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2011年通信業(yè)趨勢分析
2011年宏觀經(jīng)濟將保持平穩(wěn)較快增長，為通信業(yè)發(fā)展提供有利的外部環(huán)境。預計2011年我國GDP增速將在9%以上（國內(nèi)多家權(quán)威機構(gòu)預測2011年GDP增長在9.5%左右）。根據(jù)電話普及率將到90.7%的預測，預計2011年行業(yè)收入增長率為6.00%……
2011-01-26
通信業(yè) 趨勢分析 移動電話 十二五 固定電話
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泰克榮膺教育裝備十大實驗室儀器設備企業(yè)
泰克公司日前宣布，在由慧聰教育網(wǎng)主辦的“2010年中國教育裝備行業(yè)十大評選活動”中，榮獲“教育裝備十大實驗室儀器設備企業(yè)”稱號，進一步體現(xiàn)了其致力于教育市場，幫助打造學生未來職業(yè)生涯的承諾。
2011-01-26
泰克 教育裝備 實驗室 儀器設備 示波器 電源 萬用表
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物聯(lián)網(wǎng)示范區(qū)尚缺專攻
近期，南京市江寧區(qū)與上海市嘉定區(qū)加入地區(qū)物聯(lián)網(wǎng)示范區(qū)行列，其中嘉定區(qū)計劃三年內(nèi)在傳感器、軟件、數(shù)據(jù)挖掘、信息傳輸、定位跟蹤、信息安全等領(lǐng)域形成10家以上龍頭企業(yè)、200家以上骨干企業(yè)、500家中小型科教企業(yè)的產(chǎn)業(yè)集群，形成500億元人民幣以上的產(chǎn)業(yè)規(guī)模。目前，已有近百家與物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)相關(guān)的...
2011-01-26
物聯(lián)網(wǎng) 示范區(qū) 物聯(lián)網(wǎng)基地 產(chǎn)業(yè)鏈
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泰科電子公布新的企業(yè)責任計劃及報告
近日， 泰科電子有限公司今日宣布公布泰科電子責任優(yōu)勢（TERA）計劃，及其首份企業(yè)責任報告。這一泰科電子責任優(yōu)勢（TERA）計劃綜合了泰科電子現(xiàn)有的環(huán)保、供應鏈、工作場所、治理、社區(qū)計劃以及其他相關(guān)計劃。
2011-01-26
泰科電子 責任計劃 報告 環(huán)保 安全 TERA計劃
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中國醫(yī)療電子到2013年大概能超過全球的10%
“據(jù) iSuppli數(shù)據(jù)顯示，中國醫(yī)療電子2009年成長速度大概是21.4%，2010年是41.2%，2011、2012、2013年大概都是二十幾的復合成長。另外在醫(yī)療設備領(lǐng)域，中國醫(yī)療設備在全球的比例在2006年的時候，只占3.85%，2010年預計得到7.16%，到2013年大概能超過全球的10%。TI也對醫(yī)療電子市場十分關(guān)注?！盩I中國區(qū)...
2011-01-26
醫(yī)療電子 半導體 轉(zhuǎn)換器
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中國彩電業(yè)奏響三大主旋律:LED 智能 綠色
中國彩電市場，經(jīng)過2010年一年時間平板化浪潮的激蕩，到第四季度，新的發(fā)展坐標和增長空間越來越清晰：LED、智能、綠色，成為中國彩電業(yè)的主旋律。
2011-01-25
彩電業(yè) LED 智能 綠色 產(chǎn)業(yè)鏈 競爭力
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互聯(lián)家庭產(chǎn)品是2011年消費電子成功的關(guān)鍵
據(jù)IHS iSuppli公司，2010年全球消費電子(CE)產(chǎn)品出貨量將增長2.6%。在互聯(lián)家庭中發(fā)揮作用，并且專注于可用性和在互聯(lián)家庭環(huán)境中的長遠前途而非技術(shù)魔力的產(chǎn)品，其銷售不斷增長，是推動消費電子產(chǎn)品出貨量增長的因素之一……
2011-01-25
互聯(lián)家庭產(chǎn)品 消費電子 出貨量 IHS iSuppli 技術(shù)
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飛兆半導體任命Dan Kinzer為首席技術(shù)官
全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布任命Dan Kinzer擔任首席技術(shù)官兼高級副總裁 (技術(shù))。在其領(lǐng)導下，飛兆半導體將鞏固公司對技術(shù)創(chuàng)新的專注，進一步提升其針對功率電子和便攜應用的先進產(chǎn)品系列。
2011-01-25
飛兆半導體 飛兆半導體首席技術(shù)官任命 飛兆半導體新聞
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SiA427DJ：Vishay 推出P溝道器件最低導通電阻TrenchFET?功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET? 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK? SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。
2011-01-25
SiA427DJ Vishay TrenchFET?功率MOSFET
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