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貿(mào)澤電子深入探討以人為本的工業(yè)5.0新變革
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 發(fā)布新一期Empowering Innovation Together (EIT) 技術(shù)系列,重點介紹新興的工業(yè)5.0格局。在這個工業(yè)化的新階段,人類、環(huán)境和社會等因素都將作為重要的方面,體現(xiàn)在未來工廠車間的先進技術(shù)、機器人和智能機器中。
2024-11-28
貿(mào)澤電子 工業(yè)5.0
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開拓創(chuàng)新,引領(lǐng)醫(yī)療植入物與醫(yī)療保健解決方案的發(fā)展潮流
憑借超過40年的專業(yè)經(jīng)驗和卓越的可靠性,瑞士微晶(Micro Crystal)生產(chǎn)的組件能夠滿足苛刻的醫(yī)療應(yīng)用需求。特別是,其推出的首款全陶瓷封裝的實時時鐘模塊(RTC),不僅具有超低時間保持功耗,還具備防氦特性。
2024-11-28
醫(yī)療保健解決方案
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兩輪電動車觸摸屏對觸摸控制器提出的獨特要求
雖然無數(shù)關(guān)于未來交通的文章都以四輪電動車作為討論重點,但在印度、馬來西亞、泰國和印度尼西亞等諸多國家,出行更依賴于經(jīng)濟的兩輪電動車,包括踏板式摩托車、重型摩托車、電動摩托車、電動輕便摩托車和電動自行車。這些兩輪電動車緊跟四輪電動車的設(shè)計趨勢,采用觸摸屏進行控制,而不用物理旋鈕...
2024-11-27
兩輪電動車 觸摸控制器 觸摸屏
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英飛凌推出OptiMOS Linear FET 2 MOSFET,賦能先進的熱插拔技術(shù)和電池保護功能
【2024年11月25日, 德國慕尼黑訊】為了滿足AI服務(wù)器和電信領(lǐng)域的安全熱插拔操作要求,MOSFET必須具有穩(wěn)健的線性工作模式和較低的 RDS(on)。
2024-11-27
英飛凌
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創(chuàng)實技術(shù)electronica 2024首秀:加速國內(nèi)分銷商海外拓展之路
作為全球規(guī)模最大、最具影響力的電子元器件展會,備受矚目的2024德國慕尼黑國際電子元器件博覽會(electronica 2024)于2024年11月12-15日,在德國·慕尼黑展覽中心盛大舉行。科技日新月異,電子元器件作為信息技術(shù)的基石,正再一次引領(lǐng)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新一輪變革。時隔2年之久,疊加全球科技和經(jīng)濟...
2024-11-26
創(chuàng)實技術(shù) electronica 分銷商
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意法半導(dǎo)體披露 2027-2028 年財務(wù)模型及2030年目標(biāo)實現(xiàn)路徑
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 于前天在法國巴黎舉辦了資本市場日活動。在公司戰(zhàn)略保持不變的框架內(nèi),意法半導(dǎo)體重申了200億+美元的營收目標(biāo)和相關(guān)財務(wù)模型,預(yù)計將在 2030 年實現(xiàn)這一目標(biāo)。意法半導(dǎo)體還制定了一...
2024-11-25
意法半導(dǎo)體 財務(wù)模型
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(三)——功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-11-25
功率器件 熱設(shè)計 功率半導(dǎo)體 散熱器
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在智能照明產(chǎn)品設(shè)計中實施Matter協(xié)議的經(jīng)驗教訓(xùn)
連接標(biāo)準聯(lián)盟(CSA)是一個由 550 家消費設(shè)備制造商和芯片公司組成的聯(lián)盟,它定義了 Matter 標(biāo)準,其愿景是讓智能家居設(shè)備的控制變得簡單、可靠和安全:用戶首選的應(yīng)用程序,例如亞馬遜的 Alexa、Google Home 或蘋果的 Siri,將能夠控制家中的任何經(jīng)過 Matter 認證的設(shè)備,無論哪個品牌制造。
2024-11-23
智能照明 Matter協(xié)議
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提高下一代DRAM器件的寄生電容性能
隨著傳統(tǒng)DRAM器件的持續(xù)縮小,較小尺寸下寄生電容的增加可能會對器件性能產(chǎn)生負面影響,未來可能需要新的DRAM結(jié)構(gòu)來降低總電容,并使器件發(fā)揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問晶體管 (VCAT) DRAM結(jié)構(gòu)的寄生電容。結(jié)果表明,與6F2結(jié)構(gòu)相比,4F2結(jié)...
2024-11-20
DRAM器件 寄生電容
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