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650V-GaN和SiGe整流器解決方案
Nexperia在TO-247和專有CCPAK表面貼裝封裝中采用下一代高壓GaN HEMT H2技術(shù)的新型GaN FET解決方案將主要針對(duì)汽車、5G和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用。Nexperia還宣布了硅鍺（SiGe）整流器的新解決方案，其反向電壓分別為120V、150V和200V，將肖特基（Schottky）整流器的高效性與快速恢復(fù)二極管的熱穩(wěn)定性相結(jié)合。
2020-11-11
GaN SiGe 整流器 解決方案
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電池管理系統(tǒng)提高了電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的安全性
電動(dòng)汽車（EV）和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車（HEV）的市場(chǎng)份額在2020年可能達(dá)到30%。這種市場(chǎng)吸引力是由于對(duì)內(nèi)燃機(jī)（ICE）汽車環(huán)境影響的擔(dān)憂增加以及降低燃料成本的努力。因此，汽車制造商正在投資于其車輛的電氣化，從而在電池技術(shù)和電池組安全性方面取得了重大進(jìn)步。
2020-11-11
電池管理系統(tǒng) 電動(dòng)汽車 混合動(dòng)力汽車 安全性
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關(guān)鍵電源技術(shù)要素都有哪些？
本電源技術(shù)購(gòu)買指南以易于理解的術(shù)語(yǔ)介紹了一些重要類型組件的主要屬性和功能。該指南專門針對(duì)采購(gòu)專業(yè)人員，涵蓋了從簡(jiǎn)單的元器件到比較復(fù)雜的IC等主要組件。本文還提供一個(gè)可下載指南，其中包括電源領(lǐng)域中常用術(shù)語(yǔ)的詞匯表。
2020-11-10
關(guān)鍵電源 技術(shù) 要素 二極管
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采用額外的肖特基二極管減少干擾
在負(fù)載點(diǎn)(POL)降壓轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域，同步變化的高邊和低邊有源開(kāi)關(guān)已被廣泛使用。圖1顯示了具有理想開(kāi)關(guān)的此類電路。與使用無(wú)源肖特基二極管作為低邊開(kāi)關(guān)的架構(gòu)相比，此類開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。主要優(yōu)勢(shì)是電壓轉(zhuǎn)換效率更高，因?yàn)榕c采用無(wú)源二極管的情況相比，低端開(kāi)關(guān)承載電流時(shí)的壓降更低。
2020-11-10
肖特基二極管 干擾
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輔助電源方案用于汽車功能電子化
輔助電源單元在電池電動(dòng)汽車(BEV)和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(HEV)的電源應(yīng)用中無(wú)處不在，對(duì)于為控制、通信、安全、驅(qū)動(dòng)等通常低于20 V的各種低壓子系統(tǒng)供電至關(guān)重要，而且，電源本身的電源可能來(lái)自+400 V直流高壓總線，如車載充電(OBC)系統(tǒng)或48 V或12 V電池電壓軌。
2020-11-09
輔助電源 方案 汽車功能 電子化
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使用MOSFET內(nèi)的二極管為逆變器中的電池充電
在這篇文章中，我們將了解如何利用MOSFET的內(nèi)部二極管為逆變器中的電池充電。我們將研究全橋逆變器的概念，并學(xué)習(xí)如何將其4個(gè)MOSFET的內(nèi)置二極管為電池充電。
2020-11-09
MOSFET 二極管 逆變器 充電
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安森美的VE-Trac Dual獲ASPENCORE全球電子成就獎(jiǎng)
2020年11月6日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON）的VE-Trac Dual電源模塊NVG800A75L4DSC獲2020年全球電子成就獎(jiǎng) (WEAA) 電源管理/電壓轉(zhuǎn)換類創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)。
2020-11-06
安森美 VE-Trac Dual ASPENCORE 電子成就獎(jiǎng)
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柵極驅(qū)動(dòng)器的原理
我們將簡(jiǎn)要介紹柵極驅(qū)動(dòng)器的概念并詳細(xì)解釋隔離式和非隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的本質(zhì)特征。我們還將學(xué)習(xí)隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的一些關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)。
2020-11-06
柵極驅(qū)動(dòng)器 原理
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SiC將會(huì)是分立器件和模塊共存的市場(chǎng)
隨著半導(dǎo)體材料步入第三代半導(dǎo)體時(shí)代，行業(yè)巨頭在SiC/GaN器件和模塊上早已布局多年。事實(shí)上，從特性上來(lái)講，SiC和GaN的優(yōu)勢(shì)是互補(bǔ)的，應(yīng)用覆蓋了電動(dòng)汽車(EV)、新能源、光伏逆變器、智能電器、醫(yī)療、通信射頻。
2020-11-06
SiC 分立器件 模塊
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