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計算開關(guān)MOSFET中的功率損耗

文件來源:PI
文件類型:pdf
更新時間:2011-07-20
文件大?。?58K
開關(guān)MOSFET功率損耗的計算并不像最初看起來那么簡單。許多因素都與之有關(guān)。溝道(或垂直)MOSFET與橫向MOSFET的損耗特性有何不同呢?在低功率到中等功率應(yīng)用中,導(dǎo)通和開關(guān)損耗的相對影響如何變化?每種MOSFET的結(jié)構(gòu)的獨特特性如何影響高效率設(shè)計的開發(fā)呢?本資料將介紹如何計算開關(guān)MOSFET中的功率損耗。
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