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LLC轉(zhuǎn)換器設(shè)計穩(wěn)健型同步整流解決方案
為了理解這種技術(shù)，讓我們回顧一些為LLC轉(zhuǎn)換器設(shè)計穩(wěn)健型同步整流解決方案時遇到的挑戰(zhàn)。在其最簡單的層面上，同步整流需要金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）仿真二極管的行為。簡言之，當電流擬從正極流向負極時，MOSFET導通。一旦電流開始從負極流向正極，則MOSFET關(guān)斷。
2022-02-09
LLC轉(zhuǎn)換器 穩(wěn)健型同步整流
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適用于電流模式DC-DC轉(zhuǎn)換器的統(tǒng)一的LTspice AC模型
當電源設(shè)計人員想要大致了解電源的反饋環(huán)路時，他們會利用環(huán)路增益和相位波特圖。知道環(huán)路響應(yīng)可進行預測有助于縮小反饋環(huán)路補償元件的選擇范圍。
2022-02-09
電流模式DC-DC轉(zhuǎn)換器 LTspice AC模型
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將ICT和FCT優(yōu)勢結(jié)合在單個測試適配器中
一般以針床來測試不上電的電路板，使用直接數(shù)字合成（DDS）和離散傅立葉變換（DFT）等技術(shù)生成刺激信號進行模擬測量分析，以此讓在線測試儀（ICA）測量電感、電容、阻抗和電阻等實際數(shù)據(jù)，以便確認所有被測器件（DUT）測試節(jié)點的結(jié)果在公差范圍內(nèi)，以及是否有開路、短路、錯件或極性接反的問題。這...
2022-02-09
ICT和FCT 測試 適配器
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LDO如何更加功效
隨著物聯(lián)網(wǎng) （IoT） 不斷占領(lǐng)于我們的住宅和辦公場所，我們會發(fā)現(xiàn)越來越多的電器和系統(tǒng)集成了電子元器件，而且我們能夠在世界上的任何一個角落訪問這些電器和系統(tǒng)。不過，由于有如此之多的設(shè)備被連接到我們的住宅和辦公室，我們消耗了難以計數(shù)的待機電能。
2022-02-08
LDO 物聯(lián)網(wǎng)
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可編程輸入倍頻法如何減少整數(shù)邊界雜散
您曾設(shè)計過具有分數(shù)頻率合成器的鎖相環(huán)（PLL）嗎？這種合成器在整數(shù)通道上看起來很棒，但在只稍微偏離這些整數(shù)通道的頻率點上雜散就會變得高很多，是吧？如果是這樣的話，您就已經(jīng)遇到過整數(shù)邊界雜散現(xiàn)象了 —— 該現(xiàn)象發(fā)生在載波的偏移距離等于到最近整數(shù)通道的距離時。
2022-02-08
可編程輸入倍頻法 整數(shù)邊界雜散
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如何仿真轉(zhuǎn)換器的數(shù)字輸入／輸出
對于SAR-ADC的仿真比較復雜。目前來看，還沒有準確模擬整個器件的完整轉(zhuǎn)換器模型?，F(xiàn)有資源是一個仿真模擬輸入引腳穩(wěn)定性的模擬SPICE文件。有了它，用戶就有了一款強大工具，使用戶能夠解決其中一個最關(guān)鍵、最棘手的轉(zhuǎn)換器問題。
2022-02-08
仿真轉(zhuǎn)換器 數(shù)字輸入／輸出
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關(guān)于相控陣三種波束成型架構(gòu)的那些事兒~
本文對模擬、數(shù)字和混合波束成型架構(gòu)的能效比進行了比較，并針對接收相控陣開發(fā)了這三種架構(gòu)的功耗的詳細方程模型。該模型清楚說明了各種器件對總功耗的貢獻，以及功耗如何隨陣列的各種參數(shù)而變化。對不同陣列架構(gòu)的功耗/波束帶寬積的比較表明，對于具有大量元件的毫米波相控陣，混合方法具有優(yōu)勢。
2022-02-08
相控陣 波束成型架構(gòu)
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如何充分發(fā)揮碳化硅耐高溫的優(yōu)勢？
隨著碳化硅(SiC)技術(shù)的發(fā)展，器件也在日趨成熟和商業(yè)化，其材料獨特的耐高溫性能正在加速推動結(jié)溫從150℃走向175℃，有的公司稱，現(xiàn)在已開始研發(fā)200℃結(jié)溫的碳化硅器件。
2022-01-28
碳化硅
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什么是多級放大電路？
一般情況下，單個三極管構(gòu)成的放大電路的放大倍數(shù)是有限的，只有幾十倍，這就很難滿足我們的實際需要，在實際的應(yīng)用中，一般是使用多級放大電路。
2022-01-27
多級放大電路
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