我們?yōu)楣こ處煄?lái)可支持意想不到的全新領(lǐng)域的功率器件。在電阻方面，之前我們?cè)贒C/DC轉(zhuǎn)換器并聯(lián)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)從而實(shí)現(xiàn)更高的輸出電流?？墒?，這會(huì)增加元件的數(shù)量、成本及復(fù)雜性并降低功率密度。與第二代氮化鎵器件相比，第四代eGaN FET可以大大降低阻抗，從而使得基于eGaN FET 的DC/DC轉(zhuǎn)換器具備更大電流及高功率密度。如圖1所示，采用第四代30 V 的eGaN FET的轉(zhuǎn)換器的阻抗只是1 mΩ，即降低了阻抗達(dá)2.6倍。如果采用第四代100 V的eGaN FET，與第二代100 V的器件相比，阻抗只有2.4 mΩ，即降低了阻抗達(dá)2.3倍。

圖1：第二代及第四代氮化鎵器件的阻抗的比較。

 

 

此外，與等效的先進(jìn)硅功率MOSFET相比，第四代eGaN FET減少硬開(kāi)關(guān)FOM達(dá)5倍(200 V器件)、 8倍( 100 V器件)及 4.8倍(40 V器件)，見(jiàn)圖2。

圖2：第二代及第四代氮化鎵器件的硬開(kāi)關(guān)FOM并與硅功率MOSFET的比較。

 

至于封裝方面，eGaN FET如果使用MOSFET的傳統(tǒng)封裝不會(huì)比MOSFET更好。如果使用芯片規(guī)模封裝，結(jié)果卻截然不同。圖3是在PCB板上的一個(gè)典型晶體管的截面圖。熱量主要從兩個(gè)途徑散出：從焊錫接面散進(jìn)PCB板(如RθJB展示)或從晶體的背部散出(RθJC)，之后，外殼至環(huán)境的熱阻(RθCA)及電路板至環(huán)境的熱阻(RθBA)將影響散熱效率。雖然eGaN FET比先進(jìn)的硅MOSFET的體積更小，使得熱阻相對(duì)于可散熱的面積來(lái)說(shuō)應(yīng)該增加了。然而，eGaN FET的封裝具備超低的結(jié)點(diǎn)至電路板熱阻(RθJB)并與MOSFET的封裝的熱阻相等。

圖3：氮化鎵器件的散熱效率。

 

Silicon Substrate：硅襯底

 

Active GaN Device Region：活躍氮化鎵器件區(qū)域

 

最重要的是，eGaN FET可以雙面散熱從而可以進(jìn)一步提高其散熱效率。至于從結(jié)點(diǎn)至外殼(RθJC)的熱阻，除了30 V的MOSFET具有與eGaN FET可比的熱阻外，在更高壓時(shí)，eGaN FET具備無(wú)可匹敵的散熱性能。

 

圖4展示了eGaN FET與先進(jìn)硅MOSFET模塊相比較的電源轉(zhuǎn)換效率，從實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以看到，eGaN FET 12 V轉(zhuǎn)1.2 V、40 A的負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器工作在1MHz開(kāi)關(guān)頻率時(shí)可實(shí)現(xiàn)超過(guò)91.5% 效率。此外，一個(gè)采用eGaN FET的器件、48 V 轉(zhuǎn)12 V、 40 A的硬開(kāi)關(guān)降壓轉(zhuǎn)換器而成為一個(gè)非隔離型DC/DC中間總線轉(zhuǎn)換器工作在300 kHz的頻率時(shí)可以實(shí)現(xiàn)超過(guò)98%的效率(圖5)。

圖4：氮化鎵器件可以提高DC/DC轉(zhuǎn)換效率。

圖5：eGaN FET在更高壓的DC/DC轉(zhuǎn)換器可以提高效率。

 

MOSFET Module：MOSFET 模組

 

Loss Reduction：損耗降低

 

Output Current：輸出電流

 

Efficiency：效率

 

 

由于減少了需要互相連接2個(gè)分立式晶體管的板位，單片式半橋器件IC系列(EPC2100)可縮小占板面積大約 30%，從而縮小整體的系統(tǒng)尺寸，而且，因?yàn)樗俣仍黾恿?，因此可以去除功率環(huán)路電感。在1 MHz的工作頻率下，分立式FET在更大電流下更具優(yōu)勢(shì)，這是由于下面的分立式FET具備更低的導(dǎo)通損耗?？墒?，在4 MHz時(shí)，單片式eGaN FET比分立式FET的性能優(yōu)越很多，這是因?yàn)闇p小了寄生電感，改善了版圖及技術(shù)(圖6）。我們也可以利用更高壓的單片式半橋eGaN FET(例如80 V 的EPC2105)高效地實(shí)現(xiàn)從48 V轉(zhuǎn)至1 V的單級(jí)轉(zhuǎn)換。

圖6：工作在4 MHz頻率的單片式半橋IC比分立式器件的性能更為優(yōu)越。

 

Output Current：輸出電流

 

Efficiency：效率

 

33% die size reduction：減小了33%的裸片面積

 

Discrete Transistors：分立式晶體管

 

 

目前已經(jīng)有很多應(yīng)用使用eGaN FET或利用它開(kāi)發(fā)全新應(yīng)用。有四種應(yīng)用已經(jīng)占去潛在市場(chǎng)的一半份額：無(wú)線電源傳送、LiDAR、包絡(luò)跟蹤及DC/DC 1/8磚式轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。

 

 

全球無(wú)線充電市場(chǎng)估計(jì)在2018年達(dá)100億美元，CAGR達(dá)42.6%！無(wú)線電源傳送應(yīng)用采用的標(biāo)準(zhǔn)頻率為6.78 MHz，這是由于可用薄薄的線圈及屏蔽。MOSFET在這頻率下并不高效，eGaN FET則是這個(gè)應(yīng)用的理想器件。業(yè)界領(lǐng)袖包括Qualcomm、Intel、Broadcom、Samsung、Deutche Telecom、Delphi及Witricity組成一個(gè)聯(lián)盟(A4WP)，利用由MIT隊(duì)伍開(kāi)發(fā)的高度諧振無(wú)線電源技術(shù)，發(fā)展高頻無(wú)線功率傳送標(biāo)準(zhǔn)(6.78 MHz)并把它商用化。目前使用的無(wú)線電源傳送的應(yīng)用包括移動(dòng)電話、游戲控制器、手提電腦、平板電腦、醫(yī)療用的植入式儀器及電動(dòng)汽車。

 

光學(xué)遙感技術(shù) (LiDAR)使用鐳射脈沖快速形成三維圖像或?yàn)橹車h(huán)境制作電子地圖。該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高準(zhǔn)確性、覆蓋更遼闊幅員及加快收集數(shù)據(jù)的速度及提高效率，其傳統(tǒng)應(yīng)用包括繪制地圖、海岸線管理、地質(zhì)測(cè)量、氣象學(xué)及探索自然資源等應(yīng)用。相比日益老化的MOSFET器件，目前氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開(kāi)關(guān)速度快十倍，使得LiDAR系統(tǒng)具備優(yōu)越的解像度及更快速反應(yīng)時(shí)間等優(yōu)勢(shì)，由于可實(shí)現(xiàn)優(yōu)越的開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換，因此可推動(dòng)更高準(zhǔn)確性。這些性能推動(dòng)全新及更廣闊的LiDAR應(yīng)用領(lǐng)域的出現(xiàn)包括支持電玩應(yīng)用的偵測(cè)實(shí)時(shí)動(dòng)作、以手勢(shì)驅(qū)動(dòng)指令的計(jì)算機(jī)及自動(dòng)駕駛汽車等應(yīng)用(圖8）。

圖8：采用LiDAR技術(shù)的應(yīng)用。

 

 

當(dāng)無(wú)線傳送的數(shù)據(jù)日益增加，我們需要先進(jìn)技術(shù)把更多的數(shù)據(jù)bits放進(jìn)每一個(gè)射頻頻道。這種技術(shù)提高功率放大器的峰值/平均功率的比率(PAPR)。包絡(luò)跟蹤技術(shù)可以在具有高PAPR比率的系統(tǒng)內(nèi)使功率放大器實(shí)現(xiàn)最高效率。在一個(gè)使用包絡(luò)跟蹤的系統(tǒng)內(nèi)，一個(gè)高頻DC/DC包絡(luò)跟蹤轉(zhuǎn)換器替代電池或靜態(tài)DC/DC轉(zhuǎn)換器，從而追蹤包絡(luò)信號(hào)，為功率放大器提供所需電壓，可提高系統(tǒng)效率高達(dá)一倍。實(shí)現(xiàn)包絡(luò)跟蹤有很多不同方法但目的相同 -- 使得功率轉(zhuǎn)換器可以在超高頻下工作，例如需要20 MHz頻帶才可以高效地追蹤3G信號(hào)(圖9)。

圖9：包絡(luò)跟蹤應(yīng)用。

 

 

eGaN FET比先進(jìn)的硅基MOSFET器件更細(xì)且更高效。為了展示它如何實(shí)現(xiàn)更高功率密度、更低成本及更高效，我們?cè)O(shè)計(jì)一個(gè)全穩(wěn)壓型、隔離式1/8磚式轉(zhuǎn)換器。 該設(shè)計(jì)是一個(gè)基于氮化鎵器件、傳統(tǒng)硬開(kāi)關(guān)、全穩(wěn)壓型、使用中央抽頭次級(jí)線圈的全橋式轉(zhuǎn)換器。最好的全穩(wěn)壓型1/8磚式的輸出功率為300 W，在滿載條件下的效率大約是94.7%。 采用eGaN FET的設(shè)計(jì)，我們?cè)?00 W可實(shí)現(xiàn)的滿載條件下的效率為96.5%。在氣流為400 LFM時(shí)，板上最高溫度只是100°C，這是變壓器。eGaN FET在500 W輸出功率時(shí)的溫度為91°C或更低(圖10)。

圖10：500 W、1/8磚式轉(zhuǎn)換器的效率。

 

 

氮化鎵器件可以改善其他應(yīng)用包括提高M(jìn)RI成像系統(tǒng)的解像度、使得D類音頻放大器的成本更低而同時(shí)音質(zhì)可以更高(因?yàn)閑GaN FET具備快速開(kāi)關(guān)的性能）、更節(jié)能的LED照明系統(tǒng)及更輕盈、快速操作的機(jī)器人。

 

當(dāng)?shù)壠骷M(jìn)入硅器件的領(lǐng)域之同時(shí)，eGaN技術(shù)發(fā)展迅猛，可滿足工程師的設(shè)計(jì)需要，提供更高效及性能更優(yōu)越的器件。該技術(shù)被證明為具備優(yōu)越的散熱效率及高可靠性。價(jià)格是封阻可替代硅MOSFET器件的氮化鎵晶體管的普及化的最后一個(gè)壁壘，而目前價(jià)格也已經(jīng)下降。氮化鎵器件的性能及更低的成本實(shí)現(xiàn)了以前不可能成真的趨勢(shì)及應(yīng)用，為半導(dǎo)體業(yè)界續(xù)寫(xiě)摩爾定律的輝煌。