大家來(lái)找茬——任性的DDR2設(shè)計(jì)(上)
發(fā)布時(shí)間:2015-07-03 來(lái)源:周偉 一博科技 責(zé)任編輯:sherry
【導(dǎo)讀】前面有講到設(shè)計(jì)人員因?yàn)闆](méi)有留意到DDR3主控沒(méi)有讀寫平衡功能,就按照常規(guī)的布線要求來(lái)走線,導(dǎo)致數(shù)據(jù)和時(shí)鐘信號(hào)長(zhǎng)度差異較大,最終使得DDR3系統(tǒng)運(yùn)行不到額定頻率。看來(lái)沒(méi)有讀寫平衡的DDR3,直接按照DDR2的設(shè)計(jì)規(guī)則來(lái)做還是比較靠譜的,那么DDR2的設(shè)計(jì)到底有哪些規(guī)則呢?我想大家肯定會(huì)比較感興趣吧。
到底有哪些規(guī)則呢?所謂實(shí)踐出真理,還是先來(lái)看看下面的這個(gè)案例吧!
這個(gè)DDR2系統(tǒng)采用8片顆粒表底貼的設(shè)計(jì),地址、控制、命令信號(hào)一拖八,其余信號(hào)一拖二,但最終的系統(tǒng)跑不起來(lái)。查看PCB設(shè)計(jì),列出部分信號(hào)的截圖如下,先不評(píng)論,各位慢慢開始來(lái)找茬吧。
上圖高亮部分為時(shí)鐘信號(hào)(綠白)的走線,從主控芯片出來(lái)?yè)Q層經(jīng)過(guò)1300mil到分支過(guò)孔,此處端接一個(gè)100ohm差分阻抗,再?gòu)倪^(guò)孔處分支各走一段1250mil和1350mil的走線到表底兩個(gè)顆粒,其中一個(gè)顆粒再端接一個(gè)100歐姆差分電阻,其他的時(shí)鐘信號(hào)也大致如此。
圖中黃色高亮部分為地址信號(hào)走線,從主控芯片出來(lái)馬上第一級(jí)分支,再約600mil進(jìn)行第二級(jí)分支,再一個(gè)分支經(jīng)過(guò)1000mil進(jìn)行第三級(jí)分支,另一分支在50mil左右也開始第三級(jí)分支,最后接0ohm串阻約1100mil到顆粒,其中在最邊上某一第三分支過(guò)孔處上拉一個(gè)47ohm電阻到Vtt,其他的地址、控制信號(hào)也大致如此結(jié)構(gòu)。
再來(lái)看DQS信號(hào),如上圖高亮玫紅白點(diǎn)信號(hào),進(jìn)過(guò)一級(jí)分支各0ohm串阻經(jīng)350mil和738mil的線路到表底層顆粒,其他的差異不大。
最后再看數(shù)據(jù)信號(hào),圖中黃色高亮部分,采用的菊花鏈結(jié)構(gòu),先到其中一個(gè)顆粒,再到另一面的第二個(gè)顆粒,其他的數(shù)據(jù)信號(hào)也是這種結(jié)構(gòu)。
好了,其他的如電源我們就不用看了,看到這里我們已經(jīng)大致知道這個(gè)DDR2系統(tǒng)跑不起來(lái)是有原因的啦。
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