回到藏身處后，筆記本電腦最終崩潰了，盡管戴著面具的十字軍戰(zhàn)士全神貫注在頂棚注視著他，等待著一個機會把它奪回來。筆記本電腦中的8TBSSD（固態(tài)器件或固態(tài)“驅動”–其中沒有移動部件）有許多秘密。Octopus博士知道信息的重要性，并不惜一切去破壞它，無意中給他最大的敵人一個機會尾隨他到了受保護的藏身處。為了確保SSD中的內容是真的和被永久的破壞，Planner碩士打碎了機箱，然后又額外用機電臂在其端口釋放強大的閃電，當它明顯的噼啪作響并片刻變成藍色時咧嘴而笑。

 

他沒有料到的是安森美半導體的固態(tài)硬盤和硬盤驅動器（HDD）從個人電腦到數(shù)據中心的應用都包含電子保險絲(eFuse)。這些eFuse在遭遇過流條件時通過“熔斷”（開路）保護電器，而且這種方式類似于普通保險絲。不同的是，這些器件可以電子復位到導電狀態(tài)。eFuse提供一些額外的功能，其規(guī)格不斷提高：我們最新的eFuse包括集成的特性如電荷泵、精密的過流保護、熱關斷、三態(tài)使能引腳、欠壓鎖定和帶有輸出電壓鉗位的過壓保護。

 

不是所有的eFuse都相同。在當今的電力系統(tǒng)中，能效是關鍵，較低性能的eFuses其實可以對系統(tǒng)的整體性能產生有害的影響。關鍵的參數(shù)是eFuse的靜態(tài)電阻RDS(ON) ，由內部MOSFET確定。低的RDS(ON)值確保正常運行時的功率傳輸是高效的和極低功耗的。更高效的運行還支持在較高環(huán)境溫度下工作，而器件升溫相對較低，這意味著需要較少的冷卻，從而可節(jié)省空間。雖然eFuses的工作溫度可達150?C，但工作溫度越低，使用壽命越長。這一點尤其重要，因為數(shù)據中心的硬件被期望能工作10年或更長。

 

安森美半導體最新的eFuse（NIS5431 和NIS5452）的RDS(ON) 的典型值僅33m?，比前代的NIS5135低一半。如圖1所示，較新的器件包括具有柵極電壓的集成的高邊N溝道功率MOSFET，由電荷泵升壓。

 

圖1. 具有柵極電壓的集成的高邊N溝道功率MOSFET。

 

在Octopus博士將破舊的筆記本電腦和SSD從懸崖扔到飛泉洶涌的水下后，一個受傷的蜘蛛俠從潮濕的山洞里溜出來，蹲在邊上盯著它，然后在一個不可能的角度溜下巖壁。差不多六個小時后，他取回了電子產品，并送到數(shù)據醫(yī)學實驗室進行分析。果然，eFuse保護了SSD免受有害電擊的損壞，這只是個時間問題，然后閃存芯片被從設備中取出，并被安裝到一個新的機箱中，提供獲取豐富的數(shù)據，包括用來譯碼惡人名字、他們的位置和他們對全球所犯下的罪的12,837,064位重要的數(shù)據。

 

如果要求eFuse的額定電流超過5A，可以簡單地將使能引腳、輸入和輸出并聯(lián)在一起。由于RDS(ON)的正溫度系數(shù)，均流均為自動分配。圖2和圖3的評估板演示了這。

 

圖2. 評估板展示4個NIS5452的并行配置。

 

圖3. 4個NIS5452器件并行，總電流20A，最高殼溫56攝氏度。

 

內部高能效的SenseFET架構支持限流以保護免受故障條件的影響。這樣的配置顯著的節(jié)省檢測電阻的功耗和便于通過外部電阻RLIMIT編程?？烧{的轉換速率特性控制浪涌電流，同時為高容性負載提供電源。

 

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