
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理解精密比較器特殊的工作特性
本文重點介紹了精密比較器(比如LMP7300)如何能利用外部反饋電阻產(chǎn)生滯后效應，來克服現(xiàn)有比較器中常見的門限和滯后交互問題。
2008-10-08
比較器 門限 滯后 精密
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組合電源系統(tǒng)可靠性的計算方法
給出了組合電源系統(tǒng)的可靠性模型和可靠性的計算方法，總結(jié)了蓄電池對組合電源系統(tǒng)可靠性的影響。
2008-10-08
組合電源系統(tǒng) 蓄電池 可靠性 MTBF
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