【導(dǎo)讀】MOS管是電子制造的基本元件,但面對不同封裝、不同特性、不同品牌的MOS管時,該如何抉擇?有沒有省心、省力的遴選方法?下面我們就來看一下老司機是如何做的。
選擇到一款正確的MOS管,可以很好地控制生產(chǎn)制造成本,最為重要的是,為產(chǎn)品匹配了一款最恰當(dāng)?shù)脑骷?,這在產(chǎn)品未來的使用過程中,將會充分發(fā)揮其“螺絲釘”的作用,確保設(shè)備得到最高效、最穩(wěn)定、最持久的應(yīng)用效果。
那么面對市面上琳瑯滿目的MOS管,該如何選擇呢?下面,我們就分7個步驟來闡述MOS管的選型要求。
首先是確定N、P溝道的選擇
MOS管有兩種結(jié)構(gòu)形式,即N溝道型和P溝道型,結(jié)構(gòu)不一樣,使用的電壓極性也會不一樣,因此,在確定選擇哪種產(chǎn)品前,首先需要確定采用N溝道還是P溝道MOS管。
MOS管的兩種結(jié)構(gòu):N溝道型和P溝道型
在典型的功率應(yīng)用中,當(dāng)一個MOS管接地,而負(fù)載連接到干線電壓上時,該MOS管就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中,應(yīng)采用N溝道MOS管,這是出于對關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。
當(dāng)MOS管連接到總線及負(fù)載接地時,就要用高壓側(cè)開關(guān)。通常會在這個拓?fù)渲胁捎肞溝道MOS管,這也是出于對電壓驅(qū)動的考慮。
要選擇適合應(yīng)用的器件,必須確定驅(qū)動器件所需的電壓,以及在設(shè)計中最簡易執(zhí)行的方法。
第二步是確定電壓
額定電壓越大,器件的成本就越高。從成本角度考慮,還需要確定所需的額定電壓,即器件所能承受的最大電壓。根據(jù)實踐經(jīng)驗,額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線電壓或總線電壓,一般會留出1.2~1.5倍的電壓余量,這樣才能提供足夠的保護,使MOS管不會失效。
就選擇MOS管而言,必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓,即最大VDS。由于MOS管所能承受的最大電壓會隨溫度變化而變化,設(shè)計人員必須在整個工作溫度范圍內(nèi)測試電壓的變化范圍。額定電壓必須有足夠的余量覆蓋這個變化范圍,確保電路不會失效。
此外,設(shè)計工程師還需要考慮其他安全因素:如由開關(guān)電子設(shè)備(常見有電機或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變。另外,不同應(yīng)用的額定電壓也有所不同;通常便攜式設(shè)備選用20V的MOS管,F(xiàn)PGA電源為20~30V的MOS管,85~220VAC應(yīng)用時MOS管VDS為450~600V。
第三步為確定電流
確定完電壓后,接下來要確定的就是MOS管的電流。需根據(jù)電路結(jié)構(gòu)來決定,MOS管的額定電流應(yīng)是負(fù)載在所有情況下都能夠承受的最大電流;與電壓的情況相似,MOS管的額定電流必須能滿足系統(tǒng)產(chǎn)生尖峰電流時的需求。
電流的確定需從兩個方面著手:連續(xù)模式和脈沖尖峰。在連續(xù)導(dǎo)通模式下,MOS管處于穩(wěn)態(tài),此時電流連續(xù)通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件。一旦確定了這些條件下的最大電流,只需直接選擇能承受這個最大電流的器件便可。
選好額定電流后,還必須計算導(dǎo)通損耗。在實際情況下,MOS管并不是理想的器件,因為在導(dǎo)電過程中會有電能損耗,也就是導(dǎo)通損耗。MOS管在“導(dǎo)通”時就像一個可變電阻,由器件的導(dǎo)通電阻RDS(ON)所確定,并隨溫度而顯著變化。
器件的功率損耗PTRON=Iload2×RDS(ON)計算(Iload:最大直流輸出電流),由于導(dǎo)通電阻會隨溫度變化,因此功率耗損也會隨之按比例變化。對MOS管施加的電壓VGS越高,RDS(ON)就會越??;反之RDS(ON)就會越高。
對系統(tǒng)設(shè)計人員來說,這就需要折中權(quán)衡。
對便攜式設(shè)計來說,采用較低的電壓即可(較為普遍);而對于工業(yè)設(shè)計來說,可采用較高的電壓。需要注意的是,RDS(ON)電阻會隨著電流輕微上升。
技術(shù)對器件的特性有著重大影響,因為有些技術(shù)在提高最大VDS(漏源額定電壓)時往往會使RDS(ON)增大。對于這樣的技術(shù),如果打算降低VDS和RDS(ON),那么就得增加晶片尺寸,從而增加與之配套的封裝尺寸及相關(guān)的開發(fā)成本。業(yè)界現(xiàn)有好幾種試圖控制晶片尺寸增加的技術(shù),其中最主要的是溝道和電荷平衡技術(shù)。
在溝道技術(shù)中,晶片中嵌入了一個深溝,通常是為低電壓預(yù)留的,用于降低導(dǎo)通電阻RDS(ON)。為了減少最大VDS對RDS(ON)的影響,開發(fā)過程中采用了外延生長柱/蝕刻柱工藝。例如,飛兆半導(dǎo)體開發(fā)的SupeRFET技術(shù),針對RDS(ON)的降低而增加了額外的制造步驟。
這種對RDS(ON)的關(guān)注十分重要,因為當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)MOSFET的擊穿電壓升高時,RDS(ON)會隨之呈指數(shù)級增加,并且導(dǎo)致晶片尺寸增大。SuperFET工藝將RDS(ON)與晶片尺寸間的指數(shù)關(guān)系變成了線性關(guān)系。
這樣,SuperFET器件便可在小晶片尺寸,甚至在擊穿電壓達(dá)到600V的情況下,實現(xiàn)理想的低RDS(ON)。結(jié)果是晶片尺寸可減小達(dá)35%。而對于最終用戶來說,這意味著封裝尺寸的大幅減小。
SuperFETIIIMOSFET系列參數(shù)
第四步是確定熱要求
在確定電流之后,就要計算系統(tǒng)的散熱要求。設(shè)計人員必須考慮兩種不同的情況:最壞情況和真實情況。建議采用針對最壞情況的計算結(jié)果,因為這個結(jié)果提供更大的安全余量,能確保系統(tǒng)不會失效。在MOS管的資料表上還有一些需要注意的測量數(shù)據(jù),比如封裝器件的半導(dǎo)體結(jié)與環(huán)境之間的熱阻,以及最大的結(jié)溫。
器件的結(jié)溫等于最大環(huán)境溫度加上熱阻與功率耗散的乘積,即結(jié)溫=最大環(huán)境溫度(熱阻×功率耗散)。根據(jù)這個方程可解出系統(tǒng)的最大功率耗散=I2×RDS(ON)。
由于設(shè)計人員已確定將要通過器件的最大電流,因此可以計算出不同溫度下的RDS(ON)。值得注意的是,在處理簡單熱模型時,設(shè)計人員還必須考慮半導(dǎo)體結(jié)/器件外殼及外殼/環(huán)境的熱容量;即要求印刷電路板和封裝不會立即升溫。
雪崩擊穿(指半導(dǎo)體器件上的反向電壓超過最大值,并形成強電場使器件內(nèi)電流增加)形成的電流將耗散功率,使器件溫度升高,而且有可能損壞器件。半導(dǎo)體公司都會對器件進行雪崩測試,計算其雪崩電壓,或?qū)ζ骷姆€(wěn)健性進行測試。
計算額定雪崩電壓有兩種方法;一是統(tǒng)計法,另一是熱計算。而熱計算因為較為實用而得到廣泛采用。除計算外,技術(shù)對雪崩效應(yīng)也有很大影響。例如,晶片尺寸的增加會提高抗雪崩能力,最終提高器件的穩(wěn)健性。對最終用戶而言,這意味著要在系統(tǒng)中采用更大的封裝件。
第五步是確定開關(guān)性能
選擇MOS管的最后一步是確定其開關(guān)性能。影響開關(guān)性能的參數(shù)有很多,但最重要的是柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容。因為在每次開關(guān)時都要對這些電容充電,會在器件中產(chǎn)生開關(guān)損耗;MOS管的開關(guān)速度也因此被降低,器件效率隨之下降;其中,柵極電荷(Qgd)對開關(guān)性能的影響最大。
為計算開關(guān)過程中器件的總損耗,設(shè)計人員必須計算開通過程中的損耗(Eon)和關(guān)閉過程中的損耗(Eoff),進而推導(dǎo)出MOS管開關(guān)總功率:Psw=(EonEoff)×開關(guān)頻率。
增強型NMOS管構(gòu)成的開關(guān)電路
第六步為封裝因素考量
不同的封裝尺寸MOS管具有不同的熱阻和耗散功率,需要考慮系統(tǒng)的散熱條件和環(huán)境溫度(如是否有風(fēng)冷、散熱器的形狀和大小限制、環(huán)境是否封閉等因素),基本原則就是在保證功率MOS管的溫升和系統(tǒng)效率的前提下,選取參數(shù)和封裝更通用的功率MOS管。
常見的MOS管封裝有:
①插入式封裝:TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251、TO-92;
②表面貼裝式:TO-263、TO-252、SOP-8、SOT-23、DFN。
TO封裝MOS管
不同的封裝形式,MOS管對應(yīng)的極限電流、電壓和散熱效果都會不一樣,簡單介紹如下。
TO-3P/247:是中高壓、大電流MOS管常用的封裝形式,產(chǎn)品具有耐壓高、抗擊穿能力強等特點,適于中壓大電流(電流10A以上、耐壓值在100V以下)在120A以上、耐壓值200V以上的場所中使用。
TO-220/220F:這兩種封裝樣式的MOS管外觀差不多,可以互換使用,不過TO-220背部有散熱片,其散熱效果比TO-220F要好些,價格相對也要貴些。這兩個封裝產(chǎn)品適于中壓大電流120A以下、高壓大電流20A以下的場合應(yīng)用。
TO-251:該封裝產(chǎn)品主要是為了降低成本和縮小產(chǎn)品體積,主要應(yīng)用于中壓大電流60A以下、高壓7N以下環(huán)境中。
TO-92:該封裝只有低壓MOS管(電流10A以下、耐壓值60V以下)和高壓1N60/65在采用,主要是為了降低成本。
TO-263:是TO-220的一個變種,主要是為了提高生產(chǎn)效率和散熱而設(shè)計,支持極高的電流和電壓,在150A以下、30V以上的中壓大電流MOS管中較為多見。
TO-252:是目前主流封裝之一,適用于高壓在7N以下、中壓在70A以下環(huán)境中。
SOP-8:該封裝同樣是為降低成本而設(shè)計,一般在50A以下的中壓、60V左右的低壓MOS管中較為多見。
SOT-23:適于幾A電流、60V及以下電壓環(huán)境中采用,其又分有大體積和小體積兩種,主要區(qū)別在于電流值不同。
DFN:體積上,較SOT-23大,但小于TO-252,一般在低壓和30A以下中壓MOS管中有采用,得益于產(chǎn)品體積小,主要應(yīng)用于DC小功率電流環(huán)境中。
第七步要選擇好品牌
MOS管的生產(chǎn)企業(yè)很多,大致說來,主要有歐美系、日系、韓系、臺系、國產(chǎn)幾大系列。
歐美系代表企業(yè):ST、安森美(含仙童)、TI、PI、英飛凌(含IR)等;
日系代表企業(yè):東芝、瑞薩、新電元等;
韓系代表企業(yè):KEC、AUK、美格納、森名浩、威士頓、信安、KIA等;
臺系代表企業(yè):APEC 富鼎、CET 華瑞;
國產(chǎn)代表企業(yè):吉林華微、士蘭微、華潤華晶、東光微、世紀(jì)金光半導(dǎo)體等。
在這些品牌中,以歐美系企業(yè)的產(chǎn)品種類最全、技術(shù)及性能最優(yōu),從性能效果考慮,是為MOS管的首選;以瑞薩、東芝為代表的日系企業(yè)也是MOS管的高端品牌,同樣具有很強的競爭優(yōu)勢;這些品牌也是市面上被仿冒最多的。另外,由于品牌價值、技術(shù)優(yōu)勢等原因,歐美系和日系品牌企業(yè)的產(chǎn)品價格也往往較高。
韓國和中國臺灣的MOS管企業(yè)也是行業(yè)的重要產(chǎn)品供應(yīng)商,不過在技術(shù)上,要稍弱于歐美及日系企業(yè),但在價格方面,較歐美及日系企業(yè)更具優(yōu)勢;性價比相對高很多。
而在中國大陸,同樣活躍著一批本土企業(yè),他們借助更低的成本優(yōu)勢和更快的客戶服務(wù)響應(yīng)速度,在中低端及細(xì)分領(lǐng)域具有很強的競爭力,部分實現(xiàn)了國產(chǎn)替代;目前也在不斷沖擊高端產(chǎn)品線,以滿足本土客戶的需求。另外,本土企業(yè)還通過資本運作,成功收購了安世半導(dǎo)體等國際知名的功率器件公司,將更好地滿足本土對功率器件的需求。
小結(jié)
小到選N型還是P型、封裝類型,大到MOSFET的耐壓、導(dǎo)通電阻等,不同的應(yīng)用需求千變?nèi)f化,工程師在選擇MOS管時,一定要依據(jù)電路設(shè)計需求及MOS管工作場所來選取合適的MOS管,從而獲得最佳的產(chǎn)品設(shè)計體驗。當(dāng)然,在考慮性能的同時,成本也是選擇的因素之一,只有高性價比的產(chǎn)品,才能讓工程師設(shè)計的產(chǎn)品在品質(zhì)與收益中達(dá)到平衡。
推薦閱讀: