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如何提高4H-SiC肖特基二極管和MOSFET的雪崩耐受性
半導(dǎo)體市場的最新趨勢是廣泛采用碳化硅（SiC）器件，包括用于工業(yè)和汽車應(yīng)用的肖特基勢壘二極管（SBD）和功率MOSFET。與此同時，由于可供分析的現(xiàn)場數(shù)據(jù)有限，這些器件的長期可靠性成為一個需要解決的熱點問題。一些SiC供應(yīng)商已開始根據(jù)嚴(yán)格的工業(yè)和汽車（AEC-Q101）標(biāo)準(zhǔn)來認(rèn)證SiC器件，而另一些供...
2020-08-17
4H-SiC 肖特基二極管 MOSFET 雪崩 耐受性
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開環(huán)電流傳感器與閉環(huán)電流傳感器的區(qū)別分析
傳統(tǒng)意義的閉環(huán)電流傳感技術(shù)以其高精準(zhǔn)度被廣泛用于工業(yè)和汽車行業(yè)。通過在復(fù)雜并完全集成了電流傳感器的IC中應(yīng)用專有的封裝技術(shù)和先進(jìn)集成的算法，Allegro已經(jīng)開發(fā)出全新的磁性電流傳感器IC，能夠以開環(huán)傳感器的架構(gòu)實現(xiàn)近似閉環(huán)的精度。
2020-08-13
開環(huán)電流傳感器 閉環(huán)電流傳感器 工業(yè) 汽車
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Vishay高精度壓力感測技術(shù)
壓力感測，或壓力觸覺，使用戶能夠以更直觀的方式與設(shè)備進(jìn)行交互，同時擴(kuò)展一系列輸入功能。壓力感測或壓力反饋，可理解為輸入或控制功能，需要一定的外力即壓力（無論強(qiáng)弱）來觸發(fā)功能。這種方式可用來避免誤報，擴(kuò)大輸入可能性，例如與菜單選擇相結(jié)合。
2020-08-12
Vishay 高精度 壓力感測 技術(shù)
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第八屆中國電子信息博覽前瞻！這些亮點不容錯過！
沉寂半年之后，無論是業(yè)內(nèi)人士還是廣大消費(fèi)者，都渴望換換環(huán)境、出去走走，在深圳會展中心看一場科技盛宴再適合不過。8K智慧屏、5G芯片、機(jī)器人、新能源汽車，還有會跳舞的機(jī)器人，這些來自世界各地的炫酷黑科技和創(chuàng)新成果都將出現(xiàn)在CITE2020。相比以往，CITE2020不僅更側(cè)重世界科技創(chuàng)新合作，也更...
2020-08-10
電子信息博覽 新能源汽車
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恩智浦的汽車?yán)走_(dá)技術(shù)如何提高汽車網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)安全性
恩智浦這項專利通過在車輛周身設(shè)置多個雷達(dá)傳感器，并利用全局時鐘信號同步整個系統(tǒng)，形成有效互補(bǔ)合作，利用所有雷達(dá)獲取的圖像進(jìn)行二次掃描分析建模，提高檢測障礙物的分辨率，從而提高汽車網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的安全性。
2020-08-10
恩智浦 汽車?yán)走_(dá) 汽車網(wǎng)絡(luò)
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儲能系統(tǒng)助推電動汽車快速充電基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)
電動汽車(EV)將獲得越來越多的市場份額，最終取代內(nèi)燃機(jī)汽車。直流快速充電站將取代或整合加油站。太陽能、風(fēng)能等可再生能源將為它們提供動力。人們將希望能在不到15分鐘的時間內(nèi)為電動汽車充滿電，他們不愿排隊等候唯一的充電樁。
2020-08-10
能系統(tǒng) 電動汽車 充電基礎(chǔ)設(shè)施
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門極驅(qū)動器方案–––即插即用快速評估和測試
電力電子在當(dāng)今世界無處不在：半導(dǎo)體的隱藏功能，可實現(xiàn)廣泛應(yīng)用，從家電和消費(fèi)品到數(shù)據(jù)處理和無線網(wǎng)絡(luò)，再到日趨電子化的汽車。電力電子系統(tǒng)以極高能效在交流和直流形式之間以及直流電壓之間轉(zhuǎn)換電力，從而使更多的電能流向最終應(yīng)用。電源轉(zhuǎn)換的主要動力是開關(guān)：功率MOSFET、IGBT、寬禁帶(WBG)半導(dǎo)...
2020-08-10
門極驅(qū)動器 方案 功率MOSFET IGBT
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電動汽車空調(diào)的一項關(guān)鍵技術(shù)——IGBT
ROHM的RGS系列是符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)、且具有1200V 和650V寬耐壓范圍的IGBT產(chǎn)品。該系列具有更低的傳導(dǎo)損耗，有助于提高應(yīng)用產(chǎn)品的效率并實現(xiàn)小型化，是電動壓縮機(jī)的逆變器和高壓加熱器的更佳選擇。
2020-08-10
電動汽車 空調(diào) 關(guān)鍵技術(shù) IGBT
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SiC MOSFET應(yīng)用技術(shù)在雪崩條件下的魯棒性評估
本文將探討如何在雪崩工作條件下評估SiC MOSFET的魯棒性。MOSFET功率變換器，特別是電動汽車驅(qū)動電機(jī)功率變換器，需要能夠耐受一定的工作條件。如果器件在續(xù)流導(dǎo)通期間出現(xiàn)失效或柵極驅(qū)動命令信號錯誤，就會致使變換器功率開關(guān)管在雪崩條件下工作。因此，本文通過模擬雪崩事件，進(jìn)行非鉗位感性負(fù)載...
2020-08-10
SiC MOSFET 應(yīng)用技術(shù) 雪崩 魯棒性
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