圖1：AON7280和AON7290

使用專有的AOS AlphaMOS技術(shù)，AON7280的80V和100V AON7290提供超低RDS的27％和10％，比主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，分別構(gòu)建。的低導(dǎo)通電阻減小導(dǎo)通損耗，并允許器件工作在較低的溫度下。這是不影響開關(guān)性能的兩個(gè)設(shè)備提供最低的RDS * COSS的行業(yè)。這些解決方案被打包在綠色DFN3.3×3.3封裝，電路板空間的關(guān)鍵應(yīng)用提供電路設(shè)計(jì)的靈活性。

“在狹小的空間中構(gòu)建高效的電源解決方案，設(shè)計(jì)人員在更小的 封裝的高性能MOSFET中實(shí)現(xiàn)。”斯蒂芬說。在AOS的高級(jí)產(chǎn)品營(yíng)銷張經(jīng)理說：“AON7280和AON7290結(jié)合了高密度AlphaMOS技術(shù)，具有結(jié)構(gòu)緊湊DFN3.3×3.3封裝，以滿足設(shè)計(jì)師需求。“

AON7280技術(shù)要點(diǎn)

80V N溝道MOSFET
RDS <8.5毫歐（最大值）在VGS = 10V（最低在行業(yè)）
COSS = 265 pF的典型
QG（10V）= 26 NC（典型值）
最低RDS * Qg和數(shù)字的優(yōu)點(diǎn)在市場(chǎng)上
最低RDS * COSS數(shù)字的優(yōu)點(diǎn)在市場(chǎng)上
100％的Rg和UIS測(cè)試

AON7290技術(shù)要點(diǎn)

100V N溝道MOSFET
RDS <12.6毫歐最大VGS = 10V（最低在行業(yè)）
COSS = 175 pF的典型
QG（10V）= 26.5 NC（典型值）
最低RDS * COSS數(shù)字的優(yōu)點(diǎn)在市場(chǎng)上
100％的Rg和UIS測(cè)試