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內(nèi)行看門道，你知道這些酷酷的應(yīng)用是怎么實(shí)現(xiàn)的嗎？
胎壓監(jiān)測幾乎成了中高端汽車的標(biāo)配，但是胎壓監(jiān)測其實(shí)并不是很多人認(rèn)為只要有一個(gè)壓力傳感就可以了哦，實(shí)際上目前大部分的胎壓監(jiān)測里也集成了一個(gè)加速度計(jì)，作為啟動開關(guān)來觸發(fā)胎壓監(jiān)測的裝置。
2022-09-27
胎壓監(jiān)測壓力 電動汽車電池 自動駕駛
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使用碳化硅進(jìn)行雙向車載充電機(jī)設(shè)計(jì)
電動汽車（EV）車載充電機(jī)（OBC）可以根據(jù)功率水平和功能采取多種形式，充電功率從電動機(jī)車等應(yīng)用中的不到 2 kW，到高端電動汽車中的 22 kW 不等。傳統(tǒng)上，充電功率是單向的，但近年來，雙向充電越來越受到關(guān)注。本文將重點(diǎn)關(guān)注雙向 OBC，并討論碳化硅（SiC）在中功率（6.6 kW）和高功率（11 - 22 k...
2022-09-27
碳化硅 車載充電機(jī)
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采用以太網(wǎng)AVB技術(shù)的時(shí)間敏感型車載網(wǎng)絡(luò)
跨橋接網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)面向數(shù)據(jù)分組的通信已成為一項(xiàng)全球標(biāo)準(zhǔn)。如今，它廣泛應(yīng)用于各種不同規(guī)模和復(fù)雜性各異的系統(tǒng)中，例如服務(wù)器和飛機(jī)、小型遙控設(shè)備、遠(yuǎn)程傳感器以及許多物聯(lián)網(wǎng)（IoT）應(yīng)用。
2022-09-27
以太網(wǎng) AVB技術(shù) 車載網(wǎng)絡(luò)
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器件封裝是高效散熱管理的關(guān)鍵
汽車行業(yè)發(fā)展創(chuàng)新突飛猛進(jìn)，從底盤到動力總成，從信息娛樂系統(tǒng)到聯(lián)網(wǎng)和自動化系統(tǒng)，汽車設(shè)計(jì)的方方面面都有著日新月異的進(jìn)步。然而，為人詬病的電動汽車（EV）充電用時(shí)問題（特別是在旅途中充電）帶來的巨大不便，阻礙了電動汽車的推廣普及，因此，車載充電器（OBC）設(shè)計(jì)或許將成為備受關(guān)注的領(lǐng)域。
2022-09-26
器件封裝 散熱管理
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如何設(shè)計(jì)最安全的CAN總線拓?fù)洌?/span>
CAN總線的應(yīng)用越來越廣泛，工程師在各種不同工況下，如何選擇最合適的網(wǎng)絡(luò)拓?fù)浞绞侥?？本篇文章將介紹主流的幾種總線拓?fù)浞绞?，以及如何解決CAN總線故障。
2022-09-23
CAN總線 拓?fù)?/p>
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整流電容濾波負(fù)載實(shí)例
六期連載，整流電路AC/DC變換應(yīng)用非常廣泛，其中二極管整流在電機(jī)驅(qū)動中是主流的方案，而且功率范圍很廣，所以了解二極管整流工程設(shè)計(jì)非常重要。
2022-09-23
整流 電容濾波 負(fù)載
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什么是雪崩失效
當(dāng)向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，就會發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場時(shí)，自由電子被加速并帶有很大的能量。這會導(dǎo)致碰撞電離，從而產(chǎn)生電子-空穴對。這種電子-空穴對呈雪崩式增加的現(xiàn)象稱為“雪崩擊穿”。在這種雪崩擊穿期間，與 MOSFET內(nèi)部二極管電流呈反方向流動的電流稱為“雪...
2022-09-22
MOSFET 失效機(jī)理 雪崩擊穿
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電動汽車充電的三大設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
用于商業(yè)和住宅用途的典型電動汽車 (EV) 充電站設(shè)計(jì)包括電能計(jì)量、剩余電流檢測（交流和直流）、隔離安全合規(guī)性、繼電器和接觸器，還具有驅(qū)動功能、雙向通信以及服務(wù)和用戶界面。雖然充電站的目標(biāo)是高效地將電力傳輸?shù)杰囕v，但實(shí)現(xiàn)電力傳輸是其最初的功能。
2022-09-20
電動汽車 充電 設(shè)計(jì)
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關(guān)斷柵極電壓欠沖對SiC MOSFET導(dǎo)通行為的影響
本文探討了關(guān)斷時(shí)發(fā)生的柵極電壓欠沖對導(dǎo)通開關(guān)特性的影響。這種影響來自于閾值電壓的遲滯效應(yīng)，指柵偏壓變化時(shí)，閾值電壓的完全可恢復(fù)瞬態(tài)偏移。閾值電壓的遲滯效應(yīng)是由半導(dǎo)體-絕緣體界面缺陷中，電荷的短期俘獲和釋放引起的。因此，關(guān)斷時(shí)的柵極電壓欠沖會對碳化硅（SiC）MOSFET的開關(guān)特性產(chǎn)生影響。
2022-09-20
柵極電壓欠沖 SiC MOSFET 導(dǎo)通
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