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DDR測試系列之三—— 某SDRAM時鐘分析案例

發(fā)布時間:2009-12-18 來源:電子元件技術(shù)網(wǎng)

中心議題:
  • 無源探頭原理 
  • 改善SDRAM信號質(zhì)量
解決方案:
  • 串聯(lián)匹配是較好的SDRAM的時鐘端接策略
  • 在原理圖設(shè)計中,需要加上串聯(lián)的電阻和并聯(lián)的電容
  • 無源探頭在高頻時阻抗太小,不能準確的測量波形
  • 需要使用高帶寬的有源探頭


前個周末接到了一個朋友的電話,詢問我如果內(nèi)存有問題,需要測試哪些項目?對于這個很常見的問題,我習慣性的回答他先測量內(nèi)存時鐘和讀寫時序看看,然后結(jié)束了通話。沒過一會,我那朋友又打過來,告訴我他遇到一個怪事,他用探頭點測內(nèi)存時鐘時,系統(tǒng)的程序不卡了,可以順利啟動并運行。聽到這個描述,我頓時感興趣了,開始仔細詢問待測試的電路和測試儀器。

待測試的電路板的內(nèi)存控制器為A公司的ARM架構(gòu)的MCU,內(nèi)存為Micron的SDRAM,內(nèi)存時鐘頻率為100MHz,測試儀器為某200M帶寬示波器,探頭為示波器標配的無源探頭。在以往的探頭培訓中,我曾多次給客戶講探頭的重要性,在我的幻燈片中有以下幾句話:

在把探頭連接到電路上時,可能會發(fā)生下面三種情況:
1. 您可以把實際波形形狀傳送到示波器屏幕上。
2. 探頭可能會改變波形形狀,您會在示波器上觀察到不同形狀的信號。
3. 您可能會改變被測設(shè)備的運行(良好的設(shè)備可能會開始不能正確運行,或反之)

顯然,今天我這位朋友遇到的情況正好滿足第三種的最后三個字,即探頭使運行異常的設(shè)備變正常了。如果這樣的情況能經(jīng)常發(fā)生,想必每位加班debug電路的工程師都可以不再苦惱,只需一個合適的探頭就可以找到問題原因并解決問題了。
從無源探頭的原理來看,如圖1所示為常見的無源探頭的簡化電路圖,通常示波器標配的無源探頭的直流輸入電阻為10兆歐(探頭的9兆歐與示波器前端1兆歐串聯(lián)),輸入電容為10pf左右,與9兆歐電阻并聯(lián)。當待測試信號的頻率較高時,容抗隨著頻率升高而減小,所以無源探頭整體的輸入阻抗變小,當頻率為100MHz時,輸入阻抗為159歐。

 
回到和朋友的對話,既然無源探頭在100MHz時等效于100多歐的電阻,于是我建議他找個100歐的電阻并聯(lián)端接到內(nèi)存芯片的時鐘上,即時鐘信號接100歐電阻到地。十多分鐘后,朋友告訴我并聯(lián)100歐電阻后系統(tǒng)正常工作了,可以結(jié)束加班了。不過從示波器僅有的200MHz帶寬來看,是根本無法準確測量100MHz的時鐘信號的,所以,我們約定幾天后把電路板帶到力科深圳的實驗室用更高帶寬的示波器進行測量,這樣可以準確分析端接電阻前后的時鐘波形。

幾天后,我們在實驗室重新測試了該系統(tǒng)的時鐘,測試儀器為SDA816Zi(帶寬16G,采樣率40G),探頭為ZS1500(帶寬1.5GHz)。由于待測試信號頻率僅為100MHz,所以通常1G以上示波器和探頭足以滿足需求(注:對于某些上升時間很快的時鐘,比如PCIExpress的100MHz時鐘,1GHz的帶寬是不夠的,需要更高帶寬的示波器)。下圖2左圖為未作端接時在SDRAM芯片端測量時鐘波形,右圖為靠近SDRAM顆粒并聯(lián)100歐電阻后的波形,兩者相比,前者的過沖高達7.8V,電路板不能正常工作;而后者過沖較小,電路板可以正常工作。

盡管并聯(lián)了100歐電阻后電路板能正常工作了,但是接收端測量到的峰峰值高達6.2V,對于SDRAM芯片3.3V的工作電壓來講還是比較大的,長期工作可能會導致內(nèi)存芯片出問題,所以,我們還需改進端接策略。在信號完整性書籍中,通常有串聯(lián)匹配、并聯(lián)匹配、RC網(wǎng)絡(luò)、戴維南網(wǎng)絡(luò)等端接方法,如下圖3所示。相比并聯(lián)匹配,串聯(lián)匹配不用提供DC電流到地或者電源,不會對輸出的高低電平產(chǎn)生影響,能減小過沖和EMI,所以我們接著嘗試串聯(lián)匹配下的信號質(zhì)量。


由于電路中ARM的MCU輸出的一路100MHz時鐘要驅(qū)動兩個SDRAM芯片,布線上MCU出來的時鐘剛出來就分成兩路后連向兩個SDRAM的時鐘引腳,所以我們采用了在兩路時鐘分支上同時串聯(lián)100歐電阻加并聯(lián)10pf電容的端接方法。在PCB上割線,焊上電阻和電容后測量的結(jié)果如下圖4所示,改進后的時鐘峰峰值為3.44V,波形無過沖,信號質(zhì)量良好。電路板系統(tǒng)運行正常。

下圖5所示為只串聯(lián)100歐電阻時測量到的波形,信號有過沖,峰峰值為5.35V,偏大,對比圖4的端接方法,串聯(lián)電阻加上并聯(lián)電容是較好的解決方法。

總結(jié):在這個案例中,我們得到的以下經(jīng)驗:

1、 串聯(lián)匹配是較好的SDRAM的時鐘端接策略,在原理圖設(shè)計中,需要加上串聯(lián)的電阻和并聯(lián)的電容,如果MCU輸出的時鐘驅(qū)動能力弱,可以不使用并聯(lián)的電容或者換用較小的電阻。
2、 準確的測量內(nèi)存時鐘需要足夠帶寬的示波器和探頭,無源探頭在高頻時阻抗太小,不能準確的測量波形,需要使用高帶寬的有源探頭。

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