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VFCD1505:Vishay增強版表面貼裝倒裝芯片分壓器

發(fā)布時間:2009-03-10

產(chǎn)品特性:
  • ±0.05 ppm/°C 和 ±0.2 ppm/°C 的超低絕對TCR
  • 最高可提供±0.01%的嚴格容差匹配及0.1 ppm/°C 的TCR
  • 倒裝芯片接頭采用卷繞方式,可減少所需的電路板空間
  • 可承受高達 25kV 的靜電放電
  • 電阻范圍: 1 k? 至 10 k?
  • 2000 個小時保持 ±0.005% 的負載壽命穩(wěn)定率
應(yīng)用范圍:
  • 高精度儀器放大器、橋接網(wǎng)絡(luò)、差分放大器及電橋電路
  • 醫(yī)療、測試及軍用設(shè)備等
日前,Vishay宣布已增強VFCD1505分壓器的功能,器件具有小于 1 秒的幾乎瞬時熱穩(wěn)定時間。當溫度范圍在 0°C 至 +60°C 和 ?55°C 至 +125°C(參考溫度為 +25°C)時,該器件具有 ±0.05 ppm/°C 和 ±0.2 ppm/°C 的超低絕對 TCR,在額定功率時具有 ±5 ppm 的出色 TCR 跟蹤(“自身散熱產(chǎn)生的 ?R”)及 ±0.005% (50 ppm) 的負載壽命穩(wěn)定率。

VFCD1505 可在同時蝕刻在公共襯底上的一塊箔上的兩個電阻間提供 ±0.01%(可低至 ±0.005 %)的嚴格容差匹配及 0.1 ppm/°C 的 TCR 跟蹤。對設(shè)計人員而言,該一體化結(jié)構(gòu)的電氣特性可改進性能,并實現(xiàn)比分離電阻和配對設(shè)計更高的構(gòu)建利用率。

VFCD1505 的倒裝芯片接頭采用卷繞方式,接頭片位于電阻下方而不是側(cè)面,因此可最大限度地減少所需的電路板空間。在由兩個電阻和三個接頭組成的分壓器中,倒裝芯片分壓器在電阻下方配置三個墊片,而不是在側(cè)面配置四個墊片。倒裝芯片早期的缺點被認為是防礙檢查焊流,但這一缺點后來通過采用 X 光和其他更先進的技術(shù)而得以克服。

VFCD1505 具有最強的靜電放電抗擾能力,可承受高達 25kV 的靜電放電,從而提高了產(chǎn)品的可靠性。在 1 k? 至 10 k? 的電阻范圍內(nèi),分壓器兩面均可實現(xiàn)規(guī)定的電阻值。與所有 Vishay 箔電阻一樣,VFCD1505 不受標準值限制,可提供“所要求”的電阻值(如 7 kΩ 及 7.6543 kΩ),且不會增加成本或供貨時間。

該器件的應(yīng)用包括高精度儀器放大器、橋接網(wǎng)絡(luò)、差分放大器及電橋電路中的比例臂,以生產(chǎn)具有超高穩(wěn)定性和可靠性的產(chǎn)品,例如醫(yī)療、測試及軍用設(shè)備等。可根據(jù) EEE-INST-002 標準進行篩選 (MIL-PRF 55342)。

VFCD1505 可在溫度為 70°C 時,連續(xù) 2000 個小時保持 ±0.005% 的負載壽命穩(wěn)定率;0.1W 的額定功率(由兩個電阻按其電阻值比例分攤);小于 0.1PPM/V 的低電壓系數(shù);小于 -40 dB的電流噪聲;及 0.05uV/°C 的熱 EMF。該器件具有 1.0 納秒的無振鈴快速響應(yīng)時間,并且采用無電感 (<0.08uH) 和無電容設(shè)計。

即使具有較低的 TCR 跟蹤,電阻比率也可能會根據(jù)絕對 TCR 發(fā)生極大變化。為了確保良好的電阻比率穩(wěn)定性,設(shè)計人員應(yīng)利用絕對 TCR 盡可能低的電阻,如 VFCD1505,該器件采用 Vishay 的突破性“Z 箔”技術(shù)制成,極大地降低了電阻元件對外加功率變化的敏感性。

在其他技術(shù)中,如薄膜與厚膜,即使電阻比率為 1:1,在相同功率負載條件下,電阻對之間仍有溫差。這是由于各電阻因設(shè)計及/或制造容差產(chǎn)生的自身散熱,及因封裝內(nèi)熱阻差異產(chǎn)生的傳熱不對稱所致,即使外加功率極小(接近零)也不例外。

目前,VFCD1505 分壓器可提供樣品,并已實現(xiàn)量產(chǎn),樣品供貨周期為 72 小時,而標準訂單的供貨周期為 3 周。
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