【導(dǎo)讀】目前應(yīng)用在移動(dòng)終端的嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備(這里主要指UFS/eMMC等,以下統(tǒng)稱(chēng)“嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備”)中主流介質(zhì)還是TLC。但更高存儲(chǔ)密度的QLC也已經(jīng)產(chǎn)品化,比如一些數(shù)據(jù)中心(讀密集型應(yīng)用)已經(jīng)在部署QLC存儲(chǔ)設(shè)備。QLC可以給存儲(chǔ)設(shè)備帶來(lái)更低的成本,作為消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品的嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備,未來(lái)引入QLC也是勢(shì)在必行。
背景
目前應(yīng)用在移動(dòng)終端的嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備(這里主要指UFS/eMMC等,以下統(tǒng)稱(chēng)“嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備”)中主流介質(zhì)還是TLC。但更高存儲(chǔ)密度的QLC也已經(jīng)產(chǎn)品化,比如一些數(shù)據(jù)中心(讀密集型應(yīng)用)已經(jīng)在部署QLC存儲(chǔ)設(shè)備。QLC可以給存儲(chǔ)設(shè)備帶來(lái)更低的成本,作為消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品的嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備,未來(lái)引入QLC也是勢(shì)在必行。
但和當(dāng)前主流TLC相比,QLC在性能和壽命上都相差很大,從下面某原廠(chǎng)TLC和QLC在性能和壽命方面的一個(gè)對(duì)比可見(jiàn)一斑。
(Table 1:某原廠(chǎng)TLC和QLC性能和壽命對(duì)比) 因此,QLC要應(yīng)用在嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備上,首先需要解決性能差和壽命短兩大問(wèn)題。 雖然QLC還不到TLC的1/4寫(xiě)入性能,但目前消費(fèi)級(jí)固態(tài)存儲(chǔ)產(chǎn)品都有成熟的SLC cache機(jī)制,能保證用戶(hù)有比較好的突發(fā)寫(xiě)入性能(寫(xiě)SLC的性能)。由于嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備有比較充裕的空閑時(shí)間,存儲(chǔ)設(shè)備可以利用空閑時(shí)間把數(shù)據(jù)從SLC搬到QLC,只要不是重度寫(xiě)入場(chǎng)景,這部分QLC寫(xiě)入性能,用戶(hù)一般感知不到。 但數(shù)據(jù)一旦寫(xiě)到QLC,對(duì)比TLC,用戶(hù)讀取性能變差。針對(duì)這個(gè)讀取性能差的問(wèn)題,有一種方案是把熱數(shù)據(jù)(經(jīng)常讀?。?xiě)回SLC,但這樣無(wú)疑增加了設(shè)備復(fù)雜性,而且數(shù)據(jù)搬移帶來(lái)了額外的寫(xiě)放大,這讓壽命本來(lái)就不長(zhǎng)的QLC“雪上加霜”。 如果說(shuō)性能問(wèn)題可以通過(guò)SLC解決或者緩解,那對(duì)于QLC壽命問(wèn)題,在分區(qū)存儲(chǔ)引入之前,可能的解決方案有:用戶(hù)端使用類(lèi)F2FS文件系統(tǒng)和使用數(shù)據(jù)分流。
F2FS文件系統(tǒng)化隨機(jī)寫(xiě)為順序?qū)?,這會(huì)減少存儲(chǔ)設(shè)備內(nèi)部垃圾回收導(dǎo)致的寫(xiě)放大,但F2FS文件系統(tǒng)本身的垃圾回收,會(huì)給存儲(chǔ)設(shè)備帶來(lái)額外的寫(xiě)。綜合下來(lái),F(xiàn)2FS文件系統(tǒng)給設(shè)備帶來(lái)的寫(xiě)放大不一定減少。 數(shù)據(jù)分流需要主機(jī)和設(shè)備配合:主機(jī)端對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行冷熱甄別,設(shè)備端根據(jù)數(shù)據(jù)的冷熱程度把它們存儲(chǔ)在不同的閃存塊上。數(shù)據(jù)分流能一定程度上減少存儲(chǔ)設(shè)備寫(xiě)放大,但具體能帶來(lái)多大收益,這取決于用戶(hù)冷熱數(shù)據(jù)的比例,因此有一定的局限性。 今天要介紹減小寫(xiě)放大的終極大招——分區(qū)存儲(chǔ)(Zoned Storage),它能消除QLC和TLC壽命之間的差異,而且能提升存儲(chǔ)設(shè)備性能,讓QLC應(yīng)用到嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備上變得可能。
什么是分區(qū)存儲(chǔ)?
分區(qū)存儲(chǔ)概念最早來(lái)源于SMR HDD。SMR是“Shingled Magnetic Recording”(疊瓦式磁記錄)的首字母縮寫(xiě),是一種用于增加容量并降低硬盤(pán)每TB成本的重要技術(shù)。SMR硬盤(pán)把硬盤(pán)分成一個(gè)個(gè)的分區(qū)(Zone),每個(gè)分區(qū)內(nèi)部必須順序?qū)?,否則會(huì)發(fā)生數(shù)據(jù)覆蓋從而導(dǎo)致之前寫(xiě)入的數(shù)據(jù)丟失問(wèn)題。
(Figure 1:SMR HDD) 分區(qū)存儲(chǔ)設(shè)備的邏輯空間被劃分成一個(gè)個(gè)連續(xù)的分區(qū),分區(qū)內(nèi)部只能被順序?qū)懭?。每個(gè)分區(qū)都有一個(gè)寫(xiě)指針,用于跟蹤下一次寫(xiě)入的位置。分區(qū)中的數(shù)據(jù)不能被覆蓋,必須首先使用特殊命令(區(qū)域重置)擦除數(shù)據(jù)。 (Figure 2:分區(qū)存儲(chǔ)概念)
除了HDD,基于閃存的固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備,也是非常喜歡順序?qū)懭氲模驗(yàn)轫樞驅(qū)懶阅芎茫覍?dǎo)致的寫(xiě)放大也小?!白屩鳈C(jī)端順序?qū)懭搿币恢笔枪虘B(tài)存儲(chǔ)設(shè)備的夢(mèng)想,在SMR HDD助力下,分區(qū)存儲(chǔ)生態(tài)日趨完善,NVMe也制定了ZNS(Zoned Namespace)標(biāo)準(zhǔn),SSD也算是“圓夢(mèng)”了。
分區(qū)存儲(chǔ)帶來(lái)的好處
分區(qū)存儲(chǔ)帶來(lái)的一大好處就是能消除存儲(chǔ)設(shè)備內(nèi)部的垃圾回收。存儲(chǔ)設(shè)備垃圾回收會(huì)導(dǎo)致兩個(gè)主要問(wèn)題:一是引入寫(xiě)放大,導(dǎo)致存儲(chǔ)設(shè)備壽命減少;二是垃圾回收的同時(shí)如果伴有主機(jī)讀寫(xiě),垃圾回收操作則會(huì)影響主機(jī)讀寫(xiě)性能。
(Figure 3:垃圾回收示例)
垃圾回收原理:為騰出空閑閃存塊,需要把有效數(shù)據(jù)A、B、C從源閃存數(shù)據(jù)塊搬到新的閃存塊,內(nèi)部數(shù)據(jù)的搬移引入寫(xiě)放大。寫(xiě)放大 = 寫(xiě)入閃存的數(shù)據(jù)量/主機(jī)寫(xiě)入的數(shù)據(jù)量,寫(xiě)放大越大,對(duì)閃存磨損越厲害。
分區(qū)存儲(chǔ)怎么就能消除存儲(chǔ)設(shè)備垃圾回收的呢?
如果分區(qū)大小是存儲(chǔ)設(shè)備閃存塊大小的整數(shù)倍,這樣一個(gè)分區(qū)的數(shù)據(jù)會(huì)被寫(xiě)到閃存設(shè)備的整數(shù)個(gè)閃存塊內(nèi)。由于分區(qū)不允許覆蓋寫(xiě),一個(gè)分區(qū)數(shù)據(jù)只能被整體無(wú)效掉,也就是意味著該分區(qū)對(duì)應(yīng)的閃存塊也是整體被無(wú)效掉(上面沒(méi)有任何有效數(shù)據(jù)),因此存儲(chǔ)設(shè)備內(nèi)部回收閃存塊無(wú)需垃圾回收——只需要一個(gè)擦除動(dòng)作。 傳統(tǒng)垃圾回收由于需要搬移閃存塊上的有效數(shù)據(jù),會(huì)導(dǎo)致寫(xiě)放大。還有,為減小寫(xiě)放大和加速垃圾回收,存儲(chǔ)設(shè)備都會(huì)預(yù)留一些閃存空間(也就是我們常說(shuō)的OP),以減少閃存塊上有效數(shù)據(jù)數(shù)量?,F(xiàn)在分區(qū)存儲(chǔ)設(shè)備中由于不存在垃圾回收,因此沒(méi)有寫(xiě)放大,同時(shí)這部分OP也可以省掉了(節(jié)省成本)。
(Figure 4:傳統(tǒng)SSD數(shù)據(jù)存放和分區(qū)SSD數(shù)據(jù)存放比較) 分區(qū)存儲(chǔ)帶來(lái)的另一大好處就是大大減少了映射表大小,從而提升系統(tǒng)性能,減少存儲(chǔ)設(shè)備成本。 基于閃存的傳統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備一般按4KB邏輯塊大小為映射粒度,其L2P映射表(邏輯地址到物理地址的映射)大小一般為存儲(chǔ)設(shè)備容量的1/1024,比如一個(gè)512GB的UFS設(shè)備,其L2P映射表大小為512MB。企業(yè)級(jí)SSD一般都配有相應(yīng)大小的DRAM來(lái)存儲(chǔ)運(yùn)行時(shí)的L2P映射表,比如512GB的企業(yè)級(jí)SSD需要搭載至少512MB的DRAM;而業(yè)界消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)設(shè)備則是出于成本考慮,一般都沒(méi)有DRAM,它利用控制器小的SRAM緩存部分L2P映射表,而絕大多數(shù)L2P映射表都是存在閃存,固件按需從閃存加載映射關(guān)系數(shù)據(jù)到控制器SRAM。這種DRAM-less的存儲(chǔ)設(shè)備,與帶DRAM的存儲(chǔ)設(shè)備相比,少了DRAM的成本,但性能無(wú)疑會(huì)大打折扣,因?yàn)榭刂破鱏RAM大小有限,對(duì)隨機(jī)讀取場(chǎng)景來(lái)說(shuō),映射表緩存命中率很低,固件很多時(shí)候需要先從閃存加載映射關(guān)系,然后再根據(jù)獲得的物理地址去讀用戶(hù)數(shù)據(jù),也就是說(shuō)讀取一筆數(shù)據(jù)需要訪(fǎng)問(wèn)幾次閃存,意味著讀取性能肯定比只訪(fǎng)問(wèn)一次閃存要慢得多。 問(wèn)題的根因是傳統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備映射粒度太細(xì)了,導(dǎo)致映射表巨大。而分區(qū)存儲(chǔ)設(shè)備,我們可以按照分區(qū)大小為映射粒度。假設(shè)分區(qū)大小為128MB,一個(gè)512GB的設(shè)備有4096個(gè)分區(qū),每個(gè)分區(qū)對(duì)應(yīng)的物理地址用4字節(jié)表示,那么整個(gè)L2P映射表只有16KB!這么小的映射表完全可以存儲(chǔ)在控制器SRAM中,因此在企業(yè)級(jí)SSD中可節(jié)省DRAM的使用;對(duì)消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品來(lái)說(shuō),L2P映射表可以常駐內(nèi)存,無(wú)需從閃存中獲取映射關(guān)系,讀取一筆數(shù)據(jù)只需訪(fǎng)問(wèn)一次閃存,這大大加速了隨機(jī)讀取性能。
(Table 2:傳統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備和分區(qū)存儲(chǔ)設(shè)備映射對(duì)比)
分區(qū)存儲(chǔ)助力QLC嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備 回到QLC應(yīng)用到嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備的話(huà)題。 在傳統(tǒng)嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備中,垃圾回收一般會(huì)引入3-4的寫(xiě)放大,即一個(gè)3000次擦寫(xiě)次數(shù)的TLC閃存,真正給到用戶(hù)的擦寫(xiě)次數(shù)可能不到1000次。而分區(qū)存儲(chǔ)的使用,由于不存在垃圾回收,因此寫(xiě)放大可以做到接近1,也就是一個(gè)1500次擦寫(xiě)次數(shù)的QLC,給到用戶(hù)就是實(shí)打?qū)嵉?500次。這意味著:傳統(tǒng)用3000次擦寫(xiě)次數(shù)TLC的存儲(chǔ)設(shè)備,假設(shè)TBW為100TB,現(xiàn)在如果用QLC,雖然QLC的擦寫(xiě)次數(shù)只有TLC的一半,但由于分區(qū)存儲(chǔ)的使用,TBW反而能提升到150TB。 對(duì)分區(qū)存儲(chǔ)設(shè)備,由于L2P映射表很小,完全能夠存放在控制器SRAM,因此可快速更新和獲取映射關(guān)系,從而大幅提升系統(tǒng)讀寫(xiě)性能。傳統(tǒng)基于TLC的嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備,在隨機(jī)讀取一筆數(shù)據(jù)(4KB)的時(shí)候,由于L2P映射緩存很?。◣装貹B),固件大概率要先從閃存上加載L2P映射關(guān)系,這個(gè)時(shí)間大概40us左右,然后再花60us左右的時(shí)間從閃存加載用戶(hù)數(shù)據(jù)——隨機(jī)讀取一筆數(shù)據(jù)的時(shí)間大概需要花100us左右;而現(xiàn)在基于分區(qū)存儲(chǔ)的嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備,由于省掉了加載映射關(guān)系的時(shí)間,雖然讀取閃存的時(shí)間QLC要比TLC長(zhǎng),但總的時(shí)間下來(lái),兩者是相當(dāng)?shù)摹?/p> 由于分區(qū)存儲(chǔ)設(shè)備的使用,再加上成熟的SLC緩存機(jī)制,這兩大特性彌補(bǔ)了QLC壽命短和性能差兩大短板,讓QLC應(yīng)用到嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備上變得可行?,F(xiàn)在典型的嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備為UFS設(shè)備,如果引入了分區(qū)存儲(chǔ),像UFS中的HPB、FBO等特性完全可以?huà)仐?,這也無(wú)疑簡(jiǎn)化了UFS設(shè)備的設(shè)計(jì)。
嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備技術(shù)展望 前端接口協(xié)議方面,應(yīng)用于安卓平臺(tái)上的嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備當(dāng)前主流是UFS設(shè)備,相信未來(lái)很長(zhǎng)一段時(shí)間也會(huì)沿著UFS路線(xiàn)繼續(xù)向前。UFS4.0協(xié)議今年8月份發(fā)布,三星早前也發(fā)布了UFS4.0存儲(chǔ)設(shè)備。
(Figure 5:嵌入式存儲(chǔ)協(xié)議發(fā)展路線(xiàn))
存儲(chǔ)介質(zhì)方面,作為消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品,嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備對(duì)成本敏感,隨著QLC閃存的成熟,QLC必然會(huì)應(yīng)用到未來(lái)的嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備上,無(wú)論是廠(chǎng)商還是消費(fèi)者,都要做好這個(gè)心理準(zhǔn)備。事實(shí)上,今年(2022年)年初鎧俠已經(jīng)發(fā)布了基于QLC的UFS3.1產(chǎn)品。 QLC應(yīng)用到嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備上,要讓消費(fèi)者用得放心,這需要相關(guān)的技術(shù)來(lái)解決QLC介質(zhì)可靠性差、壽命短、性能差等問(wèn)題。因此在技術(shù)趨勢(shì)方面,一方面是嵌入式存儲(chǔ)控制器糾錯(cuò)能力需要變得越來(lái)越強(qiáng);另一方面,像數(shù)據(jù)分流、分區(qū)存儲(chǔ)這些能減小寫(xiě)放大的技術(shù)也會(huì)被引入,來(lái)彌補(bǔ)QLC壽命短這塊短板。 目前,江波龍具有基于主流3D TLC閃存的豐富的嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品,從eMMC到高性能UFS3.1,從消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)到車(chē)規(guī)級(jí)存儲(chǔ),產(chǎn)品矩陣全面。同時(shí),公司也在思考怎么把存儲(chǔ)密度更高的QLC應(yīng)用到嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品上,并開(kāi)展相關(guān)技術(shù)預(yù)研工作。未來(lái),江波龍會(huì)持續(xù)給客戶(hù)帶來(lái)更多超越期望的嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品。
(來(lái)源:江波龍電子)
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