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安森美引領(lǐng)行業(yè)的Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具的技術(shù)優(yōu)勢
本文旨在介紹 安森美 (onsemi) 的在線 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 所具有的技術(shù)優(yōu)勢，提供有關(guān)如何使用在線工具和可用功能的更多詳細(xì)信息。我們首先介紹一些與 SPICE 和 PLECS 模型有關(guān)的基礎(chǔ)知識，接下來介紹開關(guān)損耗提取技術(shù)和寄生效應(yīng)影響的詳細(xì)信息，并介紹虛擬開關(guān)損耗環(huán)境的概念和優(yōu)勢。該虛擬環(huán)境還可用來研究系統(tǒng)性能對半導(dǎo)體工藝變化的依賴性。最后，本文詳細(xì)介紹對軟硬開關(guān)皆適用的 PLECS 模型以及相關(guān)的影響?？偨Y(jié)部分闡明了安森美工具比業(yè)內(nèi)其他用于電力電子系統(tǒng)級仿真的工具更精確的原因。
2023-07-19
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具有更高效率與優(yōu)勢的碳化硅技術(shù)
碳化硅（SiC）技術(shù)具有比傳統(tǒng)的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等技術(shù)具有更多優(yōu)勢，包括更高的開關(guān)頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進(jìn)而可以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、可靠性和效率。本文將為您介紹SiC的發(fā)展趨勢與在儲能系統(tǒng)（ESS）上的應(yīng)用，以及由Wolfspeed推出的SiC電源解決方案。
2023-07-19
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貿(mào)澤電子第六次斬獲Molex年度全球優(yōu)質(zhì)服務(wù)代理商獎(jiǎng)
2023年7月19日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) ，宣布榮獲全球電子產(chǎn)品知名企業(yè)和連接創(chuàng)新者M(jìn)olex頒發(fā)的2022年度全球優(yōu)質(zhì)服務(wù)（目錄）代理商獎(jiǎng)。這也是貿(mào)澤第六次斬獲這一全球知名獎(jiǎng)項(xiàng)，貿(mào)澤憑借2022年度全球客戶數(shù)大幅增長，以及增速迅猛的銷售業(yè)績而獲此殊榮。
2023-07-19
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貿(mào)澤電子為設(shè)計(jì)工程師提供豐富多樣的技術(shù)電子書
專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 發(fā)布了三本與設(shè)計(jì)相關(guān)的新電子書，深入開展一系列技術(shù)探討，包括城市空中運(yùn)輸電動交通工具的未來、車隊(duì)遠(yuǎn)程信息處理設(shè)計(jì)，以及下一代系統(tǒng)架構(gòu)的進(jìn)展。
2023-07-18
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PFC電路：死區(qū)時(shí)間理想值的考量
由于該電路是進(jìn)行同步整流工作的電路，所以我們通過仿真來探討高邊（HS）和低邊（LS）SiC MOSFET SCT2450KE的死區(qū)時(shí)間理想值，即不直通的最短時(shí)間。死區(qū)時(shí)間可以通過仿真工具的PWM控制器參數(shù)TD1（HS）和TD2（LS）來分別設(shè)置。
2023-07-18
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計(jì)算DC-DC補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的分步過程
本文旨在幫助設(shè)計(jì)人員了解DC-DC補(bǔ)償?shù)墓ぷ髟?、補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的必要性以及如何使用正確的工具輕松獲得有效的結(jié)果。該方法使用LTspice?中的一個(gè)簡單電路，此電路基于電流模式降壓轉(zhuǎn)換器的一階（線性）模型1。使用此電路，無需執(zhí)行復(fù)雜的數(shù)學(xué)計(jì)算即可驗(yàn)證補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)值。
2023-07-17
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絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)簡史
盡管人們對寬帶隙(WBG)功率半導(dǎo)體器件感到興奮，但硅基絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)在今天比以往任何時(shí)候都更加重要。在我們10月份發(fā)布的電動汽車電力電子報(bào)告[2]中，TechInsights預(yù)測，xEV輕型汽車動力總成的產(chǎn)量將從2020年的910萬增長到2026年的4310萬，這使得其復(fù)合年增長率(CAGR)達(dá)到25%。SiC MOSFET目前預(yù)計(jì)占市場的約26%，到2029年預(yù)計(jì)將占市場份額的50%。
2023-07-16
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安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 靜態(tài)特性分析
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥栴}已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動器）的使用指南。本文為第一部分，將重點(diǎn)介紹安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的靜態(tài)特性。
2023-07-13
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Amphenol安費(fèi)諾煥新發(fā)布ExaMAX2? Gen2，解放AI硬件算力效能！
中國上海，2023年7月11日——全球連接器領(lǐng)先企業(yè)Amphenol安費(fèi)諾在2023 electronica China慕尼黑上海電子展宣布重磅推出煥新產(chǎn)品ExaMAX2? Gen2。作為ExaMAX2? 系列的增強(qiáng)版，ExaMAX2? Gen2較上一代在性能方面有了顯著改進(jìn)。此次升級將使ExaMAX2? 連接器在信號完整性（包括反射和隔離）方面成為性能最佳的112G連接器之一。
2023-07-13
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SiC功率模塊中的NTC溫度傳感器解析
大多數(shù)功率模塊包含一個(gè)NTC溫度傳感器，通常它是一個(gè)負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻，隨著溫度的增加其電阻會降低。因?yàn)槠涑杀据^低，NTC熱敏電阻可以作為功率模塊溫度測量和過溫保護(hù)的器件，但是其它器件如PTC正溫度系數(shù)電阻是更適合用來做具體的溫度控制應(yīng)用。使用溫度傳感器的信息相對比較容易，但是需要注意系統(tǒng)內(nèi)涉及到安全的考慮。
2023-07-12
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采用SiC MOSFET的高性能逆變焊機(jī)設(shè)計(jì)要點(diǎn)
近年來，為了更好地實(shí)現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產(chǎn)品，因此，關(guān)于焊機(jī)能效的強(qiáng)制性規(guī)定應(yīng)運(yùn)而生。經(jīng)改進(jìn)的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200V采用基于.XT擴(kuò)散焊技術(shù)的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設(shè)計(jì)方法通過改良設(shè)計(jì)提高了能效和功率密度。
2023-07-11
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西部電博會開幕倒計(jì)時(shí)！超強(qiáng)劇透來了，這些值得打卡！
作為國家集成電路重大生產(chǎn)力布局的重要一極，四川省已基本形成IC設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測試、材料裝備等較為完整的產(chǎn)業(yè)體系。為全面落實(shí)成渝地區(qū)雙城經(jīng)濟(jì)圈建設(shè)重大戰(zhàn)略部署，川渝兩地抓住集成電路產(chǎn)業(yè)關(guān)聯(lián)度較高、互補(bǔ)性較強(qiáng)的基礎(chǔ)，通過建機(jī)制、搭平臺、強(qiáng)聯(lián)動，推動集成電路產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展，積極打造國家重要集成電路產(chǎn)業(yè)備份基地。
2023-07-11
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