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650V:飛兆半導(dǎo)體IGBT提高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的效率和系統(tǒng)可靠性
太陽(yáng)能功率逆變器、不間斷電源(UPS)以及焊接應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員面臨提高能效，滿足散熱法規(guī)，同時(shí)減少元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。有鑒于此，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開(kāi)發(fā)了一系列針對(duì)光伏逆變器應(yīng)用的650V IGBT產(chǎn)品，幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這一行業(yè)挑戰(zhàn)。
2012-03-29
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IGBT模塊的作用
對(duì)IGBT的特性及使用時(shí)的注意事項(xiàng)進(jìn)行了探討，提出了選擇和安裝過(guò)程中應(yīng)該注意的方面。
2012-03-15
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IGBT整流器功率因數(shù)控制方法及CT損壞對(duì)整流器的影響
IGBT整流器是一種電壓型PWM整流器，具有能量雙向流動(dòng)、恒定直流電壓控制，以及高功率因數(shù)控制（cosφ≈1.0）等特點(diǎn)。使用該類(lèi)型整流器除了實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù)節(jié)省電能外，還能夠減少電網(wǎng)諧波，省去電網(wǎng)側(cè)無(wú)功補(bǔ)償svc裝置。本文介紹IGBT整流器功率因數(shù)控制的方法及CT損壞對(duì)整流器的影響。
2012-02-29
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基于EXB841的IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路設(shè)計(jì)
多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開(kāi)關(guān)特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特點(diǎn)，近年來(lái)在各種電能變換裝置中得到了廣泛應(yīng)用。但是，IGBT的門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路影響IGBT的通態(tài)壓降、開(kāi)關(guān)時(shí)間、快開(kāi)關(guān)損耗、承受短路電流能力及du/dt等參數(shù)，并決定了IGBT靜態(tài)與動(dòng)態(tài)特性。因此設(shè)計(jì)高性能的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路是安全使用IGBT的關(guān)鍵技術(shù)。
2012-02-21
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逆變H橋IGBT單管驅(qū)動(dòng)+保護(hù)詳解
本文給逆變器的后級(jí)H橋電路換上IGBT管，從IGBT的驅(qū)動(dòng)電路、電流采集電流和保護(hù)機(jī)制三個(gè)角度，深入了解IGBT的相關(guān)特性，發(fā)現(xiàn)采用峰值電流保護(hù)的措施能讓逆變H橋電路中的IGBT不會(huì)炸。
2012-02-07
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大功率變流器系統(tǒng)H橋低感疊層母線排設(shè)計(jì)
本文從實(shí)際出發(fā)，針對(duì)80kva/400a變流系統(tǒng)h橋母線排提出一種新的優(yōu)化設(shè)計(jì)方案，從igbt布局，母排結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，緩沖吸收電路選擇等方面全方位保證母排電感參數(shù)達(dá)到最優(yōu)，在實(shí)際應(yīng)用中有很好的可行性和可靠性。
2012-02-07
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AUIR0815S：IR推出超低輸出阻抗車(chē)用柵極驅(qū)動(dòng)IC
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 近日推出車(chē)用IC ── AUIR0815S，具備超過(guò)10 A 的高輸出電流，能夠驅(qū)動(dòng)逆變器級(jí)的大型 IGBT 和 MOSFET，適用于混合動(dòng)力汽車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)中的動(dòng)力系統(tǒng)。
2012-02-02
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UCC27524/UCC27210(1)：TI推出高效率可靠MOSFET驅(qū)動(dòng)器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出3款可提高高密度隔離式電源效率與可靠性的新一代雙通道輸出柵極驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步壯大其MOSFET驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品陣營(yíng)。UCC27210與UCC27211是業(yè)界首批120 V啟動(dòng)高低側(cè)雙通道輸出MOSFET驅(qū)動(dòng)器，可在解決驅(qū)動(dòng)器輸入-10 V直流電(VDC)抗擾度問(wèn)題的同時(shí)，提供高達(dá)4 A的輸出電流。此外，TI還面向二次側(cè)同步整流器MOSFET及IGBT電源開(kāi)關(guān)推出了業(yè)界速度最快的5 A雙通道低側(cè)驅(qū)動(dòng)器UCC27524。
2012-01-17
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IGBT強(qiáng)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)及電流尖峰抑制方案
根據(jù)脈沖滲碳電源要求，本文設(shè)計(jì)了一種具有高可靠性、信號(hào)傳輸無(wú)延遲、驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)等特點(diǎn)的IGBT強(qiáng)驅(qū)動(dòng)電路，詳細(xì)分析了工作原理，并對(duì)電路測(cè)試中出現(xiàn)的電流尖峰進(jìn)行了抑制。在此基礎(chǔ)上得出幾個(gè)主要影響驅(qū)動(dòng)電路的因素。
2012-01-13
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PWM放大器的中頻電源研究
隨著電力電子技術(shù)及器件的發(fā)展；特別是功率MOSFET、IGBT、MCT、IPM以及單片集成脈寬調(diào)制功率放大器等新型器件的出現(xiàn)；使電壓型SPWM逆變器得到廣泛的關(guān)注、開(kāi)發(fā)和應(yīng)用。
2012-01-04
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DC/DC電源技術(shù)研究
隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，很多場(chǎng)合需要大功率大電流的直流電源。EAST的磁約束核聚變裝置使用的直流快控電源即是一種大功率直流電源，其技術(shù)要求為：電壓響應(yīng)時(shí)間1ms峰值電壓50V；最大電流20kA，能實(shí)現(xiàn)4個(gè)象限的運(yùn)行。針對(duì)此要求，不可避免地需采用電源并聯(lián)技術(shù)，即功率管并聯(lián)或電源裝置的并聯(lián)。對(duì)于20kA直流電源，若采用功率管IGBT并聯(lián)，每個(gè)橋臂則至少需15只功率管并聯(lián)，這不但給驅(qū)動(dòng)帶來(lái)很大困難，而且，在一般情況下，電流容量較大的功率管的電壓容量也較大，在實(shí)際電壓只有50V 的情況下，對(duì)功率管的電壓容量而言，這是極大的浪費(fèi)。因此，提出采用多米諾結(jié)構(gòu)的DC/DC電源裝置并聯(lián)技術(shù)思路。
2011-12-27
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一種緊湊型全橋DC-DC隔離電源設(shè)計(jì)
新型電力電子器件IGBT作為功率變換器的核心器件，其驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路對(duì)變換器的可靠運(yùn)行至關(guān)重要。集成驅(qū)動(dòng)是一個(gè)具有完整功能的獨(dú)立驅(qū)動(dòng)板，具有安裝方便、驅(qū)動(dòng)高效、保護(hù)可靠等優(yōu)點(diǎn)，是目前大、中功率IGBT驅(qū)動(dòng)和保護(hù)的最佳方式。集成驅(qū)動(dòng)一般包括板上DC-DC隔離電源、PWM信號(hào)隔離、功率放大、故障保護(hù)等4個(gè)功能電路，各功能電路之間互相配合，完成IGBT的驅(qū)動(dòng)及保護(hù)。
2011-12-19
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