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熟知引起電源模塊發(fā)熱的四大原因
一摸電源模塊的表面，熱乎乎的，模塊壞了？且慢，有一點(diǎn)發(fā)熱，僅僅只是因?yàn)樗Φ毓ぷ髦?。但高溫對電源模塊的可靠性影響極其大！基于電源模塊熱設(shè)計(jì)的知識，這一次，我們扒一扒引起電源模塊發(fā)熱的原因。
2018-11-28
電源模塊 電源發(fā)熱
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功率MOSFET線性區(qū)工作設(shè)計(jì)
功率MOSFET有三個(gè)工作狀態(tài)，在漏極導(dǎo)通特性曲線上，對應(yīng)的是三個(gè)工作區(qū)：截止區(qū)，線性區(qū)和可變電阻區(qū)。注意到：MOSFET的線性區(qū)有時(shí)也稱為：恒流區(qū)或飽和區(qū)。
2018-11-28
MOSFET 開關(guān)電源
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分享30條開關(guān)電源工作小技巧
電源開發(fā)是個(gè)技術(shù)活，也是個(gè)累活，工作繁雜時(shí)難免會犯一些低級小錯(cuò)誤。這些錯(cuò)誤，會導(dǎo)致一系列的連鎖反應(yīng)，需要采購部、生產(chǎn)部、PM、品管部、業(yè)務(wù)部、工程部等眾多部門來配合，以修正你的那個(gè)小錯(cuò)誤。
2018-11-27
開關(guān)電源 變壓器 電阻器
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你知道SiC MOSFET驅(qū)動負(fù)壓應(yīng)該如何選擇嗎？
SiC MOSFET與Si MOSFET在特定的工作條件下會表現(xiàn)出不同的特性，其中重要的一條是SiC MOSFET在長期的門極電應(yīng)力下會產(chǎn)生閾值漂移現(xiàn)象。以下將講解如何通過調(diào)整門極驅(qū)動負(fù)壓，來限制SiC MOSFET閾值漂移的方法。
2018-11-27
MOSFET 驅(qū)動負(fù)壓 Vth漂移
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Silicon Labs副總裁兼電源產(chǎn)品總經(jīng)理:電動汽車系統(tǒng)中的隔離應(yīng)用
Silicon Labs副總裁兼電源產(chǎn)品總經(jīng)理Ross Sabolcik近日分享關(guān)于電動汽車系統(tǒng)中的隔離應(yīng)用理解。在這些應(yīng)用中，電流隔離（通常是基于半導(dǎo)體的隔離）是必須的，以允許數(shù)字控制器安全地和現(xiàn)代EV高壓系統(tǒng)進(jìn)行連接。
2018-11-26
電動汽車系統(tǒng) 電流隔離
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非常全面！開關(guān)電源各種元器件的計(jì)算和選型
電源工程師絕對不容錯(cuò)過，這里將全面講解開關(guān)電源的各個(gè)元器件計(jì)算，損耗估算，散熱器的大小計(jì)算等內(nèi)容，建議可收藏。
2018-11-26
開關(guān)電源 元器件 計(jì)算 選型
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開關(guān)電源布線中各種接地方式
在開關(guān)電源布線中，基本原則是：根據(jù)實(shí)際應(yīng)用,先分清楚地線的種類, 然后選擇不同的接地方式；不論何種接地方式，都須遵守“低阻 抗，低噪聲”的原則。以下將介紹開關(guān)電源實(shí)際布線過程中要考慮各種“地”的特點(diǎn)及接地方式。
2018-11-21
開關(guān)電源 布線 接地方式
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Vishay電雙層儲能電容器系列器件榮獲AspenCore2018年度全球電子成就獎(jiǎng)
賓夕法尼亞、MALVERN — 2018年11月20日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，加固型225 EDLC-R ENYCAPTM系列電雙層儲能電容器榮獲AspenCore2018年度全球電子成就獎(jiǎng)。該器件是業(yè)內(nèi)首顆在+85 °C條件下使用壽命達(dá)到2000小時(shí)的產(chǎn)品，通過帶電85 / 85 1000小時(shí)測試，耐潮濕...
2018-11-21
Vishay 儲能電容器 AspenCore 電子成就獎(jiǎng)
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各種紋波噪聲詳解：低頻紋波、高頻紋波、環(huán)路紋波、共模噪聲、諧振噪聲
以下將詳細(xì)講解在開關(guān)電源或二極管中的各種紋波噪聲及抑制方法，各種紋波噪聲包括：低頻紋波、高頻紋波、環(huán)路紋波、共模噪聲、諧振噪聲，希望能幫到大家。
2018-11-21
開關(guān)電源 二極管 紋波 噪聲
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