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開關(guān)轉(zhuǎn)換器的8位嵌入式設(shè)計應(yīng)用
為基于微控制器（MCU）的嵌入式設(shè)計減少物料清單（BOM）成本和尺寸是首要設(shè)計考慮因素之一。在帶有開關(guān)轉(zhuǎn)換器的8位MCU設(shè)計中實現(xiàn)這些設(shè)計目標(biāo)的途徑之一，是采用高頻時鐘輸出來驅(qū)動這些開關(guān)轉(zhuǎn)換器，而不是采用傳統(tǒng)的低頻脈寬調(diào)制（PWM）輸出。這種技術(shù)可以減少開關(guān)轉(zhuǎn)換器中電感器容量大小，從而降低...
2023-04-11
開關(guān)轉(zhuǎn)換器 嵌入式設(shè)計應(yīng)用
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【MSO2陪你上路帶你飛】系列之三： 快速識別和調(diào)試問題，用2系MSO調(diào)試汽車串行總線
嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用程序出現(xiàn)在眾多行業(yè)和普通消費者每天使用的各種電子產(chǎn)品中，包括從汽車和卡車到洗碗機、兒童玩具和移動電話。市場調(diào)研報告顯示，到2025年，嵌入式系統(tǒng)市場預(yù)計將增長到1162億美元，這主要源自汽車行業(yè)對先進駕駛輔助系統(tǒng)以及電動和混合動力汽車的需求急劇增長。
2023-04-11
快速識別 MSO調(diào)試 汽車串行總線
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LVDT 解調(diào)：整流器類型與同步解調(diào)
在許多應(yīng)用中，調(diào)節(jié)電路距離傳感器很遠(yuǎn)。一個很好的例子是在放射性應(yīng)用的惡劣環(huán)境中進行測量，其中調(diào)節(jié)電路應(yīng)放置在安全區(qū)域，甚至距離 LVDT 數(shù)百米。在這些情況下，通過 5 線配置長距離傳輸兩個次級電壓可能具有挑戰(zhàn)性。對于遠(yuǎn)離 LVDT 的調(diào)節(jié)模塊，需要具有低分布電容的均衡布線。這意味著布線成本...
2023-04-11
LVDT 整流器
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高壓電源對精度和準(zhǔn)確度的需求
用于高壓應(yīng)用的動力導(dǎo)軌通常需要低噪聲和緊負(fù)荷的線路調(diào)節(jié)。本文討論了“精度”和“準(zhǔn)確度”是如何分開考慮的，以及它們在功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計中通常是如何實現(xiàn)的。
2023-04-10
高壓電源 精度 準(zhǔn)確度
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哪些傳感器嵌入式功能適用于我的應(yīng)用？
本文介紹部分意法半導(dǎo)體MEMS傳感器所具備的嵌入式可編程功能，特別介紹了有限狀態(tài)機 (FSM)、機器學(xué)習(xí)內(nèi)核 (MLC) 和智能傳感器處理單元 (ISPU)。
2023-04-10
傳感器 嵌入式
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柵極長度縮放超出硅的 FET 對短溝道效應(yīng)具有魯棒性
當(dāng)今行業(yè)中發(fā)現(xiàn)的大多數(shù) FET 都是由硅制成的，因為它具有出色且可重現(xiàn)的電子特性。根據(jù)摩爾定律，硅受到薄通道厚度下遷移率下降的困擾，這為高度縮放的設(shè)備保持強靜電。過渡金屬二硫化物 (TMD) 等二維溝道材料可用于 FET 以解決此問題。由于2D 材料具有二維表面，因此它們具有更好的遷移率水平，包...
2023-04-09
柵極 FET 短溝道效應(yīng) 魯棒性
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多層 PCB 的熱應(yīng)力分析
印刷電路板 (PCB) 存在于所有電子設(shè)備中，是確保設(shè)備正常運行的核心元件。每塊 PCB 上都載有電子設(shè)備的一個重要子系統(tǒng)，用于增加設(shè)備的功能。因此，電子設(shè)備的功能越多，就需要越多的 PCB 來保證正常運行。
2023-04-09
多層 PCB 熱應(yīng)力
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從國家級科技盛會，看深圳工業(yè)第一支柱產(chǎn)業(yè)如何“大象奔跑”
4月7日，第11屆中國電子信息博覽會（以下稱“電博會”）在深圳會展中心拉開帷幕。作為展示全球電子信息產(chǎn)業(yè)最新產(chǎn)品和技術(shù)的國家級平臺，電博會已成為行業(yè)領(lǐng)先且具有國際影響力的電子信息行業(yè)年度盛會。
2023-04-08
中國電子信息博覽會 大象奔跑
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寬帶隙半導(dǎo)體在航空航天和衛(wèi)星方面的應(yīng)用
寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體在電源轉(zhuǎn)換方面具備幾個優(yōu)勢，如功率密度和效率更高，同時可通過允許使用更小無源元器件的高頻開關(guān)，減少系統(tǒng)尺寸和重量。這些優(yōu)勢在航空航天和衛(wèi)星動力系統(tǒng)中可能更加重要，因為尺寸和重量在這些領(lǐng)域中更為關(guān)鍵。本文探討了碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等 WBG 元器件在這些應(yīng)...
2023-04-08
寬帶隙半導(dǎo)體 航空航天 衛(wèi)星方面
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